二維過渡金屬硫化物納米材料和Ⅲ-Ⅴ族半導體納米材料具有獨特的物理特性及優(yōu)異的電學性能,因而引起世界各國專家學者的廣泛關(guān)注。本論文分別從MoS₂和InN納米材料的生長制備與測試表征、MoS₂納米材料光催化降解性能和由MoS₂/InN異質(zhì)結(jié)納米材料所構(gòu)成的檢測裝置對H₂氣體性能檢測三方面進行相應的研究,包括:（1）歸納和總結(jié)了InN納米材料和MoS₂納米材料的晶體結(jié)構(gòu)、物理基本特性和常見的一些制備方法,以及在微納半導體器件和基于異質(zhì)結(jié)器件的氣體檢測研究領(lǐng)域的應用情況。（2）在覆蓋有60 nm膠體金的Si基底上利用化學氣相沉積法（CVD）制備得到納米線、納米截角三角金字塔和納米葉三種不同形貌的InN納米材料。對三種材料的生長機理和發(fā)光特性進行詳細的研究,其中InN納米截角三角金字塔結(jié)構(gòu)具有最強發(fā)光特性,預示著其可能在光學領(lǐng)域具有很好的應用前景。（3）利用化學氣相沉積法生長MoS₂納米材料,得到三角、四角、六角三種MoS₂納米片層結(jié)構(gòu)材料。經(jīng)... 

【文章來源】：西南科技大學四川省

【文章頁數(shù)】：87 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1. 緒論
    1.1 納米材料進展概述
        1.1.1 InN材料簡介
2材料簡介">        1.1.2 MoS₂材料簡介
        1.1.3 常規(guī)制備納米材料的方法
    1.2 異質(zhì)結(jié)半導體納米材料的研究現(xiàn)狀及應用
        1.2.1 基于Ⅲ-Ⅴ族異質(zhì)結(jié)材料的研究進展
        1.2.2 基于二維TMDs異質(zhì)結(jié)材料的研究進展
        1.2.3 異質(zhì)結(jié)半導體納米材料的應用
2檢測研究現(xiàn)狀">    1.3 基于異質(zhì)結(jié)材料的H₂檢測研究現(xiàn)狀
    1.4 本論文的研究意義、目標及內(nèi)容
        1.4.1 課題研究意義
        1.4.2 課題研究目標
        1.4.3 課題研究內(nèi)容
2. InN納米材料的生長機理及光學性能研究
    2.1 實驗儀器、材料與試劑
    2.2 InN納米材料的生長
        2.2.1 InN納米材料的沉積裝置
        2.2.2 InN納米材料的沉積過程
    2.3 結(jié)果與討論
        2.3.1 InN納米線的表征分析
        2.3.2 InN納米葉的表征分析
        2.3.3 InN納米截角三角金字塔的表征分析
        2.3.4 InN納米結(jié)構(gòu)的生長機理研究
        2.3.5 三種InN納米結(jié)構(gòu)材料的光學性能研究
    2.4 本章小結(jié)
2納米材料的制備及光催化性能研究">3. MoS₂納米材料的制備及光催化性能研究
    3.1 實驗儀器、材料與試劑
2納米材料的生長">    3.2 MoS₂納米材料的生長
2納米材料的制備裝置">        3.2.1 MoS₂納米材料的制備裝置
2納米材料的沉積過程">        3.2.2 MoS₂納米材料的沉積過程
    3.3 結(jié)果與討論
2納米片的表征分析">        3.3.1 四角MoS₂納米片的表征分析
2納米片的表征分析">        3.3.2 六角MoS₂納米片的表征分析
2納米片的表征分析">        3.3.3 三角MoS₂納米片的表征分析
2納米材料的光催化性能研究">        3.3.4 MoS₂納米材料的光催化性能研究
    3.4 本章小結(jié)
2/InN異質(zhì)結(jié)材料的H₂檢測器的制備及電學性能研究">4. 基于MoS₂/InN異質(zhì)結(jié)材料的H₂檢測器的制備及電學性能研究
    4.1 實驗儀器、材料與試劑
2/InN納米材料的制備">    4.2 異質(zhì)結(jié)MoS₂/InN納米材料的制備
2/InN納米材料的結(jié)果分析">    4.3 異質(zhì)結(jié)MoS₂/InN納米材料的結(jié)果分析
2/InN異質(zhì)結(jié)為基元的H₂檢測器的制備及電學性能表征">    4.4 以MoS₂/InN異質(zhì)結(jié)為基元的H₂檢測器的制備及電學性能表征
2/InN異質(zhì)結(jié)材料的氣體檢測裝置設(shè)計">        4.4.1 基于MoS₂/InN異質(zhì)結(jié)材料的氣體檢測裝置設(shè)計
2/InN異質(zhì)結(jié)材料氣體檢測裝置的電學特性測試分析">        4.4.2 基于MoS₂/InN異質(zhì)結(jié)材料氣體檢測裝置的電學特性測試分析
2/InN異質(zhì)結(jié)材料氣體檢測機理研究">        4.4.3 基于MoS₂/InN異質(zhì)結(jié)材料氣體檢測機理研究
    4.5 本章小結(jié)
結(jié)論
致謝
參考文獻
攻讀碩士學位期間發(fā)表的學術(shù)論文及研究成果


【參考文獻】：
期刊論文
[1]InN的光致發(fā)光特性研究[J]. 王健,謝自力,張榮,張韻,劉斌,陳鵬,韓平.  物理學報. 2013(11)
[2]納米材料的研究進展[J]. 張建夫,任凱,莊保東.  周口師范學院學報. 2011(02)
[3]銦摻雜氧化鋅納米線的制備及光致發(fā)光特性[J]. 劉炳勝,韓仁學.  硅酸鹽學報. 2010(02)
[4]抗腫瘤光催化氧化劑納米TiO2的研究進展[J]. 黃金樵,程金妹,林昶.  山東大學耳鼻喉眼學報. 2008(05)
[5]半導體ZnO單晶生長的技術(shù)進展[J]. 李新華,徐家躍.  功能材料. 2005(05)
[6]InN材料及其應用[J]. 謝自力,張榮,畢朝霞,劉斌,修向前,顧書林,江若璉,韓平,朱順明,沈波,施毅,鄭有炓.  微納電子技術(shù). 2004(12)
[7]水熱法制備高度取向的氧化鋅納米棒陣列[J]. 郭敏,刁鵬,蔡生民.  高等學校化學學報. 2004(02)
[8]納米晶體材料的研究現(xiàn)狀[J]. 盧柯,周飛.  金屬學報. 1997(01)

碩士論文
[1]電沉積法制備納米材料脈沖電源研制[D]. 譚俊.中南民族大學 2013
[2]一維氮化銦半導體納米材料的合成與物性研究[D]. 黃大海.吉林大學 2012
[3]ZnO一維納米結(jié)構(gòu)的制備及其pH傳感特性的研究[D]. 付瑩.長春理工大學 2011
[4]GaSb基量子阱激光器材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計與特性表征[D]. 杜瀚洋.長春理工大學 2008



本文編號：2953339