脈沖激光沉積Sb 2 (S,Se) 3 薄膜及其光伏性能研究
發(fā)布時(shí)間:2020-12-21 16:21
金屬硫?qū)倩衔锇雽?dǎo)體材料由于其具有良好的穩(wěn)定性、所含元素儲(chǔ)量豐富等優(yōu)點(diǎn)在光伏器件的應(yīng)用中廣受關(guān)注。其中,Sb2(S,Se)3具有可調(diào)帶隙、高吸收系數(shù)、高穩(wěn)定性以及無(wú)毒等特點(diǎn),使得該類電池有著光明的商業(yè)化前景。根據(jù)Shockley-Queisser極限,硒硫化銻基太陽(yáng)能電池的理論光電轉(zhuǎn)換效率可達(dá)32%。此外,硒硫化銻載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的范圍在幾百個(gè)納米之間,保證了其既可應(yīng)用于敏化型結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池,也可應(yīng)用于平面異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池。這些研究表明硒硫化銻有著良好的應(yīng)用前景。目前Sb2S3、Sb2Se3和Sb2(SxSe1-x)3作為光吸收材料的太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別達(dá)到7.5%、9.2%和6.63%。但與成熟的太陽(yáng)能技術(shù),其效率還需待進(jìn)一步提高。脈沖激光沉積(PLD)作為一種簡(jiǎn)單而通用的技術(shù),已被廣泛應(yīng)用于金屬、氧化物、聚合物等多種薄膜材料的生長(zhǎng)。這種沉積技術(shù)可以生長(zhǎng)出與靶材成分近乎一致的多元化合物高質(zhì)量薄膜,并提供了通過(guò)控制前驅(qū)體材料成分來(lái)調(diào)節(jié)薄膜成分的可能性。本課題一方面通過(guò)發(fā)展新的物理氣相法用于沉積得到高純度、高結(jié)晶性的Sb2S3薄膜;另一方面通過(guò)原位硒化調(diào)整帶隙,提高薄膜在長(zhǎng)波段的吸...
【文章來(lái)源】:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:58 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1?P-N結(jié)示意圖??
1.2.2太陽(yáng)能電池的性能參數(shù)??理想的太陽(yáng)能電池電路可由一個(gè)電流源和一個(gè)并聯(lián)的二極管串聯(lián)表示。然而??基于P-N結(jié)原理的太陽(yáng)能電池,在器件制備的過(guò)程中考慮到材料缺陷的存在和??制備工藝的限制等不可控因素,在分析實(shí)際太陽(yáng)能電池的輸出特性時(shí),要在上述??基礎(chǔ)上引入串聯(lián)電阻(Rs)和并聯(lián)電阻(RSh)。串聯(lián)電阻主要由電極和半導(dǎo)體本??身電阻以及各功能層之間的接觸電阻這三部分構(gòu)成。而并聯(lián)電阻的大小主要由太??陽(yáng)能電池邊緣漏電和載流子復(fù)合損失造成的。實(shí)際情況下太陽(yáng)能電池的等效電路??圖如圖1.2所示:?????1?1?>??R,?I??、,1。?I????¥??圖1.2實(shí)際情況下太陽(yáng)能電池的等效電路圖??其伏安特性表達(dá)式為:??/?=?/L?-?/〇?(exp?-?x)?式(1.1)??其中,It為電流源電流,Io為二極管反向飽和電流,V是二極管兩端的電壓,??q為電荷量,A為二極管理想因子,KB為玻爾茲曼常數(shù),T為絕對(duì)溫度。根據(jù)伏??安特性表達(dá)式可知,太陽(yáng)能電池的串聯(lián)電阻越小,并聯(lián)電阻越大,其性能就越接??近理想的太陽(yáng)能電池。??在研宄太陽(yáng)能電池的過(guò)程中,需要特別關(guān)注開(kāi)路電壓(Voc)、短路電流(Isc)、??填充因子(FF)、量子效率(QE)和光電轉(zhuǎn)換效率等參數(shù)。??1.開(kāi)路電壓(V。。):在沒(méi)有外接負(fù)載的情況下,即外電流大小為0時(shí)的輸出??電壓。式1.2為開(kāi)路電壓的表達(dá)式:??l/〇c?=?-^ln(l+^)?式(1.2)??q?'〇??由該公式可知,開(kāi)路電壓主要由光生電流和二極管反向飽和電流決定。??2.短路電流(Isc):當(dāng)外接負(fù)載電阻為〇,即外電路短路時(shí)得到的最大輸出??電流,稱作短路電流
