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PIP法制備SiC納米線增強SiC_f/SiC復(fù)合材料及其力學(xué)性能

發(fā)布時間:2020-12-21 15:27
  利用化學(xué)氣相沉積法原位生長Si C納米線,制備出Si C納米線增強Si Cf/Si C復(fù)合材料。研究了Si C納米線及Si C納米線/基體熱解碳界面調(diào)控對復(fù)合材料的力學(xué)性能、裂紋擴展行為、纖維與基體之間的結(jié)合強度的作用。研究表明:Si C納米線的引入能顯著提高復(fù)合材料的致密化效果。通過調(diào)控Si C納米線/基體的界面厚度,可顯著提高復(fù)合材料的力學(xué)性能。Si C納米線的引入提高了纖維/基體的界面結(jié)合強度,而Si C納米線表面熱解碳的引入可改善纖維/基體的界面結(jié)合強度。此外,碳化硅納米線及其界面調(diào)控,能有效優(yōu)化基體的微區(qū)力學(xué)行為及斷裂模式。 

【文章來源】:硅酸鹽學(xué)報. 2016年10期 北大核心

【文章頁數(shù)】:6 頁

【文章目錄】:
1 實驗
    1.1 Si CNWs/Si C纖維多級增強體制備
    1.2 樣品制備
    1.3 性能表征
2 結(jié)果與討論
    2.1 Si CNWs/Si C纖維多級增強體結(jié)構(gòu)
    2.2 復(fù)合材料的力學(xué)性能
3 結(jié)論



本文編號:2930060

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