利用紫外光電子能譜、X射線光電子能譜以及原子力顯微鏡系統(tǒng)研究了2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩（C8-BTBT）生長在單晶Ni（100）上的能級結(jié)構(gòu)隨著薄膜厚度的演化以及薄膜的生長方式.發(fā)現(xiàn)第一層C8-BTBT平躺生長且與Ni基底發(fā)生了化學吸附反應(yīng).從第二層起分子直立生長且呈現(xiàn)島狀生長模式.這種平躺至直立的分子取向轉(zhuǎn)變,導致薄膜的能級結(jié)構(gòu)在第一層與第二層間發(fā)生階梯式的變化,真空能級與最高占據(jù)能級同步下降.此后能帶結(jié)構(gòu)隨著薄膜厚度的增加逐漸向下彎曲,功函數(shù)隨著膜厚的增加而減小.同時還發(fā)現(xiàn)由于直立生長的C8-BTBT其層間電導率較差導致實驗中的能級未能收斂.實驗結(jié)果提示對基于Ni和C8-BTBT的自旋器件需要插入緩沖層并盡可能減少C8-BTBT的層數(shù). 

【文章來源】：物理學報. 2016,65(04)北大核心

【文章頁數(shù)】：9 頁

【參考文獻】：
期刊論文
[1]酞菁銅與MoS2（0001）范德瓦耳斯異質(zhì)結(jié)研究[J]. 曹寧通,張雷,呂路,謝海鵬,黃寒,牛冬梅,高永立.  物理學報. 2014(16)
[2]噻吩在猝冷骨架Ni上吸附脫硫的XPS研究[J]. 謝福中,胡華榮,喬明華,閆世潤,范康年,雷浩,譚大力,包信和,宗保寧,張曉昕.  高等學校化學學報. 2006(09)



本文編號：3004608