采用溶膠-凝膠法制備了摻雜摩爾分數(shù)為5%～20%的Al摻雜ZnO（AZO）高電阻薄膜,采用正方形電阻法表征了薄膜的方塊電阻,采用掃描電子顯微鏡（SEM）對薄膜形貌進行了表征,采用Nano Measurer 1.2軟件測量了薄膜晶粒的平均粒徑,采用分光光度計表征了薄膜的光譜透過率。當Al摻雜摩爾分數(shù)為5%～20%時,方塊電阻在2～405 MΩ/之間逐漸增大,晶粒尺寸在24.35～17.53nm之間逐漸減小,可見光透過率可達80%左右。制備了不同Al摻雜摩爾分數(shù)的AZO高電阻層的模式控制型液晶透鏡并研究了其光學干涉特性,摻雜摩爾分數(shù)在10%～15%之間,AZO薄膜可滿足液晶透鏡對薄膜透明度和方塊電阻的要求。 

【文章來源】：液晶與顯示. 2020,35(10)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

模式控制型液晶透鏡結(jié)構(gòu)圖

液晶透鏡干涉特性測試裝置如圖2所示，波長為520nm的平行光，經(jīng)過起偏器（與液晶透鏡摩擦方向成45°）、液晶透鏡、檢偏器（與起偏器正交）后形成的干涉圖像由500萬像素的CMOS圖像傳感器采集獲得。3 結(jié)果與討論

在玻璃基板上制備了7種不同摩爾分數(shù)（5%,7.5%,10%12.5%,15%,17.5%,20%）的AZO高電阻薄膜，薄膜樣品如圖3所示。圖4所示為7種樣品的掃描電鏡圖。從圖中可以看出，薄膜表面均勻平整，無明顯斷層缺陷，隨著Al摻雜摩爾分數(shù)的增加，薄膜粒徑變小，用軟件Nano Measurer 1.2計算得出5%～20%Al摻雜的薄膜粒徑約為24.35～17.53nm，不同Al摻雜的薄膜粒徑如表1所示。這一結(jié)果與文獻[14]報導(dǎo)結(jié)果基本一致。圖4 7種不同Al摩爾分數(shù)的AZO高阻膜樣品掃描電鏡圖。（a)5%;(b)7.5%;(c)10%;(d)12.5%;(e)15%;(f)17.5%;(g)20%。

【參考文獻】：
期刊論文
[1]快速響應(yīng)模式電極pi-cell液晶透鏡的研究[J]. 肖奇,于濤,章波,王偉郅,鞏偉興,張嘉倫.  液晶與顯示. 2019(08)
[2]低壓驅(qū)動高阻值層液晶透鏡[J]. 林堅普,林朝福,翁徐陽,張永愛,周雄圖,郭太良,嚴群.  光子學報. 2019(05)
[3]丙烯酸酯改性水性聚氨酯/納米二氧化硅復(fù)合材料的制備和性能[J]. 陳廣美,汪志坤,吳立霞,黃毅萍.  應(yīng)用化學. 2019(05)
[4]鋰離子電池負極材料碳氮包覆鈦酸鋰的制備及表征[J]. 萬露,付爭兵.  應(yīng)用化學. 2018(01)
[5]模式液晶透鏡的制備與光學成像特性研究[J]. 李東平,匡文劍,李青.  光電子技術(shù). 2014(04)
[6]Al濃度對AZO紫外探測器性能的影響[J]. 王培利,鄧宏,韋敏,李燕.  半導(dǎo)體光電. 2008(05)

碩士論文
[1]Sol-Gel法制備ZnO：Al透明導(dǎo)電膜及其光電性能研究[D]. 張鋒.哈爾濱工業(yè)大學 2009



本文編號：2969731