不同先驅(qū)體制備C/SiC復(fù)合材料及其浸漬行為
發(fā)布時間:2021-02-01 20:55
采用先驅(qū)體浸漬裂解工藝(PIP工藝)制備C/SiC復(fù)合材料,研究了不同先驅(qū)體對復(fù)合材料浸漬行為的影響(三種先驅(qū)體分別為固態(tài)聚碳硅烷(PCS(s))、液態(tài)聚碳硅烷Ⅰ(PCS-Ⅰ(l))和液態(tài)聚碳硅烷Ⅱ(PCS-Ⅱ(l)),制備的三種復(fù)合材料體系分別為C/SiC-0、C/SiC-Ⅰ和C/SiC-Ⅱ)。結(jié)合C/SiC復(fù)合材料的力學性能以及不同裂解周期C/SiC復(fù)合材料的微觀形貌,研究了不同先驅(qū)體制備的C/SiC復(fù)合材料對碳纖維織物浸漬行為的影響。研究結(jié)果表明:C/SiC-Ⅰ復(fù)合材料的室溫彎曲強度最高,達到336 MPa。不同裂解周期的微觀形貌顯示, C/SiC-0復(fù)合材料內(nèi)部孔隙分布于碳纖維束間; C/SiC-Ⅰ復(fù)合材料內(nèi)部較致密,孔隙分布均勻; C/SiC-Ⅱ復(fù)合材料基體和束絲內(nèi)部都存在孔隙,說明三種聚碳硅烷浸漬液對C/SiC復(fù)合材料有不同的浸漬效果。凝膠滲透色譜(GPC)的分析結(jié)果顯示,由于浸漬液的分子量不同,大分子無法浸漬到碳纖維束絲內(nèi)部,會造成裂解后的復(fù)合材料束內(nèi)SiC基體較少,造成其力學性能較低。
【文章來源】:無機材料學報. 2020,35(09)北大核心
【文章頁數(shù)】:6 頁
【部分圖文】:
惰性氣氛保護下,先驅(qū)體聚碳硅烷的TGA曲線
C/Si C-Ⅰ樣品的應(yīng)變和曲線的斜率最大,說明承載的開裂應(yīng)力最高,與彎曲模量較高相符。C/Si C-0和C/Si C-Ⅱ樣品應(yīng)力-應(yīng)變曲線相似,斜率相近,說明C/Si C-0和C/Si C-Ⅱ的承載能力相當。2.3 C/Si C復(fù)合材料的微觀形貌
圖5為C/Si C復(fù)合材料第十周期裂解后的SEM照片,C/Si C-0復(fù)合材料內(nèi)部存在孔隙,孔隙直徑約為250μm,孔隙均勻分布在碳化硅基體中,從局部放大圖(圖5(a)插圖)可以看出,區(qū)別于碳纖維束間的孔隙,碳纖維束絲內(nèi)部致密度較好,纖維和基體間沒有孔隙;C/Si C-Ⅰ復(fù)合材料內(nèi)部致密,視野范圍內(nèi)沒有孔隙,從局部放大圖(圖5(b)插圖)可以看出,碳纖維單絲周圍全部被基體填充,形成致密的結(jié)構(gòu);C/Si C-Ⅱ復(fù)合材料內(nèi)部存在孔隙,大孔直徑約500μm,小孔直徑約100μm,從局部放大圖(圖5(c)插圖)可以看出,碳纖維單絲周圍存在一些孔隙及裂紋,說明碳纖維束絲內(nèi)部沒有被基體完全填充。圖4 C/Si C復(fù)合材料第三周期裂解后的SEM照片
【參考文獻】:
期刊論文
[1]陶瓷基復(fù)合材料中氮化硼界面相研究進展[J]. 李俊生,張長瑞,李斌. 材料導報. 2011(17)
[2]C纖維和SiC纖維增強SiC基復(fù)合材料微觀結(jié)構(gòu)分析[J]. 馮倩,王文強,王震,楊金山. 實驗室研究與探索. 2010(01)
[3]利用束絲復(fù)合材料對PIP工藝制備2D-SiCf/SiC復(fù)合材料力學性能進行表征[J]. 劉海韜,程海峰,王軍,唐耿平,周旺,鄭文偉. 稀有金屬材料與工程. 2009(10)
[4]PIP工藝制備Cf/SiC復(fù)合材料微觀結(jié)構(gòu)研究[J]. 李偉,陳朝輝. 稀有金屬材料與工程. 2007(S1)
[5]硼在先驅(qū)體轉(zhuǎn)化制備2DCf/SiC材料中的應(yīng)用[J]. 簡科,陳朝輝,馬青松,丑曉明. 稀有金屬材料與工程. 2006(S2)
