1,2-PB/SBS/EPDM三元共混物的介電穩(wěn)定性研究
發(fā)布時(shí)間:2021-04-14 11:27
為了探究造成碳?xì)錁渲褰殡娦阅懿环(wěn)定的原因,采用溶液共混法制備了聚1,2-丁二烯(1,2-PB)/苯乙烯-丁二烯-苯乙烯(SBS)/三元乙丙橡膠(EPDM)三元共混物。用DSC、凝膠含量測(cè)定和FT-IR對(duì)含有不同類型EPDM及BIPB用量的共混物的固化反應(yīng)進(jìn)行了研究。對(duì)共混物的介電性能進(jìn)行了測(cè)試和分析。研究結(jié)果表明:不同種類的EPDM對(duì)三元共混物介電穩(wěn)定性影響不大;BIPB含量為0.85 phr,三元共混物介電常數(shù)和介電損耗都非常不穩(wěn)定,而增加BIPB用量,三元共混物介電穩(wěn)定性增加。當(dāng)BIPB用量增加到3.4 phr,f=10 GHz,1,2-PB/SBS/EPDM-1三元共混物的相對(duì)介電常數(shù)和介電損耗分別為2.42和0.0033,而且非常穩(wěn)定。
【文章來(lái)源】:電子元件與材料. 2020,39(08)北大核心CSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:5 頁(yè)
【部分圖文】:
1,2-PB/SBS/EPDM三元共混物的DSC曲線
從圖3(a)和圖4(a)可以看出,當(dāng)BIPB用量為0.85 phr時(shí),共混物的介電常數(shù)和介電損耗都非常不穩(wěn)定。例如,1,2-PB/SBS/EPDM-1三元共混物的相對(duì)介電常數(shù)從2.48變化到2.64,其介電損耗從0.0036變化到0.0047。而改變EPDM中第三單體含量和類型,對(duì)共混物的介電穩(wěn)定性沒有太大的影響。由前面分析結(jié)果可知,BIPB用量為0.85 phr時(shí),共混物的固化反應(yīng)放熱量少,凝膠含量低,體系中 C = C 雙鍵含量高。而共混物的介電性能主要與 C = C 雙鍵中π電子的極化有關(guān),體系中 C = C 雙鍵含量高時(shí),π電子在電場(chǎng)中極化可能存在不確定性,從而導(dǎo)致共混物介電性能不穩(wěn)定。由紅外譜圖分析可知,改變EPDM中第三單體含量和類型, C = C 雙鍵特征峰強(qiáng)度變化很小,表明EPDM的類型對(duì)體系中 C = C 雙鍵含量影響不大,所以改變EPDM中第三單體含量和類型,共混物的介電常數(shù)和介電損耗穩(wěn)定性變化不大。圖3 1,2-PB/SBS/EPDM三元共混物的相對(duì)介電常數(shù)
圖2 1,2-PB/SBS/EPDM三元共混物的FTIR譜圖而從圖3(b)和圖4(b)中可以看出,當(dāng)BIPB用量增加到3.4 phr時(shí),1,2-PB/SBS/EPDM-1的相對(duì)介電常數(shù)和介電損耗分別為2.42和0.0033,而且非常穩(wěn)定。同樣的,1,2-PB/SBS/EPDM-2的介電穩(wěn)定性也隨著引發(fā)劑用量的增加而增加。這是因?yàn)橐l(fā)劑用量增加,分解產(chǎn)生的自由基增多,引發(fā)體系中更多的 C = C 雙鍵參與交聯(lián)固化,體系中剩余 C = C 雙鍵含量減少,π電子的極化作用減小。紅外譜圖表明,BIPB用量增加到3.4 phr時(shí), C = C 雙鍵特征峰強(qiáng)度很低,表明體系中 C = C 雙鍵含量很少,因此共混物的介電性能很穩(wěn)定。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]新一代印制電路板的命脈——高性能基材[J]. 龔永林. 印制電路信息. 2018(08)
[2]毫米波電路用基板材料技術(shù)的新發(fā)展(下)[J]. 祝大同. 覆銅板資訊. 2017(01)
[3]高性能多層PCB基材配方研究[J]. 張洪文. 覆銅板資訊. 2016(04)
