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MgO過渡層定向生長研究

發(fā)布時間:2020-12-11 13:03
  表面熱流的準確測量對傳感器響應速度和靈敏度有比較高的要求,原子層熱電堆(ALT)薄膜傳感器具有顯著的優(yōu)勢。但現(xiàn)有的ALT基于單晶基底,存在難以安裝、形變有限和厚度帶來較大測量誤差的問題。制作厚度薄、柔性高、導熱性好的ALT傳感器,特別是在被測件表面制備集成的ALT傳感器的技術(shù),將為復雜外形表面的熱流測試提供全新的技術(shù)手段。解決問題的關(guān)鍵是在超薄柔性多晶或非晶基底上制備ALT薄膜傳感器。本文致力于通過離子束輔助沉積(IBAD)和傾斜基底沉積(ISD)制備MgO過渡層在柔性金屬基帶實現(xiàn)ALT薄膜的技術(shù)。主要研究內(nèi)容如下:通過溶液涂敷平整化(SDP)—IBAD—功能層制備過程在70μm厚的金屬基帶上實現(xiàn)ALT薄膜:SDP-Y2O3處理基底Hastelloy C267使表面粗糙度均方根RMS下降到2 nm以下。然后在IBAD-MgO實驗中通過改變離子入射和源入射角在非晶Y2O3薄膜上獲得具有c軸傾斜結(jié)構(gòu)的MgO薄膜。自外延MgO后沉積的YBCO功能層樣品具有熱電各向異性。IBAD實驗中離子能量,離子束流,電... 

【文章來源】:電子科技大學四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:64 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

MgO過渡層定向生長研究


三明治結(jié)構(gòu)熱流傳感器結(jié)構(gòu)示意圖[6]

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電子科技大學碩士學位論文21986年,Hayashi等人[2]利以SiO2作為絕熱層,如圖1-1在絕熱層上下表面再鍍Ni薄膜作為熱電阻,具有600Hz頻率響應,靈敏度21μV/(W/cm2)。圖1-1絕熱型熱流傳感器結(jié)構(gòu)示意圖[6]1991年Hager等人[6]制備出了三層結(jié)構(gòu)的薄膜熱流傳感器,如圖1-2[6]在絕緣基底上,三層結(jié)構(gòu)的底層是Cu和Ni構(gòu)成的熱電偶級聯(lián),中間是SiO2絕熱層,頂層與頂層相同,總厚度2μm左右。該薄膜熱流傳感器響應快,但是由于絕熱層太薄,頂層和底層的溫差太小,因此設置多對熱電偶級聯(lián)來增大信號輸出,提高測試的精度。熱流傳感器的靈敏度為59.4μV/(W/cm2),最大頻率響應超過50kHz。圖1-2三明治結(jié)構(gòu)熱流傳感器結(jié)構(gòu)示意圖[6]1992年,NASA的Lewis研究中心的Will等人[7]研究了一種由分別沉積在絕熱層上下表面的20對PtRh-Pt熱電偶級聯(lián)組成的薄膜熱流傳感器,如圖1-3為所示。該熱流傳感器在1000oC的高溫爐內(nèi)能產(chǎn)生28μV的熱電勢。

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第一章緒論3圖1-3熱電堆式薄膜熱流傳感器[7]Fralick等人[9]研究了兩種絕熱型熱流傳感器。如圖1-4,在Al2O3基片一面或兩面沉積四個Pt電阻陣列組成的Wheatstone橋,單面薄膜熱流傳感器使用5μm厚SiO2絕熱層靈敏度68μV/(W/cm2),響應時間7μs,相當于頻率響應23kHz;雙面薄膜熱流傳感器靈敏度528μV/(W/cm2),響應時間270μs,相當于頻率響應589Hz。圖1-4Wheatstone橋式薄膜熱流傳感器[9]:(a)單面薄膜;(b)雙面薄膜(b)(a)

【參考文獻】:
期刊論文
[1][(SrTiO3)n/(SrTi0.8Nb0.2O3)m]20/LaAlO3超晶格的制備及其激光感生熱電電壓效應[J]. 秦毅,張輝,談松林,劉婷,張鵬翔.  物理學報. 2009(05)
[2]YBa2Cu3O7-δ/La0.6Pb0.4MnO3多層膜的制備及激光感生熱電電壓效應的研究[J]. 謝禮蘭,張輝,朱心昆,談松林,張鵬翔.  低溫物理學報. 2007(02)

博士論文
[1]基于IBAD路線制備YBCO超導帶材緩沖層的研究[D]. 薛炎.電子科技大學 2016

碩士論文
[1]薄膜熱流計的研制及模擬仿真研究[D]. 陳喆.電子科技大學 2017



本文編號:2910576

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