納米線的定位生長是實(shí)現(xiàn)納米線量子器件尋址和集成的前提.結(jié)合自上而下的納米加工和自下而上的自組裝技術(shù),通過分子束外延生長方法,在具有周期性凹槽結(jié)構(gòu)的硅(001)圖形襯底上首先低溫生長硅鍺薄膜然后升溫退火,實(shí)現(xiàn)了有序鍺硅納米線在凹槽中的定位生長,鍺硅納米線的表面晶面為(105)晶面.詳細(xì)研究了退火溫度、硅鍺的比例及圖形周期對納米線形成與否,以及納米線尺寸的影響. 

【文章來源】：物理學(xué)報(bào). 2020年02期 第262-267頁 北大核心

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