采用有限元分析方法,研究了一種n型壓電半導體納米線（氧化鋅）的電熱耦合性能,分析了外部溫度對氧化鋅納米線內部機械場、電場及電流場分布的影響,并討論了本構方程線性化對電學參數(shù)的影響。研究結果表明,溫度對氧化鋅納米線的電場、載流子濃度和電流密度影響很大,采用線性本構和非線性本構求得的電場、電子濃度和電流密度最大相差分別為24%,32%和68%,基于非線性本構分析壓電半導體的電學性能會引起很大誤差。該研究結果可為壓電半導體器件利用溫度調控電場、電流提供理論依據(jù)。 

【文章來源】：半導體光電. 2020,41(03)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

壓電半導體納米線示意圖

圖2 位移沿納米線的分布

電勢沿納米線的分布

【參考文獻】：
期刊論文
[1]壓電半導體桿中的機械場、電場與載流子分布研究（英文）[J]. Chun-li ZHANG,Xiao-yuan WANG,Wei-qiu CHEN,Jia-shi YANG.  Journal of Zhejiang University-Science A（Applied Physics & Engineering）. 2016(01)
[2]Piezotronics and piezo-phototronics: fundamentals and applications[J]. ZhongLin Wang,Wenzhuo Wu.  National Science Review. 2014(01)



本文編號：3096317