ncies??521?1 ̄I??Hf?一?‘??4〇?-?__??36?■?ISE,?i茲SSE?二?納.:?T???5"??I:;j,??-二&??〇{?t?Cr^it?t?I?i?i?a?)?I?)?i?i?;?1?)?:?I?i?1?i?i?i?r?I???i?!?i?i?i?i?i?i?!?i?i?t???I?i?i?i?i?I?i?i??1875?1980?1985?1990?1995?2000?2006?2010?2C15?2020??圖1.3各類太陽(yáng)能電池發(fā)展歷程及光電轉(zhuǎn)換效率匯總[4]??第一類,硅基太陽(yáng)能電池。硅基太陽(yáng)能電池具備合適的禁帶寬度、豐富的元??素儲(chǔ)量和無(wú)毒等特性。而且硅基太陽(yáng)能電池發(fā)展時(shí)間最長(zhǎng),技術(shù)上相比于其他電??池更加成熟和穩(wěn)定,導(dǎo)致其市場(chǎng)認(rèn)可度最高,占據(jù)全球超過(guò)90%以上的光電市常??根據(jù)硅的結(jié)晶狀態(tài),通常又可分為單晶硅、多晶硅和非晶硅。其中的單晶硅太陽(yáng)??能電池在美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的Chapin等人的努力下于1954年被制備出來(lái)。早在??4??
本文編號(hào):2930127
【文章來(lái)源】:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:58 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1?P-N結(jié)示意圖??
1.2.2太陽(yáng)能電池的性能參數(shù)??理想的太陽(yáng)能電池電路可由一個(gè)電流源和一個(gè)并聯(lián)的二極管串聯(lián)表示。然而??基于P-N結(jié)原理的太陽(yáng)能電池,在器件制備的過(guò)程中考慮到材料缺陷的存在和??制備工藝的限制等不可控因素,在分析實(shí)際太陽(yáng)能電池的輸出特性時(shí),要在上述??基礎(chǔ)上引入串聯(lián)電阻(Rs)和并聯(lián)電阻(RSh)。串聯(lián)電阻主要由電極和半導(dǎo)體本??身電阻以及各功能層之間的接觸電阻這三部分構(gòu)成。而并聯(lián)電阻的大小主要由太??陽(yáng)能電池邊緣漏電和載流子復(fù)合損失造成的。實(shí)際情況下太陽(yáng)能電池的等效電路??圖如圖1.2所示:?????1?1?>??R,?I??、,1。?I????¥??圖1.2實(shí)際情況下太陽(yáng)能電池的等效電路圖??其伏安特性表達(dá)式為:??/?=?/L?-?/〇?(exp?-?x)?式(1.1)??其中,It為電流源電流,Io為二極管反向飽和電流,V是二極管兩端的電壓,??q為電荷量,A為二極管理想因子,KB為玻爾茲曼常數(shù),T為絕對(duì)溫度。根據(jù)伏??安特性表達(dá)式可知,太陽(yáng)能電池的串聯(lián)電阻越小,并聯(lián)電阻越大,其性能就越接??近理想的太陽(yáng)能電池。??在研宄太陽(yáng)能電池的過(guò)程中,需要特別關(guān)注開(kāi)路電壓(Voc)、短路電流(Isc)、??填充因子(FF)、量子效率(QE)和光電轉(zhuǎn)換效率等參數(shù)。??1.開(kāi)路電壓(V。。):在沒(méi)有外接負(fù)載的情況下,即外電流大小為0時(shí)的輸出??電壓。式1.2為開(kāi)路電壓的表達(dá)式:??l/〇c?=?-^ln(l+^)?式(1.2)??q?'〇??由該公式可知,開(kāi)路電壓主要由光生電流和二極管反向飽和電流決定。??2.短路電流(Isc):當(dāng)外接負(fù)載電阻為〇,即外電路短路時(shí)得到的最大輸出??電流,稱作短路電流
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本文編號(hào):2930127
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