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2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩/Ni(100)的界面能級(jí)結(jié)構(gòu)隨薄膜厚度的演化

發(fā)布時(shí)間:2021-01-28 07:40
  利用紫外光電子能譜、X射線光電子能譜以及原子力顯微鏡系統(tǒng)研究了2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)生長(zhǎng)在單晶Ni(100)上的能級(jí)結(jié)構(gòu)隨著薄膜厚度的演化以及薄膜的生長(zhǎng)方式.發(fā)現(xiàn)第一層C8-BTBT平躺生長(zhǎng)且與Ni基底發(fā)生了化學(xué)吸附反應(yīng).從第二層起分子直立生長(zhǎng)且呈現(xiàn)島狀生長(zhǎng)模式.這種平躺至直立的分子取向轉(zhuǎn)變,導(dǎo)致薄膜的能級(jí)結(jié)構(gòu)在第一層與第二層間發(fā)生階梯式的變化,真空能級(jí)與最高占據(jù)能級(jí)同步下降.此后能帶結(jié)構(gòu)隨著薄膜厚度的增加逐漸向下彎曲,功函數(shù)隨著膜厚的增加而減小.同時(shí)還發(fā)現(xiàn)由于直立生長(zhǎng)的C8-BTBT其層間電導(dǎo)率較差導(dǎo)致實(shí)驗(yàn)中的能級(jí)未能收斂.實(shí)驗(yàn)結(jié)果提示對(duì)基于Ni和C8-BTBT的自旋器件需要插入緩沖層并盡可能減少C8-BTBT的層數(shù). 

【文章來源】:物理學(xué)報(bào). 2016,65(04)北大核心

【文章頁數(shù)】:9 頁

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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本文編號(hào):3004608

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