二硫化鉬（MoS₂）具有與石墨烯類似的層狀結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)特性,在光電器件和能量存儲(chǔ)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。以MoS₂靶材和硫粉作為原料,采用磁控濺射結(jié)合硫化法制備出少層MoS₂薄膜。采用X射線衍射（XRD）、原子力顯微鏡（AFM）、掃描電子顯微鏡（SEM）、紫外-可見分光光度計(jì)（UV-Vis）、拉曼光譜和X射線光電子能譜（XPS）等對(duì)樣品的形貌、結(jié)構(gòu)與光譜特性進(jìn)行了表征。結(jié)果表明,制備的MoS₂薄膜具有4層結(jié)構(gòu)特征,表面均勻;硫化可提高M(jìn)oS₂薄膜的純度,獲得高品質(zhì)薄膜,改善其性能,硫化后的MoS₂薄膜為2H-MoS₂晶體結(jié)構(gòu)。 

【文章來源】：半導(dǎo)體技術(shù). 2020年09期 北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

MoS2薄膜的XRD譜

圖2(a)為在Si襯底上制備的MoS2薄膜(濺射時(shí)間為400 s)的AFM圖,圖2(c)為圖2(a)的3D圖,掃描范圍為5 μm×5 μm,結(jié)果表明薄膜表面平整。圖2(b)(掃描范圍為1.5 μm×1.5 μm)為放大的AFM圖,圖2(d)為圖2(b)的3D圖。由圖2可知,薄膜具有均勻光滑的表面,均方粗糙度小于0.9 nm,圖2(a)中薄膜厚度約為7.49 nm,無臺(tái)階和空隙。圖3(a)為Si襯底上制備的MoS2薄膜樣品的SEM圖,圖中可見一些大小相近的圓點(diǎn)(直徑約為50 nm),為分布均勻的MoS2團(tuán)聚晶粒。MoS2層很致密,表面沒有針孔、裂縫和空隙。圖3(b)為MoS2薄膜的EDS譜,圖中E為能量,IEDS為光子數(shù),x為原子數(shù)分?jǐn)?shù),w為質(zhì)量分?jǐn)?shù)。由圖3可見,所制備的樣品含有Si、Mo和S原子,其中Mo和S原子數(shù)分?jǐn)?shù)分別為33.27%和66.73%,二者比例約為1∶2。Si原子峰為襯底的EDS峰,由于樣品中Si含量遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于Mo和S,因此其峰值較高。

圖3(a)為Si襯底上制備的MoS2薄膜樣品的SEM圖,圖中可見一些大小相近的圓點(diǎn)(直徑約為50 nm),為分布均勻的MoS2團(tuán)聚晶粒。MoS2層很致密,表面沒有針孔、裂縫和空隙。圖3(b)為MoS2薄膜的EDS譜,圖中E為能量,IEDS為光子數(shù),x為原子數(shù)分?jǐn)?shù),w為質(zhì)量分?jǐn)?shù)。由圖3可見,所制備的樣品含有Si、Mo和S原子,其中Mo和S原子數(shù)分?jǐn)?shù)分別為33.27%和66.73%,二者比例約為1∶2。Si原子峰為襯底的EDS峰,由于樣品中Si含量遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于Mo和S,因此其峰值較高。2.2 拉曼光譜分析

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Layered MoS2@graphene functionalized with nitrogen-doped graphene quantum dots as an enhanced electrochemical hydrogen evolution catalyst[J]. Lina Wang,Sen Sun,Yan Wang,Xiaoling Chen,Kangning Zhang,Dongxia Zhang,Zhonghua Xue,Xibin Zhou.  Chinese Chemical Letters. 2019(06)
[2]高質(zhì)量單層二硫化鉬薄膜的研究進(jìn)展[J]. 魏爭(zhēng),王琴琴,郭玉拓,李佳蔚,時(shí)東霞,張廣宇.  物理學(xué)報(bào). 2018(12)
[3]新穎半導(dǎo)體二硫化鉬[J]. 袁明文.  半導(dǎo)體技術(shù). 2013(03)



本文編號(hào)：2952037