碳化硅/環(huán)氧樹脂電子封裝材料的研究
發(fā)布時(shí)間:2021-01-17 02:32
環(huán)氧樹脂電子封裝材料是目前最常用的封裝材料之一,由于環(huán)氧樹脂有導(dǎo)熱系數(shù)較低、熱膨脹系數(shù)較大等缺點(diǎn),已經(jīng)不能滿足電子封裝材料的需求。通過在基體中添加高導(dǎo)熱系數(shù)、低熱膨脹系數(shù)的填料可以改善復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能、降低其熱膨脹系數(shù)。本文將SiC填料添加到環(huán)氧樹脂中制成復(fù)合材料,通過調(diào)整填料體積分?jǐn)?shù)、粒度、混合配比,得到一種導(dǎo)熱系數(shù)大、熱膨脹系數(shù)較低、綜合性能優(yōu)良的電子封裝材料。本文使用雙酚A環(huán)氧樹脂E51、甲基四氫苯酐(固化劑)、液態(tài)咪唑(酸酐促進(jìn)劑)做為封裝材料的基體,環(huán)氧樹脂在150oC保溫3小時(shí)的工藝下固化,得到的環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱系數(shù)為0.29 W·m-1·K-1,熱膨脹系數(shù)為6×10-5 K-1,抗折強(qiáng)度為120 MPa。分別選取3.5、40、90μm SiC(分別記為SiC3.5、SiC40、SiC90)作為填料,制備出SiC/環(huán)氧樹脂封裝材料。我們發(fā)現(xiàn):復(fù)合材料的熱膨脹系數(shù)隨著SiC填料體積分?jǐn)?shù)的增加而降低,隨著粒度的增大而增大;導(dǎo)熱系數(shù)隨著SiC體積分?jǐn)?shù)的增大先上升后下降,其中SiC3.5、SiC40、SiC90的復(fù)合...
【文章來源】:燕山大學(xué)河北省
【文章頁數(shù)】:62 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
1.1 電子封裝材料簡(jiǎn)介
1.1.1 電子封裝的分類
1.1.2 電子封裝填料
1.2 SiC的性能與應(yīng)用
1.3 環(huán)氧樹脂的性能與研究現(xiàn)狀
1.4 電子封裝用復(fù)合材料的研究現(xiàn)狀
1.5 本文選題意義和目的
第2章 實(shí)驗(yàn)方法
2.1 封裝材料基體的選擇
2.1.1 環(huán)氧樹脂的選擇
2.1.2 固化劑的選擇
2.1.3 促進(jìn)劑的選擇
2.2 實(shí)驗(yàn)原料及實(shí)驗(yàn)設(shè)備
2.2.1 實(shí)驗(yàn)原料
2.2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備
2.3 實(shí)驗(yàn)過程
2.4 性能測(cè)試
2.4.1 振實(shí)密度的測(cè)試
2.4.2 抗折強(qiáng)度的測(cè)試
2.4.3 致密度的測(cè)試
2.4.4 熱膨脹系數(shù)的測(cè)試
2.4.5 導(dǎo)熱系數(shù)的測(cè)試
2.4.6 場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡分析
第3章 單一粒度SiC填料對(duì)復(fù)合材料的影響
3.1 各粒度SiC的最大填充率
3.2 單粒度SiC/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的致密度和抗折強(qiáng)度
3.3 單粒度SiC/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)
3.4 單粒度SiC/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的熱膨脹系數(shù)
3.5 單粒度SiC/復(fù)合材料的斷口形貌
3.6 本章小結(jié)
第4章 混合粒度SiC填料對(duì)復(fù)合材料的影響
4.1 SiC配比對(duì)復(fù)合材料性能的影響
4.1.1 不同配比SiC混合后的最大填充率
4.1.2 不同配比SiC對(duì)復(fù)合材料性能的影響
4.2 混合粒度SiC不同體積分?jǐn)?shù)對(duì)復(fù)合材料性能的影響
4.3 本章小結(jié)
第5章 改性SiC填料對(duì)復(fù)合材料的影響
5.1 硅烷偶聯(lián)劑的改性過程和機(jī)理
5.2 偶聯(lián)劑改性SiC填料對(duì)復(fù)合材料性能的影響
5.3 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間承擔(dān)的科研任務(wù)與主要成果
致謝
本文編號(hào):2982018
【文章來源】:燕山大學(xué)河北省
【文章頁數(shù)】:62 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
1.1 電子封裝材料簡(jiǎn)介
1.1.1 電子封裝的分類
1.1.2 電子封裝填料
1.2 SiC的性能與應(yīng)用
1.3 環(huán)氧樹脂的性能與研究現(xiàn)狀
1.4 電子封裝用復(fù)合材料的研究現(xiàn)狀
1.5 本文選題意義和目的
第2章 實(shí)驗(yàn)方法
2.1 封裝材料基體的選擇
2.1.1 環(huán)氧樹脂的選擇
2.1.2 固化劑的選擇
2.1.3 促進(jìn)劑的選擇
2.2 實(shí)驗(yàn)原料及實(shí)驗(yàn)設(shè)備
2.2.1 實(shí)驗(yàn)原料
2.2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備
2.3 實(shí)驗(yàn)過程
2.4 性能測(cè)試
2.4.1 振實(shí)密度的測(cè)試
2.4.2 抗折強(qiáng)度的測(cè)試
2.4.3 致密度的測(cè)試
2.4.4 熱膨脹系數(shù)的測(cè)試
2.4.5 導(dǎo)熱系數(shù)的測(cè)試
2.4.6 場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡分析
第3章 單一粒度SiC填料對(duì)復(fù)合材料的影響
3.1 各粒度SiC的最大填充率
3.2 單粒度SiC/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的致密度和抗折強(qiáng)度
3.3 單粒度SiC/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)
3.4 單粒度SiC/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的熱膨脹系數(shù)
3.5 單粒度SiC/復(fù)合材料的斷口形貌
3.6 本章小結(jié)
第4章 混合粒度SiC填料對(duì)復(fù)合材料的影響
4.1 SiC配比對(duì)復(fù)合材料性能的影響
4.1.1 不同配比SiC混合后的最大填充率
4.1.2 不同配比SiC對(duì)復(fù)合材料性能的影響
4.2 混合粒度SiC不同體積分?jǐn)?shù)對(duì)復(fù)合材料性能的影響
4.3 本章小結(jié)
第5章 改性SiC填料對(duì)復(fù)合材料的影響
5.1 硅烷偶聯(lián)劑的改性過程和機(jī)理
5.2 偶聯(lián)劑改性SiC填料對(duì)復(fù)合材料性能的影響
5.3 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間承擔(dān)的科研任務(wù)與主要成果
致謝
本文編號(hào):2982018
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