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石墨相氮化碳微納米材料的制備及光催化性能研究

發(fā)布時(shí)間:2020-12-08 19:26
  石墨相的氮化碳(g-C3N4)是一種直接帶隙半導(dǎo)體,理想條件下室溫禁帶寬度為2.7eV左右,因?yàn)榫哂信c碳材料相似的層狀堆積結(jié)構(gòu)和sp2雜化的π共軛電子能帶結(jié)構(gòu),因此g-C3N4被認(rèn)為是最有可能代替碳材料的新型應(yīng)用功能材料。近年來(lái),因?yàn)間-C3N4被發(fā)現(xiàn)在可見(jiàn)光下具有良好的光催化活性,作為一種新興的非金屬可見(jiàn)光催化劑得到了國(guó)內(nèi)外廣泛的關(guān)注和研究。本文制備的g-C3N4基功能材料,通過(guò)X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、X射線光電子能譜儀(XPS)、傅里葉紅外光譜(FTIR)、紫外可見(jiàn)漫反射光譜(DRS)、氮吸附脫附測(cè)試表征了其形貌和結(jié)構(gòu),評(píng)價(jià)了材料的催化活性,探索了光催化活性增強(qiáng)的機(jī)理。本論文主要研究?jī)?nèi)容包括:(1)利用改良的溶液高溫?zé)峋酆戏,選擇有機(jī)物三聚氰胺做為前驅(qū)體,在不使用任何模板的前提下分別制備出g-C3N4納米棒、微米錐、多孔四棱柱三種準(zhǔn)一維形貌的g-C3N4材料。通過(guò)溶液中產(chǎn)生銨鹽的誘導(dǎo)作用,有效改善了傳統(tǒng)熱聚合法制備樣品團(tuán)聚現(xiàn)象嚴(yán)重、微觀形貌單一、不規(guī)則的現(xiàn)象,使其光催化活性較體相g-C3N4有顯著提高。通過(guò)分析三種光催化劑的催化降解... 

【文章來(lái)源】:吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】:113 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:博士

【部分圖文】:

石墨相氮化碳微納米材料的制備及光催化性能研究


C3N4五種同素異形體的晶體結(jié)構(gòu)圖

分子結(jié)構(gòu)圖,分子結(jié)構(gòu),三嗪環(huán),鍵長(zhǎng)


結(jié)構(gòu)中每個(gè)碳氮鍵的鍵長(zhǎng)和鍵能都相等,這是一種與苯環(huán)機(jī)環(huán)狀結(jié)構(gòu)。2008 年,Markus Antonietti 教授[20]對(duì) g-C3N4的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了為實(shí)驗(yàn)合成 g-C3N4可能存在兩種結(jié)構(gòu),單個(gè)三嗪環(huán)通過(guò)末端的 N 原子相3N4結(jié)構(gòu),以及三個(gè)聚合的三嗪環(huán)(七嗪環(huán))通過(guò)末端的 N 原子相連構(gòu)成的如圖 1.2 所示,三嗪環(huán)構(gòu)成的 g-C3N4結(jié)構(gòu)中,環(huán)內(nèi)的 C-N 鍵長(zhǎng) 0.1315 nm, 116.5°;環(huán)外的 C-N 鍵長(zhǎng) 0.1444 nm,C-N-C 鍵角為 116.5°。七嗪環(huán)4結(jié)構(gòu)中,環(huán)內(nèi)的 C-N 鍵長(zhǎng) 0.1316 nm,C-N-C 鍵角為 116.6°;環(huán)外的 C-2nm,C-N-C-鍵角為 120.0°[21]。兩種結(jié)構(gòu)中,七嗪環(huán)構(gòu)成的 g-C3N4的聚過(guò)密度泛函理論(DFT)理論計(jì)算,縮聚反應(yīng)的過(guò)程中,七嗪環(huán)構(gòu)成的 g-穩(wěn)定, 其熱力學(xué)能量比三嗪環(huán)構(gòu)成的 g-C3N4結(jié)構(gòu)低約 30kJ/moll[22],因此,在實(shí)際實(shí)驗(yàn)合成過(guò)程中該種結(jié)構(gòu)更容易被合成,七嗪環(huán)經(jīng)常是構(gòu)成實(shí)C3N4片層結(jié)構(gòu)的單元[23,24],但也要在具體實(shí)驗(yàn)過(guò)程中分析。

熱聚合,反應(yīng)路徑,理論計(jì)算,帶隙


圖 1.3 理論計(jì)算 g-C3N4的熱聚合反應(yīng)路徑Figure 1.3 Reaction path for the formation of g-C3N41.1.4 石墨相碳氮化合物的性質(zhì)及應(yīng)用2009 年,wang[43]等人為了進(jìn)一步確定 g-C3N4的電子結(jié)構(gòu),通過(guò)密度泛函理論算得到:melam 分子中,最高占據(jù)軌道(HOMO)和最低空軌道之間的帶隙為 3聚合 melon 分子體系的帶隙則為 2.6eV,若是聚合 melon 分子體系的范圍延伸,其帶隙則會(huì)進(jìn)一步縮小至 2.1eV,其具體能帶結(jié)構(gòu)如圖 1.4a 所示。因?yàn)槿辈煌耆葐?wèn)題,實(shí)際合成的 g-C3N4帶隙大多在 2.6-2.8eV 之間。從 g-C3N4的我們可以認(rèn)為 g-C3N4是一種具有各向異性電子結(jié)構(gòu)的直接帶隙半導(dǎo)體,能帶點(diǎn)為τ,并且只沿 τ -x方向離散。基于 Kohn-Sham 方法計(jì)算出聚合 melon 分和導(dǎo)帶軌道圖分別如圖 1.4b,c 所示,melem 單體中價(jià)帶的波函數(shù)是來(lái)源于pz軌道的HOMO 能級(jí)的組合,而導(dǎo)帶的波函數(shù)是來(lái)源于碳原子的pz軌道的

【參考文獻(xiàn)】:
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本文編號(hào):2905564

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