鈣鈦礦是直接帶隙的半導體材料,在可見光范圍內(nèi)具有高的吸收系數(shù)。鈣鈦礦作為太陽能電池（PSC）的功能層材料,具有很大的應用潛力,其能量轉(zhuǎn)換效率從2009年的3.8%提高到2017年的22.1%。鈣鈦礦材料還具有載流子擴散距離長、帶隙可調(diào)控、載流子壽命長、制備工藝簡單等優(yōu)點,除應用在鈣鈦礦太陽能電池以外,也可廣泛應用于鈣鈦礦發(fā)光二極管（LED）、鈣鈦礦微激光器（Microlaser）、鈣鈦礦光電探測器（Photodetector）以及光學增益的超表面（Metasurface）等。目前,有機-無機雜化鈣鈦礦材料已經(jīng)有了廣泛和深入的研究,但由于其熱穩(wěn)定性差、遇水結(jié)構(gòu)易破壞等特點,本文主要研究無機鈣鈦礦單晶的制備、光電性能和鈣鈦礦薄膜的光學結(jié)構(gòu)。本文分析了影響無機鈣鈦礦單晶的制備條件,提出改變不良溶劑二氯甲烷（CH₂Cl₂）的揮發(fā)方向和生長環(huán)境的壓力,避免鈣鈦礦單晶從溶液中快速過飽和析出,減緩鈣鈦礦單晶生長速度,利用改進的一步溶液法制備出高質(zhì)量的無機鈣鈦礦（CsPbBr₃）單晶,用原子力顯微鏡（AFM）測試其粗糙度只有1.02 n... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：61 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

鈣鈦礦材料的結(jié)構(gòu)

1-4 a）全無機鈣鈦礦薄膜 LED 結(jié)構(gòu)；b）工藝改進前全無機鈣鈦礦薄膜形貌（SE和 LED 發(fā)光圖；c）工藝改進后全無機鈣鈦礦薄膜形貌（SEM）和 LED 發(fā)光圖[24.3.3 鈣鈦礦微激光器自從 20 世紀中葉半導體固體激光器發(fā)明以來，激光已經(jīng)成為我們?nèi)粘Ｖ袩o處不在的一部分。溶液法制備增益介質(zhì)（例如：有機聚合物和膠體點）提供了低成本、可持續(xù)生產(chǎn)、適用于柔性和可穿戴光電子器件的優(yōu)入這一領域進的新材料是金屬鹵化物鈣鈦礦。早在 2014 年，實現(xiàn)了多晶

哈爾濱工業(yè)大學工學碩士學位論文保低閾值泵浦的平面內(nèi)激光有足夠的增益和有效的光反饋，報道的品質(zhì)因子大約為 1300。這些平面的鈣鈦礦微盤也可以很容易地轉(zhuǎn)移到導電基底上，如Si、Au、ITO 等，適合芯片集成。如圖 1-5 a）是六邊形鈣鈦礦單晶微盤發(fā)光模式示意圖，為回音壁模式（WGM），1-5 b）是其近紅外激光譜。

【參考文獻】：
期刊論文
[1]鈣鈦礦（ABX3）型結(jié)構(gòu)畸變的幾何描述及其應用[J]. 秦善,王汝成.  地質(zhì)學報. 2004(03)

博士論文
[1]CH3NH3PbI3成膜行為調(diào)控及對鈣鈦礦太陽能電池性能影響機制研究[D]. 陳鵬.東北師范大學 2016



本文編號：2916713