熱蒸發(fā)法制備ZnSe納米球及其球形度
發(fā)布時間:2021-01-28 13:21
使用硒化鋅粉末,在一定條件下,采用熱蒸發(fā)法制備出納米結(jié)構(gòu)的ZnSe納米球,分析了添加少量硒粉對納米球球徑及球形度的影響,利用透射電鏡及能譜儀觀察了ZnSe納米球的球徑大小與分布,同時進行了元素分析,利用X射線衍射分析對ZnSe納米球進行了物相鑒定。實驗結(jié)果表明:控制蒸發(fā)電流在30 A,蒸發(fā)時間為3 s時,可以得到較好的ZnSe納米球,而添加0.005 g硒粉時,得到的納米球更小,球形度更好,表明在真空狀態(tài)下,采用熱蒸發(fā)法是一種制備ZnSe納米球結(jié)構(gòu)的有效新方法。
【文章來源】:真空科學與技術(shù)學報. 2020,40(06)北大核心
【文章頁數(shù)】:5 頁
【文章目錄】:
1 實驗方法
2 實驗結(jié)果
2.1 XRD分析
2.2 EDS分析
2.3 碳膜銅網(wǎng)的TEM圖
2.4 ZnSe納米球徑統(tǒng)計分析
2.5 ZnSe納米球球形度分析
3 分析討論
4 結(jié)論
【參考文獻】:
期刊論文
[1]樹枝狀纖維形納米球催化劑的研究進展[J]. 王亞斌,郭敏,史時輝,呼科科,張耀霞,劉忠. 材料導報. 2019(21)
[2]不同形貌ZnSe納米晶合成的研究進展[J]. 馮江偉,呂朝霞,杜世新,鄭曉華,曹春蕾. 化學工程師. 2014(08)
[3]化學氣相沉積法制備ZnSe微球[J]. 王丹,李煥勇,介萬奇. 人工晶體學報. 2011(03)
[4]溶劑熱法合成ZnSe納米球[J]. 李莉,張祖德. 合成化學. 2009(06)
[5]ZnSe薄膜電沉積工藝條件的研究[J]. 繆娟,張成光,符德學. 表面技術(shù). 2008(04)
[6]ZnSe制備技術(shù)研究進展[J]. 薛大順,吳洪才. 光電子技術(shù)與信息. 2004(02)
[7]真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)的應用[J]. 林杰,亞振國,丁國利,李佐民. 煤礦機械. 2000(02)
碩士論文
[1]ZnSe半導體納米材料的液相合成與表征[D]. 朱娟娟.南京理工大學 2010
本文編號:3005068
【文章來源】:真空科學與技術(shù)學報. 2020,40(06)北大核心
【文章頁數(shù)】:5 頁
【文章目錄】:
1 實驗方法
2 實驗結(jié)果
2.1 XRD分析
2.2 EDS分析
2.3 碳膜銅網(wǎng)的TEM圖
2.4 ZnSe納米球徑統(tǒng)計分析
2.5 ZnSe納米球球形度分析
3 分析討論
4 結(jié)論
【參考文獻】:
期刊論文
[1]樹枝狀纖維形納米球催化劑的研究進展[J]. 王亞斌,郭敏,史時輝,呼科科,張耀霞,劉忠. 材料導報. 2019(21)
[2]不同形貌ZnSe納米晶合成的研究進展[J]. 馮江偉,呂朝霞,杜世新,鄭曉華,曹春蕾. 化學工程師. 2014(08)
[3]化學氣相沉積法制備ZnSe微球[J]. 王丹,李煥勇,介萬奇. 人工晶體學報. 2011(03)
[4]溶劑熱法合成ZnSe納米球[J]. 李莉,張祖德. 合成化學. 2009(06)
[5]ZnSe薄膜電沉積工藝條件的研究[J]. 繆娟,張成光,符德學. 表面技術(shù). 2008(04)
[6]ZnSe制備技術(shù)研究進展[J]. 薛大順,吳洪才. 光電子技術(shù)與信息. 2004(02)
[7]真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)的應用[J]. 林杰,亞振國,丁國利,李佐民. 煤礦機械. 2000(02)
碩士論文
[1]ZnSe半導體納米材料的液相合成與表征[D]. 朱娟娟.南京理工大學 2010
本文編號:3005068
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