通過加熱TiB₂及ZrB₂粉末與等靜壓炭塊至共熔點以上的方法制備出新型炭/陶復合材料涂層TIB、ZRB-1與ZRB-2。結(jié)果表明,所制自生復合材料涂層的表層與內(nèi)部結(jié)構(gòu)明顯不同,表層由B摻雜的高度有序石墨構(gòu)成,內(nèi)部由TiB₂-C或ZrB₂-ZrC-C合金組成。TIB、ZRB-1與ZRB-2涂層中石墨的d₀₀₂值分別為0.335 9、0.336 0與0.335 4 nm,接近或等于單晶石墨的d₀₀₂值（0.335 4 nm）,表明高度有序石墨結(jié)構(gòu)的形成。3種涂層內(nèi)部石墨的拉曼光譜中D峰、D’峰明顯,2D峰強度低及G峰向高波數(shù)偏移,這些特征是由石墨碳網(wǎng)格結(jié)構(gòu)中B摻雜所致。此外,ZrB₂粒徑小有利于涂層表層應力的釋放。 

【文章來源】：新型炭材料. 2016,31(02)北大核心

【文章頁數(shù)】：11 頁

【部分圖文】：

TIB宏觀照片;(b)TIB的金相顯微鏡圖片;(c)TIB表層石墨的二次電子圖像;(d)為與(c)相對應的背散射電子圖像;(e)為圖(c)相同位置處面掃描圖像;(f)為相應的譜圖數(shù)據(jù)

和的碳析出于表面并且發(fā)生凝固。圖2(a)TIB斷裂面二次電子照片;(e)為斷裂面磨平后的二次電子照片;(b)、(f)為相對應的背散射電子圖片;(c)、(d)、(g)與(h)為(a)、(b)、(e)與(f)中方框區(qū)域的放大圖像Fig．2SEMimagesofTIBof(a)thefracturedsurfaceand(e)thefracturedsurfaceafterbeinggrinded;(b)and(f)arethecorrespondingbackscatteredelectronimagesofthesameregionsas(a)and(e);(c)，(d)，(g)and(h)arethehigh-magnificationimagesoftherectangularboxareasin(a)，(b)，(e)and(f)．圖3(a)樣品TIB涂層與基體結(jié)合處微觀形貌;(b)為與(a)相同區(qū)域的背散射電子圖片;(c)、(d)、(e)及(f)為相應面掃描數(shù)據(jù)Fig．3(a)StructureofconjunctionareaofthecoatingandsubstrateofsampleTIB;(b)correspondingbackscatteredelectronimageofthesameareaas(a);(c)，(d)，(e)and(f)arethecorrespondingEDXmappingresults．第2期楊金華等:TiB·191·2/ZrB2-C自生復合材料涂層的制備與表征

和的碳析出于表面并且發(fā)生凝固。圖2(a)TIB斷裂面二次電子照片;(e)為斷裂面磨平后的二次電子照片;(b)、(f)為相對應的背散射電子圖片;(c)、(d)、(g)與(h)為(a)、(b)、(e)與(f)中方框區(qū)域的放大圖像Fig．2SEMimagesofTIBof(a)thefracturedsurfaceand(e)thefracturedsurfaceafterbeinggrinded;(b)and(f)arethecorrespondingbackscatteredelectronimagesofthesameregionsas(a)and(e);(c)，(d)，(g)and(h)arethehigh-magnificationimagesoftherectangularboxareasin(a)，(b)，(e)and(f)．圖3(a)樣品TIB涂層與基體結(jié)合處微觀形貌;(b)為與(a)相同區(qū)域的背散射電子圖片;(c)、(d)、(e)及(f)為相應面掃描數(shù)據(jù)Fig．3(a)StructureofconjunctionareaofthecoatingandsubstrateofsampleTIB;(b)correspondingbackscatteredelectronimageofthesameareaas(a);(c)，(d)，(e)and(f)arethecorrespondingEDXmappingresults．第2期楊金華等:TiB·191·2/ZrB2-C自生復合材料涂層的制備與表征


本文編號：3054352