鈦酸鍶鋇/氧化鋯復合材料制備及其性能研究
發(fā)布時間:2021-01-09 05:03
本論文以鈦酸鍶鋇的光學、介電和鐵電性能應用為出發(fā)點,制備鈦酸鍶鋇/氧化鋯復合材料,研究稀土金屬La和堿土金屬Mg摻雜對鈦酸鍶鋇粉體光致發(fā)光性能的影響,研究摻雜的鈦酸鍶鋇陶瓷與鈦酸鍶鋇/氧化鋯復合陶瓷的介電及儲能特性。論文的主要工作如下:首先,采用溶膠-凝膠法制備了鈦酸鍶鋇粉體,用液相沉淀法制備了納米氧化鋯粉體,并通過溶膠-凝膠結合液相沉淀法制備出了鈦酸鍶鋇/氧化鋯的復合粉體。其次,研究了 La摻雜對鈦酸鍶鋇粉體與鈦酸鍶鋇/氧化鋯復合粉體發(fā)光性能的影響。結果表明,采用370 nm激發(fā),La摻雜的復合粉體在405 nm、458 nm和615 nm處出現(xiàn)發(fā)光峰,發(fā)光處于白色區(qū)域。研究了 Mg摻雜對鈦酸鍶鋇粉體與鈦酸鍶鋇/氧化鋯復合粉體發(fā)光性能的影響。結果表明,Mg摻入鈦酸鍶鋇取代A位時不能引起發(fā)光行為,取代B位時在413 nm-450 nm處出現(xiàn)寬峰發(fā)射,發(fā)光處于藍色區(qū)域;Mg摻雜的鈦酸鍶鋇/氧化鋯復合粉體,采用368 nm激發(fā),在405 nm和615 nm處出現(xiàn)發(fā)光峰,發(fā)光處于白色區(qū)域。再次,在研究燒結溫度對本征鈦酸鍶鋇陶瓷與鈦酸鍶鋇/氧化鋯復合陶瓷介電性能影響的基礎之上,研究了 La摻雜...
【文章來源】:西北大學陜西省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:93 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
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納米材料的性質不僅取決于它們的化學成分和相結構,也嚴格依賴于它??們的結晶相、晶粒大小和形貌在標準大氣壓下,Zr02有三種不同的晶體結構:單斜??(m-Zr02)、正方(t-Zr02)和立方(c-Zr02),晶體配位結構示意圖如圖1-2[24]所示。??^IZ7\??Uf〇〇V\??#?Bm?^?w?gii?^?單釤相??(3?-?〇?參?一?Zr??圖1-2?Zr02的三種晶體配位結構示意圖??在立方結構當中,每個Zr4+離子與8個等距離的02_離子配位,形成Zr-08結構,單??個晶胞為立方體形狀。而在四方結構中,一個Zr4+離子也是與8個02-離子配位,形成??了?Zr-08結構,但鋯氧距離不完全相同。而單斜相的結構和配位情況與立方相和四方相??都有很大差別,鋯氧配位是Zr-07,其中四個O2?離子構成一個平面正方形,其余的三個??〇2_離子構成一個三角形,幾乎與正方形平行。因此,純Zr02若由四方相轉變?yōu)閱涡毕啵??必須有O2?離子發(fā)生位移,使鋯氧配位從Zr-08轉變?yōu)椋冢颍茫停矗。各種晶體結構的Zr〇2熱??4??
圖2-1陶瓷電容器制備流程圖??1??
【參考文獻】:
期刊論文
[1](0.94-x)Bi0.5Na0.5TiO3-x(K0.9Na0.1)NbO3-0.06BaTiO3無鉛陶瓷的結構與電儲能特性研究[J]. 洪璐,沈宗洋,李月明,王竹梅,洪燕,駱雯琴. 中國陶瓷. 2016(08)
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[3]La3+摻雜對鈦酸鋇陶瓷結構和介電性能的影響[J]. 周舟,李大光,傅維勤,張敏. 中國陶瓷. 2014(07)
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[10]La3+摻雜鈦酸鉍鈉基無鉛陶瓷的壓電性能與介電弛豫行為[J]. 王婷,杜慧玲,史翔. 硅酸鹽學報. 2009(06)
博士論文
[1]氧化鋯基功能材料的制備與性能研究[D]. 歐陽靜.中南大學 2010
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碩士論文
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[2]稀土摻雜YF3熒光粉體及鈣鈦礦鈦酸鹽多功能陶瓷的制備工藝、結構和性能研究[D]. 雷鳳英.四川師范大學 2016
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[5]多孔鈦酸鍶鋇的制備及在復合材料中的應用[D]. 戴明飛.北京化工大學 2015
[6]稀土摻雜氧化鋯納米晶的制備及發(fā)光性能研究[D]. 周單.江西理工大學 2014
[7]鈦酸鍶鋇及其稀土摻雜體系的光致發(fā)光性能研究[D]. 高永進.西北大學 2013
[8]高儲能密度鈦酸鍶鋇基陶瓷的制備、結構與性能[D]. 王楠.浙江大學 2013
[9]低溫燒結BSCT-MgO復合鐵電材料及其介電性能研究[D]. 周玉貴.天津大學 2012
[10]鈦酸鍶鋇鈣基鐵電陶瓷的介電性能研究[D]. 鄭曉斌.天津大學 2011
本文編號:2966024
【文章來源】:西北大學陜西省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:93 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-1?BST晶體結構圖??
