二元硫族化物A₂B₃（A=Al,Ga,In;B=S,Se,Te）和三元硫?qū)倩顰B₂C₄（A=Ca,Mg,Zn,Cd;B=Al,Ga,In;C=S,Se,Te）由于其合適的禁帶寬度,獨特的光學(xué)和電學(xué)特性以及良好的催化性而受到人們的廣泛關(guān)注。在這些化合物中,In₂S₃和CdIn₂S₄引起了相當(dāng)大的關(guān)注,它們表現(xiàn)出很好的光電化學(xué)性能是非常有潛力的可見光催化材料,本論文主要分為兩部分工作內(nèi)容:1.通過兩步化學(xué)方法制備了In₂S₃/TiO₂/Si復(fù)合薄膜。首先利用金屬輔助化學(xué)刻蝕法制備了形貌均勻的Si納米棒陣列,然后通過噴霧熱解法在Si納米棒陣列表面噴涂了一層很薄的TiO₂保護層,接著以TiO₂/Si納米棒陣列為基礎(chǔ),以InCl₃和Na₂S為銦源和硫源利用連續(xù)離子層吸附... 

【文章來源】：渤海大學(xué)遼寧省

【文章頁數(shù)】：57 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

In2S3空心微球可能的形成機理[23]

化銦為銦源制備出了三維形貌的花狀 β-In2S3納米微球，通過改變?nèi)軇┲幸掖己退w積比可以改變 In2S3的形貌，提出并討論了形態(tài)的形成機制如圖 1-2 所示，此外由于較高的比表面積和良好的光學(xué)性質(zhì)，三維花狀 β-In2S3微球?qū)谆鹊慕到獗沓鲚^高的可見光光催化活性。

一個立方晶胞分別由8個鎘原子，16個銦原子和32個硫原子組成，其晶格常數(shù)為10.84 ，如圖 1-3 所示。CdIn2S4是一種 n 型直接帶隙半導(dǎo)體，禁帶寬度范圍在 2.1~2.7 eV，在可見光范圍內(nèi)有較強的光吸收，在光電化學(xué)領(lǐng)域有很好的應(yīng)用前景。作為納米結(jié)構(gòu)硫?qū)倩锇雽?dǎo)體，由于其獨特的光電特性，光化學(xué)穩(wěn)定性和催化活性，CdIn2S4是一種非常有發(fā)現(xiàn)前景的光催化材料[39-40]，在光催化領(lǐng)域受到了人們的廣泛關(guān)注。


本文編號：2922999