眾所周知,貴金屬納米粒子（nanoparticles,NPs）具有優(yōu)異的性質(zhì)和廣泛的應(yīng)用。然而在實際運用中,貴金屬NPs通常需要負(fù)載到一定基體上才能最大限度地發(fā)揮其特性。將具有形貌可調(diào)和一定功能性的金屬氧化物納米材料作為基質(zhì)與貴金屬NPs進行復(fù)合,不僅起到穩(wěn)定貴金屬NPs的作用,還可以實現(xiàn)不同功能在一種材料上的集成化體現(xiàn)以及性能的優(yōu)化。因此,研究貴金屬/金屬氧化物納米復(fù)合材料的可控合成對于科學(xué)研究及工業(yè)發(fā)展均有重要意義。目前關(guān)于貴金屬/金屬氧化物納米復(fù)合材料的制備及應(yīng)用的研究已取得一定成就,但在以下幾方面仍面臨著挑戰(zhàn)。首先,雖然通過一定的方法可以制備出具有特定形貌的貴金屬/金屬氧化物納米復(fù)合材料,但針對一種復(fù)合材料進行從1D到3D的形貌調(diào)控還較難實現(xiàn)。第二,目前制備納米復(fù)合材料的方法均不能保證兩種金屬元素同時實現(xiàn)分子尺度上的均勻分布。第三,有待發(fā)展簡單有效的方法以實現(xiàn)貴金屬NPs在金屬氧化物高表面能裸露晶面上的生長。為解決以上問題,本論文提出了以雙金屬配位聚合物為前驅(qū)體可控制備貴金屬/金屬氧化物納米復(fù)合材料的新方法,具體工作包括以下兩個方面:首先,采用甲基丙烯酸根陰離子（MAA-）雙功... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：78 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

制備ICP常用的典型配體[30]

圖 1-2 0D 金屬氧化物納米結(jié)構(gòu)合成方法示意圖[81]氧化物納米結(jié)構(gòu)化物納米材料的制備方法主要分為以下四種類型法[86, 87]，包括物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積法[88, 89]，包括自由生長、在敞開體系或高壓體系下；(c)為電化學(xué)陽極氧化或電沉積法[90, 91]；(d)為靜由于氣相沉積法操作簡單且適用范圍廣，因此被廣多參數(shù)都非常敏感，例如原材料、載體取向、催化氣流、甚至是爐腔的幾何結(jié)構(gòu)。與氣相沉積法相比成本低、危險系數(shù)小、溫度低，因此可以實現(xiàn)大批熱或溶劑熱法。但用該方法制備 1D 金屬氧化物納、缺陷多、材料表面粗糙且有雜質(zhì)。在所有合成方沉積制備 1D 半導(dǎo)體納米材料是相對簡單有效的方是制備 1D 納米管最適合的方法。而該方法存在的電致收縮產(chǎn)生的金屬氧化物界面壓力會使納米結(jié)構(gòu)

圖 1-3 1D 金屬氧化物納米結(jié)構(gòu)合成方法示意圖[87]1.4.1.3 2D 金屬氧化物納米結(jié)構(gòu)目前，制備 2D 金屬氧化物納米片的方法主要有四種，如圖 1-4 所示，分別為層狀材料的機械/化學(xué)剝落法[94, 95]、CVD 增長法[96]以及濕化學(xué)自組裝法[97]。前兩種方法被稱為自上而下合成法，該方法的優(yōu)點是容易制得結(jié)晶較好的單層納米片，缺點是剝落效率低，納米片厚度大且不均勻。與自上而下的方法相比，后兩種自下而上的方法更容易合成超薄的 2D 金屬氧化物納米片。

【參考文獻】：
期刊論文
[1]靜電紡絲法制備納米線陣列及其在電子與光電子領(lǐng)域中的應(yīng)用（英文）[J]. 鄭志,甘霖,翟天佑.  Science China Materials. 2016(03)

博士論文
[1]以甲基丙烯酸鹽單體為原料制備一維、二維和三維納米微粒/聚合物復(fù)合材料[D]. 崔鐵鈺.吉林大學(xué) 2006



本文編號：3012868