采用溶膠-凝膠法制備了摻雜摩爾分?jǐn)?shù)為5%～20%的Al摻雜ZnO（AZO）高電阻薄膜,采用正方形電阻法表征了薄膜的方塊電阻,采用掃描電子顯微鏡（SEM）對(duì)薄膜形貌進(jìn)行了表征,采用Nano Measurer 1.2軟件測(cè)量了薄膜晶粒的平均粒徑,采用分光光度計(jì)表征了薄膜的光譜透過(guò)率。當(dāng)Al摻雜摩爾分?jǐn)?shù)為5%～20%時(shí),方塊電阻在2～405 MΩ/之間逐漸增大,晶粒尺寸在24.35～17.53nm之間逐漸減小,可見(jiàn)光透過(guò)率可達(dá)80%左右。制備了不同Al摻雜摩爾分?jǐn)?shù)的AZO高電阻層的模式控制型液晶透鏡并研究了其光學(xué)干涉特性,摻雜摩爾分?jǐn)?shù)在10%～15%之間,AZO薄膜可滿足液晶透鏡對(duì)薄膜透明度和方塊電阻的要求。 

【文章來(lái)源】：液晶與顯示. 2020,35(10)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【部分圖文】：

模式控制型液晶透鏡結(jié)構(gòu)圖

液晶透鏡干涉特性測(cè)試裝置如圖2所示，波長(zhǎng)為520nm的平行光，經(jīng)過(guò)起偏器（與液晶透鏡摩擦方向成45°）、液晶透鏡、檢偏器（與起偏器正交）后形成的干涉圖像由500萬(wàn)像素的CMOS圖像傳感器采集獲得。3 結(jié)果與討論

在玻璃基板上制備了7種不同摩爾分?jǐn)?shù)（5%,7.5%,10%12.5%,15%,17.5%,20%）的AZO高電阻薄膜，薄膜樣品如圖3所示。圖4所示為7種樣品的掃描電鏡圖。從圖中可以看出，薄膜表面均勻平整，無(wú)明顯斷層缺陷，隨著Al摻雜摩爾分?jǐn)?shù)的增加，薄膜粒徑變小，用軟件Nano Measurer 1.2計(jì)算得出5%～20%Al摻雜的薄膜粒徑約為24.35～17.53nm，不同Al摻雜的薄膜粒徑如表1所示。這一結(jié)果與文獻(xiàn)[14]報(bào)導(dǎo)結(jié)果基本一致。圖4 7種不同Al摩爾分?jǐn)?shù)的AZO高阻膜樣品掃描電鏡圖。（a)5%;(b)7.5%;(c)10%;(d)12.5%;(e)15%;(f)17.5%;(g)20%。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號(hào)：2969731