本文采用一步電沉積法在N摻雜石墨烯納米管（N-GNTs）上直接生長(zhǎng)NiCoSe₂/Ni₃Se₂片層狀陣列（NiCoSe₂/Ni₃Se₂-LAs）,并將其作為非對(duì)稱超級(jí)電容器的正極材料.由于活性材料和骨架之間的協(xié)同作用,在電流密度為1 A g^-1的情況下,構(gòu)建出的N-GNTs@NiCoSe₂/Ni₃Se₂-LAs呈現(xiàn)出約1308 F g^-1的質(zhì)量比電容.更重要的是,此復(fù)合電極材料還顯示出優(yōu)異的倍率性能(100 A g^-1下的比電容約為1000 F g^-1)和超長(zhǎng)的循環(huán)穩(wěn)定性（10000次循環(huán)后其比電容仍保持為原比電容的～103.2%）.此外,以N-GNTs@NiCoSe₂/Ni₃Se₂-LAs和活性炭（AC）分別為正極和負(fù)極組裝了一種非對(duì)稱的... 

【文章來(lái)源】：Science China Materials. 2020年02期

【文章頁(yè)數(shù)】：11 頁(yè)

【文章目錄】：
INTRODUCTION
EXPERIMENTAL SECTION
    Chemicals and materials
    Preparation of N-GNTs
    Fabrication of the N-GNTs@NiCoSe2/Ni3Se2LAs electrode materials
    Assembly of asymmetric supercapacitor
    Characterizations
    Electrochemical measurements
RESULTS AND DISCUSSION
CONCLUSIONS



本文編號(hào)：2922242