二維過渡金屬硫化物納米材料和Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體納米材料具有獨(dú)特的物理特性及優(yōu)異的電學(xué)性能,因而引起世界各國專家學(xué)者的廣泛關(guān)注。本論文分別從MoS₂和InN納米材料的生長制備與測試表征、MoS₂納米材料光催化降解性能和由MoS₂/InN異質(zhì)結(jié)納米材料所構(gòu)成的檢測裝置對H₂氣體性能檢測三方面進(jìn)行相應(yīng)的研究,包括:（1）歸納和總結(jié)了InN納米材料和MoS₂納米材料的晶體結(jié)構(gòu)、物理基本特性和常見的一些制備方法,以及在微納半導(dǎo)體器件和基于異質(zhì)結(jié)器件的氣體檢測研究領(lǐng)域的應(yīng)用情況。（2）在覆蓋有60 nm膠體金的Si基底上利用化學(xué)氣相沉積法（CVD）制備得到納米線、納米截角三角金字塔和納米葉三種不同形貌的InN納米材料。對三種材料的生長機(jī)理和發(fā)光特性進(jìn)行詳細(xì)的研究,其中InN納米截角三角金字塔結(jié)構(gòu)具有最強(qiáng)發(fā)光特性,預(yù)示著其可能在光學(xué)領(lǐng)域具有很好的應(yīng)用前景。（3）利用化學(xué)氣相沉積法生長MoS₂納米材料,得到三角、四角、六角三種MoS₂納米片層結(jié)構(gòu)材料。經(jīng)... 

【文章來源】：西南科技大學(xué)四川省

【文章頁數(shù)】：87 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1. 緒論
    1.1 納米材料進(jìn)展概述
        1.1.1 InN材料簡介
2材料簡介">        1.1.2 MoS₂材料簡介
        1.1.3 常規(guī)制備納米材料的方法
    1.2 異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體納米材料的研究現(xiàn)狀及應(yīng)用
        1.2.1 基于Ⅲ-Ⅴ族異質(zhì)結(jié)材料的研究進(jìn)展
        1.2.2 基于二維TMDs異質(zhì)結(jié)材料的研究進(jìn)展
        1.2.3 異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體納米材料的應(yīng)用
2檢測研究現(xiàn)狀">    1.3 基于異質(zhì)結(jié)材料的H₂檢測研究現(xiàn)狀
    1.4 本論文的研究意義、目標(biāo)及內(nèi)容
        1.4.1 課題研究意義
        1.4.2 課題研究目標(biāo)
        1.4.3 課題研究內(nèi)容
2. InN納米材料的生長機(jī)理及光學(xué)性能研究
    2.1 實(shí)驗(yàn)儀器、材料與試劑
    2.2 InN納米材料的生長
        2.2.1 InN納米材料的沉積裝置
        2.2.2 InN納米材料的沉積過程
    2.3 結(jié)果與討論
        2.3.1 InN納米線的表征分析
        2.3.2 InN納米葉的表征分析
        2.3.3 InN納米截角三角金字塔的表征分析
        2.3.4 InN納米結(jié)構(gòu)的生長機(jī)理研究
        2.3.5 三種InN納米結(jié)構(gòu)材料的光學(xué)性能研究
    2.4 本章小結(jié)
2納米材料的制備及光催化性能研究">3. MoS₂納米材料的制備及光催化性能研究
    3.1 實(shí)驗(yàn)儀器、材料與試劑
2納米材料的生長">    3.2 MoS₂納米材料的生長
2納米材料的制備裝置">        3.2.1 MoS₂納米材料的制備裝置
2納米材料的沉積過程">        3.2.2 MoS₂納米材料的沉積過程
    3.3 結(jié)果與討論
2納米片的表征分析">        3.3.1 四角MoS₂納米片的表征分析
2納米片的表征分析">        3.3.2 六角MoS₂納米片的表征分析
2納米片的表征分析">        3.3.3 三角MoS₂納米片的表征分析
2納米材料的光催化性能研究">        3.3.4 MoS₂納米材料的光催化性能研究
    3.4 本章小結(jié)
2/InN異質(zhì)結(jié)材料的H₂檢測器的制備及電學(xué)性能研究">4. 基于MoS₂/InN異質(zhì)結(jié)材料的H₂檢測器的制備及電學(xué)性能研究
    4.1 實(shí)驗(yàn)儀器、材料與試劑
2/InN納米材料的制備">    4.2 異質(zhì)結(jié)MoS₂/InN納米材料的制備
2/InN納米材料的結(jié)果分析">    4.3 異質(zhì)結(jié)MoS₂/InN納米材料的結(jié)果分析
2/InN異質(zhì)結(jié)為基元的H₂檢測器的制備及電學(xué)性能表征">    4.4 以MoS₂/InN異質(zhì)結(jié)為基元的H₂檢測器的制備及電學(xué)性能表征
2/InN異質(zhì)結(jié)材料的氣體檢測裝置設(shè)計(jì)">        4.4.1 基于MoS₂/InN異質(zhì)結(jié)材料的氣體檢測裝置設(shè)計(jì)
2/InN異質(zhì)結(jié)材料氣體檢測裝置的電學(xué)特性測試分析">        4.4.2 基于MoS₂/InN異質(zhì)結(jié)材料氣體檢測裝置的電學(xué)特性測試分析
2/InN異質(zhì)結(jié)材料氣體檢測機(jī)理研究">        4.4.3 基于MoS₂/InN異質(zhì)結(jié)材料氣體檢測機(jī)理研究
    4.5 本章小結(jié)
結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文及研究成果


【參考文獻(xiàn)】：
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[5]半導(dǎo)體ZnO單晶生長的技術(shù)進(jìn)展[J]. 李新華,徐家躍.  功能材料. 2005(05)
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碩士論文
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[3]ZnO一維納米結(jié)構(gòu)的制備及其pH傳感特性的研究[D]. 付瑩.長春理工大學(xué) 2011
[4]GaSb基量子阱激光器材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與特性表征[D]. 杜瀚洋.長春理工大學(xué) 2008



本文編號：2953339