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基于磁性納米復(fù)合材料的PDMS微芯片修飾方法及其分離應(yīng)用研究

發(fā)布時(shí)間:2021-02-19 13:51
  近年來(lái),磁性納米復(fù)合材料因其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)以及它們?cè)诟鞣N領(lǐng)域如藥物輸送和細(xì)胞分離中許多潛在的應(yīng)用而受到越來(lái)越多的關(guān)注。由于其兼具納米材料和磁粒子兩者的優(yōu)點(diǎn),包括低毒性、良好的生物相容性、尺寸小且比表面積大以及快速的磁響應(yīng)性能,方便操作,能夠?qū)崿F(xiàn)快速分離,表現(xiàn)出在生物化學(xué)研究中非常可觀的應(yīng)用前景。超微型分析系統(tǒng),也被稱為“芯片上的實(shí)驗(yàn)室”,顯著地改變(生物)化學(xué)分析的方式。將樣品制備,分離和檢測(cè)等一些實(shí)驗(yàn)室程序集成在一個(gè)芯片上,而微芯片電泳就是一種在芯片上的新型分離技術(shù)。與其他分離技術(shù)相比,微芯片電泳技術(shù)具有高效的分離能力、設(shè)備體積小、消耗量少等優(yōu)點(diǎn)。但是在以聚二甲基硅氧烷(PDMS)制備的芯片中,由于PDMS固有的疏水性,導(dǎo)致分離分析時(shí)電滲流不穩(wěn)定、樣品的非特異性吸附,效率降低。本論文,針對(duì)以上問(wèn)題利用磁性納米復(fù)合材料對(duì)PDMS微芯片通道表面進(jìn)行修飾以及改性,不僅改善微芯片表面的親水性能,減小非特異性吸附,還應(yīng)用于提高分離手性對(duì)映體和單核苷酸多態(tài)性的分離效率。內(nèi)容如下:1、緒論主要概述了磁性納米復(fù)合材料特點(diǎn)及應(yīng)用,微流控芯片的發(fā)展及微芯片毛細(xì)管電泳的原理。重點(diǎn)闡述了各種材質(zhì)的微芯... 

【文章來(lái)源】:南昌大學(xué)江西省 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】:55 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

基于磁性納米復(fù)合材料的PDMS微芯片修飾方法及其分離應(yīng)用研究


PDMS芯片快速成型復(fù)制過(guò)程

分離電壓,電位,模板分子,功能化


實(shí)驗(yàn)將單個(gè)碳纖維電極置于分離通道末端,采用柱內(nèi)安培檢測(cè)測(cè)。在碳纖維電極上的 R-MA 和 S-MA 的電化學(xué)氧化產(chǎn)生了可。如圖 2.6A 所示,隨著檢測(cè)電位從+0.3 V 增加到+0.8 V,電流響,扁桃體酸對(duì)映體的分辨率略有下降。隨著電位的增大,峰值然而,一旦電位超過(guò)+0.6 V,就會(huì)產(chǎn)生氣泡和較大的的基線噪聲.6 V 作為本實(shí)驗(yàn)的分析檢測(cè)電位。同時(shí)此工作電極具有良好的使用超過(guò) 3 周。分離電壓的優(yōu)化化電壓范圍從+900 V 到+1300 V 內(nèi)對(duì)扁桃酸對(duì)映體的分離效率6B 所示。分離電壓增大,R-MA 和 S-MA 的遷移時(shí)間逐漸減少離電壓的增加,安培信號(hào)也明顯快速上升,因?yàn)殡S著分離電場(chǎng)檢測(cè)電勢(shì)的耦合效應(yīng)也增強(qiáng),導(dǎo)致在碳纖維電極上加速電化學(xué)值電流。在分離電壓為+1200 V 時(shí),R-MA 和 S-MA 的基線分稱。較高的分離電場(chǎng)會(huì)引起碳纖電極上的氧泡形成,從而導(dǎo)致聲信號(hào)。因此,本實(shí)驗(yàn)采用了+1200 V 的最佳分離電壓。

電化學(xué)檢測(cè),功能化,試劑,超純


3.1 在 GO@Fe3O4功能化PDMS 微芯片與電化學(xué)檢測(cè)相結(jié)合分離和檢測(cè) SNPs 示的意.2 實(shí)驗(yàn)部分.2.1 試劑主要試劑如表 3.1,所有水溶液均采用≥18MΩ·cm超純系統(tǒng)(Millipore,)制備。所有 DNA 產(chǎn)物和 miRNA 均購(gòu)自寶日醫(yī)生物技術(shù)有限公司(北京列如下:表 3.1 主要試劑名稱 規(guī)格 公司及產(chǎn)地聚二甲基硅氧烷 Dow Corning (Midland, U碳纖維 直徑 8μm Goodfellow (USA)石墨片 99.99% Alfa Aesar (USA)

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]PDMS微/毫流控芯片的簡(jiǎn)易快速制備及其疏水性研究[J]. 楊怡,李澤甫,方瑜,羅炫,張林.  納米技術(shù)與精密工程. 2014(01)
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[3]毛細(xì)管區(qū)帶電泳的電滲流[J]. 陳海峰,金文睿,全如翔.  分析科學(xué)學(xué)報(bào). 1998(03)
[4]毛細(xì)管電泳電化學(xué)檢測(cè)[J]. 胡深,龐代文,李培標(biāo),程介克.  分析測(cè)試學(xué)報(bào). 1997(06)
[5]基板制造技術(shù)[J]. 吳明華.  微細(xì)加工技術(shù). 1994(01)



本文編號(hào):3041208

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