采用反應(yīng)熔滲法將熔融Si滲入C/C多孔體中制備了C/SiC復(fù)合材料。研究了包埋式布硅對(duì)C/C多孔體不同位置毛細(xì)吸附行為的影響以及對(duì)制備C/SiC復(fù)合材料密度的影響。反應(yīng)熔滲制備的C/SiC復(fù)合材料內(nèi)部存在殘余的游離硅,經(jīng)過(guò)除硅處理后游離硅顯著減少,但其致密化程度有所降低,同時(shí)其抗彎曲強(qiáng)度明顯下降。 

【文章來(lái)源】：稀有金屬材料與工程. 2020年10期 北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【文章目錄】：
1 Experiment
2 Results and Discussion
    2.1 Effect of silicon location on density of C/Si C material prepared by reactive melting infiltration
    2.2 Microstructure and phase composition of C/Si C material prepared by RMI
    2.3 Bending properties of C/Si C composites prepared by RMI
3 Conclusions



本文編號(hào)：2948280