納米材料的性質不僅取決于它們的化學成分和相結構,也嚴格依賴于它??們的結晶相、晶粒大小和形貌在標準大氣壓下,Zr02有三種不同的晶體結構:單斜??(m-Zr02)、正方(t-Zr02)和立方(c-Zr02),晶體配位結構示意圖如圖1-2[24]所示。??^IZ7\??Uf〇〇V\??#?Bm?^?w?gii?^?單釤相??(3?-?〇?參?一?Zr??圖1-2?Zr02的三種晶體配位結構示意圖??在立方結構當中,每個Zr4+離子與8個等距離的02_離子配位,形成Zr-08結構,單??個晶胞為立方體形狀。而在四方結構中,一個Zr4+離子也是與8個02-離子配位,形成??了?Zr-08結構,但鋯氧距離不完全相同。而單斜相的結構和配位情況與立方相和四方相??都有很大差別,鋯氧配位是Zr-07,其中四個O2?離子構成一個平面正方形,其余的三個??〇2_離子構成一個三角形,幾乎與正方形平行。因此,純Zr02若由四方相轉變?yōu)閱涡毕啵??必須有O2?離子發(fā)生位移,使鋯氧配位從Zr-08轉變?yōu)椋冢颍茫停矗。各種晶體結構的Zr〇2熱??4??
圖2-1陶瓷電容器制備流程圖??1??
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[4]La2O3摻雜對BZT20陶瓷介電性能的影響[J]. 李遠亮,馬雪剛,徐祥紅,曲遠方. 中國陶瓷. 2014(03)
[5]燒結溫度對鈦酸鍶鋇陶瓷性能的影響[J]. 賴振宇,呂淑珍,劉慶林. 廣州化工. 2013(10)
[6]Sol-gel derived nanocrystalline and mesoporous barium strontium titanate prepared at room temperature[J]. Mohammad Reza Mohammadi,Derek J.Fray. Particuology. 2011(03)
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[9]Mg摻雜Ba(Zr0.25Ti0.75)O3薄膜的介電調諧性能[J]. 孫小華,周生剛,李修能,吳敏. 三峽大學學報(自然科學版). 2010(04)
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博士論文
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[2]低溫燒結BST陶瓷的粉體制備及介電性能研究[D]. 李明利.天津大學 2009
[3]中溫燒結鈦酸鋇鍶基電容器陶瓷的研究[D]. 黃新友.江蘇大學 2008
碩士論文
[1]高儲能密度鈦酸鋇薄膜電容器的制備及其充放電特性研究[D]. 高逸群.山東大學 2016
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[3]放電等離子燒結法制備高儲能密度的鈦酸鍶鋇基陶瓷[D]. 邱維君.浙江大學 2016
[4](1-x)NBT-xST無鉛陶瓷的電卡效應和儲能性能[D]. 戴祥福.哈爾濱工業(yè)大學 2015
[5]多孔鈦酸鍶鋇的制備及在復合材料中的應用[D]. 戴明飛.北京化工大學 2015
[6]稀土摻雜氧化鋯納米晶的制備及發(fā)光性能研究[D]. 周單.江西理工大學 2014
[7]鈦酸鍶鋇及其稀土摻雜體系的光致發(fā)光性能研究[D]. 高永進.西北大學 2013
[8]高儲能密度鈦酸鍶鋇基陶瓷的制備、結構與性能[D]. 王楠.浙江大學 2013
[9]低溫燒結BSCT-MgO復合鐵電材料及其介電性能研究[D]. 周玉貴.天津大學 2012
[10]鈦酸鍶鋇鈣基鐵電陶瓷的介電性能研究[D]. 鄭曉斌.天津大學 2011
本文編號:2966024
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