低維體系由于載流子波函數(shù)在某些維度方向上受限,導(dǎo)致出現(xiàn)小尺寸效應(yīng)、表面效應(yīng)、量子隧穿、庫倫阻塞等效應(yīng),進(jìn)而會(huì)顯著影響體系的力學(xué)、光學(xué)、電學(xué)和熱學(xué)性能。同時(shí),由于低維體系具有較大的比表面積,在構(gòu)成器件時(shí)形成的界面也會(huì)對(duì)器件性能產(chǎn)生重要影響。因此,對(duì)低維體系性質(zhì)的探索,不僅可以拓寬對(duì)未知領(lǐng)域的理解,還對(duì)未來器件的設(shè)計(jì)與優(yōu)化起到至關(guān)重要的作用。本論文中,我們將以一維ZnO納米線和二維層狀材料（黑磷、InSe和Bi₂Te₃）為例,圍繞界面摻雜調(diào)控對(duì)ZnO納米線量子輸運(yùn)性能的影響、黑磷/InSe二維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的光電特性以及Bi₂Te₃二維薄片的生長調(diào)控和輸運(yùn)特性等方面開展研究,主要內(nèi)容如下:在第一章中,我們首先以一維ZnO納米線和二維層狀材料為例,介紹了低維材料的結(jié)構(gòu)、生長方法以及它們的光學(xué)、電學(xué)和光電性能等方面的研究進(jìn)展。然后,我們闡述了本論文的研究意義以及內(nèi)容概要。在第二章中,我們通過二次生長和界面包裹Al_xO_y的辦法,成功制備了界面Al摻雜和界面本征摻雜的ZnO... 

【文章來源】：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：135 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

}纖鋅礦ZII

延生長的方向則決定了?ＺｎＯ納米線的取向性。此外還有其他不用催化劑的生長??方法（模板法和電場(chǎng)誘導(dǎo)等），也可以生長出垂直的取向性好的ＺｎＯ納米線。［８＜??Ｈｉｉｌｉ??圖１．?４?（ａ）自組裝ＰＳ小球作為生長ＺｎＯ納米線的模板。（ｂ）襯底上六角形金催化劑的??圖案。（ｃ）通過金催化模板制備的取向性好的ＺｎＯ納米線形貌。＂°ｉ??一維ＺｎＯ納米結(jié)構(gòu)除了用于前文中提到的傳感器、光電器件和場(chǎng)發(fā)射器件??之外，還有非常廣泛的用途。比如，由于Ｚｎ〇具有壓電特性，因此納米線陣列??可以用于納米發(fā)電機(jī)；［１１］再比加，由于ＺｎＯ納米線本身就是性質(zhì)很好的光學(xué)腔??并且Ｚｎ？激子束縛能很大，因此Ｚｎ〇納米線可以做成室溫的納米激光器等等。??３??

和納米共振腔等。［４］??ｍｍｍ?ｍｍ?ｍｉ??＿臛??圖１．３不同形狀的ＺｎＯ納米條帶。（ａ）納米彈簧，（ｂ）納米環(huán)和（ｃ）螺旋形納米帶掃描??電鏡圖。［５］??除了一維納米帶之外，取向性好的一維納米線對(duì)于傳感器、光電器件和場(chǎng)??發(fā)射的器件也非常重要。取向性和準(zhǔn)直性好的ＺｎＯ納米線可以通過采用金或??錫做催化劑，借助氣－液－固（ＶＬＳ）的生長機(jī)理來制備。納米線在襯底表面外??延生長的方向則決定了?ＺｎＯ納米線的取向性。此外還有其他不用催化劑的生長??方法（模板法和電場(chǎng)誘導(dǎo)等），也可以生長出垂直的取向性好的ＺｎＯ納米線。［８＜??Ｈｉｉｌｉ??圖１．?４?（ａ）自組裝ＰＳ小球作為生長ＺｎＯ納米線的模板。（ｂ）襯底上六角形金催化劑的??圖案。（ｃ）通過金催化模板制備的取向性好的ＺｎＯ納米線形貌。＂°ｉ??一維ＺｎＯ納米結(jié)構(gòu)除了用于前文中提到的傳感器、光電器件和場(chǎng)發(fā)射器件??之外，還有非常廣泛的用途。比如，由于Ｚｎ〇具有壓電特性，因此納米線陣列??可以用于納米發(fā)電機(jī)；［１１］再比加，由于ＺｎＯ納米線本身就是性質(zhì)很好的光學(xué)腔??并且Ｚｎ？激子束縛能很大，因此Ｚｎ〇納米線可以做成室溫的納米激光器等等。??３??


本文編號(hào)：2997890