隨著科學(xué)技術(shù)的迅速發(fā)展,核技術(shù)已經(jīng)滲透到科技、軍事、環(huán)境、經(jīng)濟(jì)等各個領(lǐng)域中,使得核輻射探測器成了研究重點(diǎn)。而高性能的核輻射探測器材料是做高靈敏探測器的首要條件和影響探測器性能的主要因素。因此對高性能核探測器材料的研究是實(shí)現(xiàn)高靈敏度室溫核探測器的關(guān)鍵。碘化銦是一種優(yōu)秀的核輻射探測器半導(dǎo)體材料,目前關(guān)于碘化銦的研究主要集中在單晶制備上,很難得到大面積高質(zhì)量的單晶材料。然而已經(jīng)有多種半導(dǎo)體晶體材料制備成薄膜,并且取得優(yōu)異的性能,由此可知薄膜化可以解決單晶生長方面的問題。因此,本文基于薄膜生長和摻雜改性等理論,分別研究厚度和摻雜元素的濃度對碘化銦薄膜性能的影響。首先,闡述了半導(dǎo)體薄膜材料和摻雜半導(dǎo)體薄膜材料的發(fā)展和應(yīng)用,詳細(xì)講述了薄膜形成過程、薄膜晶核形成理論、薄膜生長的基本模式和半導(dǎo)體薄膜的制備技術(shù)。其次,探索出其薄膜制備過程中溫度控制、沉積速率等工藝參數(shù)。利用真空蒸發(fā)法制備不同厚度的碘化銦多晶薄膜,通過X射線粉末衍射儀、掃描電子顯微鏡-X射線能量色散譜儀、紫外可見分光光度計(jì)、電阻率測量儀等儀器對多晶薄膜的形貌結(jié)構(gòu)、禁帶寬度等表征,分析厚度對碘化銦多晶薄膜的影響。最后,探索了兩溫區(qū)氣相輸運(yùn)法... 

【文章來源】：燕山大學(xué)河北省

【文章頁數(shù)】：61 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 半導(dǎo)體薄膜材料概述
    1.2 摻雜半導(dǎo)體薄膜材料的研究現(xiàn)狀
    1.3 InI半導(dǎo)體材料研究現(xiàn)狀
    1.4 課題研究的目的及意義
    1.5 本文研究的主要內(nèi)容
第2章 半導(dǎo)體薄膜的形成機(jī)制
    2.1 引言
    2.2 半導(dǎo)體薄膜形成過程
        2.2.1 吸附過程
        2.2.2 表面擴(kuò)散過程
        2.2.3 凝結(jié)過程
    2.3 晶核形成與生長的物理過程
    2.4 晶核形成理論
        2.4.1 熱力學(xué)界面能理論
        2.4.2 原子聚集理論
    2.5 本章小結(jié)
第3章 碘化銦多晶薄膜制備及性能分析
    3.1 引言
    3.2 半導(dǎo)體薄膜的制備技術(shù)
        3.2.1 真空蒸發(fā)鍍膜
        3.2.2 濺射鍍膜
        3.2.3 分子束外延技術(shù)
        3.2.4 化學(xué)氣相沉積
    3.3 薄膜的形成方式
        3.3.1 島狀成膜
        3.3.2 層狀成膜
        3.3.3 層島結(jié)合成膜
    3.4 InI多晶薄膜制備過程
    3.5 InI多晶薄膜的性能分析
        3.5.1 InI多晶薄膜的形貌分析
        3.5.2 InI多晶薄膜結(jié)構(gòu)分析
        3.5.3 InI多晶薄膜的光學(xué)性能分析
        3.5.4 InI多晶薄膜的電學(xué)性能分析
    3.6 本章小結(jié)
第4章 鉛摻雜碘化銦多晶薄膜制備及性能分析
    4.1 引言
    4.2 Pb:InI多晶合成及提純
    4.3 Pb:InI多晶結(jié)構(gòu)分析
        4.3.1 Pb:InI多晶的SEM-EDS分析
        4.3.2 Pb:InI多晶的XRD分析
    4.4 Pb:InI多晶薄膜制備過程
    4.5 Pb:InI多晶薄膜的半導(dǎo)體性能分析
        4.5.1 Pb:InI多晶薄膜的形貌分析
        4.5.2 Pb:InI多晶薄膜的結(jié)構(gòu)分析
        4.5.3 Pb:InI多晶薄膜的光學(xué)性質(zhì)
        4.5.4 Pb:InI多晶薄膜的電學(xué)性質(zhì)
    4.6 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間承擔(dān)的科研任務(wù)與主要成果
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
[1]基于AZO的透明導(dǎo)電薄膜的低溫制備與性能優(yōu)化[D]. 李遠(yuǎn)東.浙江大學(xué) 2013
[2]基底溫度等因素對薄膜生長影響的Monte Carlo模擬研究[D]. 宋超群.燕山大學(xué) 2009
[3]反應(yīng)性射頻濺射制備電致變色NiOx薄膜的研究[D]. 鄭文明.蘭州大學(xué) 2007
[4]化學(xué)氣相沉積制備炭/炭復(fù)合材料防氧化涂層[D]. 王標(biāo).西北工業(yè)大學(xué) 2007
[5]ZnO：Al和ZnO：Fe薄膜的制備、結(jié)構(gòu)及性能研究[D]. 楊霞.東華大學(xué) 2007



本文編號：3004552