Sc修飾多孔石墨烯儲氫性能的第一性原理研究
發(fā)布時間:2021-05-24 06:29
碳納米材料由于具有比表面積大、吸附動力學(xué)性能良好和可逆儲氫等特點而廣泛應(yīng)用于固態(tài)儲氫。多孔石墨稀是在實驗上得以成功制備的少數(shù)二維碳材料之一,其表面有很多均勻分布的納米孔,具有更高的比表面積,從而保證了高效的儲氫。Sc是相對原子質(zhì)量最輕的過渡金屬原子,Sc原子修飾多孔石墨烯可能存在更大的儲氫量。但是國內(nèi)外關(guān)于Sc原子修飾多孔石墨烯的研究甚少,其吸附機(jī)理以及儲氫量尚不明晰。本文運(yùn)用密度泛函理論的廣義梯度近似,對過渡金屬元素Sc修飾多孔石墨烯(PG)的幾何結(jié)構(gòu)、吸附機(jī)理和儲氫性能進(jìn)行研究。通過對Sc修飾多孔石墨烯體系儲氫性能的研究發(fā)現(xiàn):單個Sc原子最穩(wěn)定的吸附位置是碳環(huán)中心,周圍最多可吸附4個H2分子,平均吸附能為-0.429 eV/H2。通過在體系的另一側(cè)添加第二個Sc原子,可以有效提高體系的儲氫能力。兩個Sc原子位于多孔石墨烯異側(cè)相鄰碳環(huán)中心孔位時,儲氫量可達(dá)9.09 wt.%,平均吸附能為-0.296 eV/H2,這是Sc-PG體系最適合儲氫的結(jié)構(gòu)。H2分子在Sc修飾PG體系的吸附主要是H,Sc,C...
【文章來源】:蘭州理工大學(xué)甘肅省
【文章頁數(shù)】:46 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 緒論
1.1 研究意義及研究現(xiàn)狀
1.1.1 氫氣的存儲方式
1.1.2 納米多孔材料儲氫
1.1.2.1 石墨烯儲氫
1.1.2.2 多孔石墨烯儲氫
1.2 研究內(nèi)容
第2章 密度泛函理論簡介
2.1 從頭算法
2.2 密度泛函理論
2.2.1 Thomas-Fermi-Dirac模型
2.2.2 Hohenberg-kohn定理
2.2.3 Kohn-Sham方程
2.2.4 交換關(guān)聯(lián)泛函
2.2.4.1 局域密度近似(LDA)
2.2.4.2 廣義梯度近似(GGA)
2.2.4.3 范德華密度泛函方法(vdW-DFT)
2.3 計算參數(shù)與模型
第3章 Sc修飾PG的儲氫性能
3.1 單個Sc原子修飾PG體系
3.1.1 單個Sc原子修飾PG的吸附結(jié)構(gòu)
3.1.2 H_2在單個Sc原子修飾PG上的吸附
3.2 兩個Sc原子修飾PG體系
3.2.1 兩個Sc原子修飾PG的吸附結(jié)構(gòu)
3.2.2 兩個Sc原子修飾PG體系的儲氫量
3.3 本章小結(jié)
第4章 Sc修飾B摻雜PG的儲氫性能
4.1 單個B原子摻雜穩(wěn)定位置
4.2 單個Sc原子修飾B-PG體系
4.2.1 單個Sc原子修飾B-PG的吸附結(jié)構(gòu)
4.2.2 H_2在單個Sc原子修飾B-PG上的吸附
4.3 兩個Sc原子修飾B-PG體系
4.3.1 兩個Sc原子修飾B-PG的吸附結(jié)構(gòu)
4.3.2 兩個Sc原子修飾B-PG體系的儲氫量
4.4 本章小結(jié)
總結(jié)與展望
本文總結(jié)
研究展望
參考文獻(xiàn)
致謝
附錄 攻讀碩士學(xué)位期間所發(fā)表的學(xué)術(shù)論文
本文編號:3203719
【文章來源】:蘭州理工大學(xué)甘肅省
【文章頁數(shù)】:46 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 緒論
1.1 研究意義及研究現(xiàn)狀
1.1.1 氫氣的存儲方式
1.1.2 納米多孔材料儲氫
1.1.2.1 石墨烯儲氫
1.1.2.2 多孔石墨烯儲氫
1.2 研究內(nèi)容
第2章 密度泛函理論簡介
2.1 從頭算法
2.2 密度泛函理論
2.2.1 Thomas-Fermi-Dirac模型
2.2.2 Hohenberg-kohn定理
2.2.3 Kohn-Sham方程
2.2.4 交換關(guān)聯(lián)泛函
2.2.4.1 局域密度近似(LDA)
2.2.4.2 廣義梯度近似(GGA)
2.2.4.3 范德華密度泛函方法(vdW-DFT)
2.3 計算參數(shù)與模型
第3章 Sc修飾PG的儲氫性能
3.1 單個Sc原子修飾PG體系
3.1.1 單個Sc原子修飾PG的吸附結(jié)構(gòu)
3.1.2 H_2在單個Sc原子修飾PG上的吸附
3.2 兩個Sc原子修飾PG體系
3.2.1 兩個Sc原子修飾PG的吸附結(jié)構(gòu)
3.2.2 兩個Sc原子修飾PG體系的儲氫量
3.3 本章小結(jié)
第4章 Sc修飾B摻雜PG的儲氫性能
4.1 單個B原子摻雜穩(wěn)定位置
4.2 單個Sc原子修飾B-PG體系
4.2.1 單個Sc原子修飾B-PG的吸附結(jié)構(gòu)
4.2.2 H_2在單個Sc原子修飾B-PG上的吸附
4.3 兩個Sc原子修飾B-PG體系
4.3.1 兩個Sc原子修飾B-PG的吸附結(jié)構(gòu)
4.3.2 兩個Sc原子修飾B-PG體系的儲氫量
4.4 本章小結(jié)
總結(jié)與展望
本文總結(jié)
研究展望
參考文獻(xiàn)
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附錄 攻讀碩士學(xué)位期間所發(fā)表的學(xué)術(shù)論文
本文編號:3203719
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