[4]高頻PCB基材介電常數(shù)與介電損耗的特性與改性進(jìn)展[J]. 楊盟輝. 印制電路信息. 2009(04)
[5]碳纖維/乙烯基酯樹脂拉擠復(fù)合材料基體固化體系的研究[J]. 于運(yùn)花,王成忠,楊小平,李鵬. 北京化工大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2002(03)
本文編號(hào):3137233
【文章來(lái)源】:電子元件與材料. 2020,39(08)北大核心CSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:5 頁(yè)
【部分圖文】:
1,2-PB/SBS/EPDM三元共混物的DSC曲線
從圖3(a)和圖4(a)可以看出,當(dāng)BIPB用量為0.85 phr時(shí),共混物的介電常數(shù)和介電損耗都非常不穩(wěn)定。例如,1,2-PB/SBS/EPDM-1三元共混物的相對(duì)介電常數(shù)從2.48變化到2.64,其介電損耗從0.0036變化到0.0047。而改變EPDM中第三單體含量和類型,對(duì)共混物的介電穩(wěn)定性沒有太大的影響。由前面分析結(jié)果可知,BIPB用量為0.85 phr時(shí),共混物的固化反應(yīng)放熱量少,凝膠含量低,體系中 C = C 雙鍵含量高。而共混物的介電性能主要與 C = C 雙鍵中π電子的極化有關(guān),體系中 C = C 雙鍵含量高時(shí),π電子在電場(chǎng)中極化可能存在不確定性,從而導(dǎo)致共混物介電性能不穩(wěn)定。由紅外譜圖分析可知,改變EPDM中第三單體含量和類型, C = C 雙鍵特征峰強(qiáng)度變化很小,表明EPDM的類型對(duì)體系中 C = C 雙鍵含量影響不大,所以改變EPDM中第三單體含量和類型,共混物的介電常數(shù)和介電損耗穩(wěn)定性變化不大。圖3 1,2-PB/SBS/EPDM三元共混物的相對(duì)介電常數(shù)
圖2 1,2-PB/SBS/EPDM三元共混物的FTIR譜圖而從圖3(b)和圖4(b)中可以看出,當(dāng)BIPB用量增加到3.4 phr時(shí),1,2-PB/SBS/EPDM-1的相對(duì)介電常數(shù)和介電損耗分別為2.42和0.0033,而且非常穩(wěn)定。同樣的,1,2-PB/SBS/EPDM-2的介電穩(wěn)定性也隨著引發(fā)劑用量的增加而增加。這是因?yàn)橐l(fā)劑用量增加,分解產(chǎn)生的自由基增多,引發(fā)體系中更多的 C = C 雙鍵參與交聯(lián)固化,體系中剩余 C = C 雙鍵含量減少,π電子的極化作用減小。紅外譜圖表明,BIPB用量增加到3.4 phr時(shí), C = C 雙鍵特征峰強(qiáng)度很低,表明體系中 C = C 雙鍵含量很少,因此共混物的介電性能很穩(wěn)定。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]新一代印制電路板的命脈——高性能基材[J]. 龔永林. 印制電路信息. 2018(08)
[2]毫米波電路用基板材料技術(shù)的新發(fā)展(下)[J]. 祝大同. 覆銅板資訊. 2017(01)
[3]高性能多層PCB基材配方研究[J]. 張洪文. 覆銅板資訊. 2016(04)
[4]高頻PCB基材介電常數(shù)與介電損耗的特性與改性進(jìn)展[J]. 楊盟輝. 印制電路信息. 2009(04)
[5]碳纖維/乙烯基酯樹脂拉擠復(fù)合材料基體固化體系的研究[J]. 于運(yùn)花,王成忠,楊小平,李鵬. 北京化工大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2002(03)
本文編號(hào):3137233
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