[6]PIP工藝制備的C/SiC復(fù)合材料的氧化行為[J]. 鄒世欽,張長瑞,周新貴,曹英斌. 國防科技大學學報. 2005(05)
[7]連續(xù)纖維增強SiC復(fù)合材料制備工藝與性能研究進展[J]. 張勇,馮滌,陳希春. 材料導報. 2005(03)
[8]CVI-PIP工藝制備C/SiC復(fù)合材料及其顯微結(jié)構(gòu)研究[J]. 張玉娣,張長瑞. 材料科學與工程學報. 2004(05)
[9]高溫處理對碳纖維及其復(fù)合材料性能的影響[J]. 閆聯(lián)生,宋麥麗,鄒武,王濤. 宇航材料工藝. 1998(01)
本文編號:3013422
【文章來源】:無機材料學報. 2020,35(09)北大核心
【文章頁數(shù)】:6 頁
【部分圖文】:
惰性氣氛保護下,先驅(qū)體聚碳硅烷的TGA曲線
C/Si C-Ⅰ樣品的應(yīng)變和曲線的斜率最大,說明承載的開裂應(yīng)力最高,與彎曲模量較高相符。C/Si C-0和C/Si C-Ⅱ樣品應(yīng)力-應(yīng)變曲線相似,斜率相近,說明C/Si C-0和C/Si C-Ⅱ的承載能力相當。2.3 C/Si C復(fù)合材料的微觀形貌
圖5為C/Si C復(fù)合材料第十周期裂解后的SEM照片,C/Si C-0復(fù)合材料內(nèi)部存在孔隙,孔隙直徑約為250μm,孔隙均勻分布在碳化硅基體中,從局部放大圖(圖5(a)插圖)可以看出,區(qū)別于碳纖維束間的孔隙,碳纖維束絲內(nèi)部致密度較好,纖維和基體間沒有孔隙;C/Si C-Ⅰ復(fù)合材料內(nèi)部致密,視野范圍內(nèi)沒有孔隙,從局部放大圖(圖5(b)插圖)可以看出,碳纖維單絲周圍全部被基體填充,形成致密的結(jié)構(gòu);C/Si C-Ⅱ復(fù)合材料內(nèi)部存在孔隙,大孔直徑約500μm,小孔直徑約100μm,從局部放大圖(圖5(c)插圖)可以看出,碳纖維單絲周圍存在一些孔隙及裂紋,說明碳纖維束絲內(nèi)部沒有被基體完全填充。圖4 C/Si C復(fù)合材料第三周期裂解后的SEM照片
【參考文獻】:
期刊論文
[1]陶瓷基復(fù)合材料中氮化硼界面相研究進展[J]. 李俊生,張長瑞,李斌. 材料導報. 2011(17)
[2]C纖維和SiC纖維增強SiC基復(fù)合材料微觀結(jié)構(gòu)分析[J]. 馮倩,王文強,王震,楊金山. 實驗室研究與探索. 2010(01)
[3]利用束絲復(fù)合材料對PIP工藝制備2D-SiCf/SiC復(fù)合材料力學性能進行表征[J]. 劉海韜,程海峰,王軍,唐耿平,周旺,鄭文偉. 稀有金屬材料與工程. 2009(10)
[4]PIP工藝制備Cf/SiC復(fù)合材料微觀結(jié)構(gòu)研究[J]. 李偉,陳朝輝. 稀有金屬材料與工程. 2007(S1)
[5]硼在先驅(qū)體轉(zhuǎn)化制備2DCf/SiC材料中的應(yīng)用[J]. 簡科,陳朝輝,馬青松,丑曉明. 稀有金屬材料與工程. 2006(S2)
[6]PIP工藝制備的C/SiC復(fù)合材料的氧化行為[J]. 鄒世欽,張長瑞,周新貴,曹英斌. 國防科技大學學報. 2005(05)
[7]連續(xù)纖維增強SiC復(fù)合材料制備工藝與性能研究進展[J]. 張勇,馮滌,陳希春. 材料導報. 2005(03)
[8]CVI-PIP工藝制備C/SiC復(fù)合材料及其顯微結(jié)構(gòu)研究[J]. 張玉娣,張長瑞. 材料科學與工程學報. 2004(05)
[9]高溫處理對碳纖維及其復(fù)合材料性能的影響[J]. 閆聯(lián)生,宋麥麗,鄒武,王濤. 宇航材料工藝. 1998(01)
本文編號:3013422
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