發(fā)布時(shí)間：2020-12-07 06:16

　　半導(dǎo)體納米晶具有量子尺寸效應(yīng)和獨(dú)特的光學(xué)性質(zhì),可廣泛地應(yīng)用在光電器件、生物標(biāo)記、太陽(yáng)能電池、光催化等方面。這使半導(dǎo)體納米晶成為越來(lái)越多研究者研究的熱點(diǎn)。在過(guò)去三十年里,II-VI族納米晶是這些半導(dǎo)體納米晶中研究最深入、最廣泛的材料。然而,II-VI族納米晶大多含有對(duì)環(huán)境有害的高毒性元素（Cd、Hg等）,因此限制了其大規(guī)模、商業(yè)化生產(chǎn)。InP納米晶具有和II-VI族納米晶相似的光學(xué)性質(zhì),不含Cd、Pb、Hg等重金屬,具有環(huán)保低毒的優(yōu)點(diǎn),成為代替II-VI族納米晶的最佳候選材料。合成InP納米晶最常用的磷源為三（三甲基硅烷基）-膦（P（SiMe₃）₃）,但這種磷源價(jià)格昂貴、性質(zhì)活潑安全性較差。新型磷源三（二甲胺基）膦或者三（二乙胺基）膦（P[N（CH₃）₂]₃或P[N（CH₃CH₂）₂]₃）具有安全、經(jīng)濟(jì)的特點(diǎn),可代替P（SiMe₃）₃。直接合成的In... 

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

（A）半導(dǎo)體從離散的分子到納米尺寸晶體和體相晶體間轉(zhuǎn)變的能態(tài)，藍(lán)色底紋代表的是電子占有的基態(tài)，（B）表明CdSe半導(dǎo)體納米晶量子尺寸效應(yīng)和

圖 1.2 Wells 小組的去鹵硅烷基反應(yīng)的機(jī)理圖這種合成 InP 納米晶的方法反應(yīng)時(shí)間久，反應(yīng)溫度高。高溫使 InP 粒結(jié)晶度，但過(guò)高的溫度致使 InP 粒子聚集、沉淀，難以再分散形成膠體

別為 2.6 nm、3.5 nm、4.6 nm 的 InP 量子點(diǎn)的合成 InP QDs 所需要的反應(yīng)時(shí)間較長(zhǎng)，尺寸分布[41]使用非配位性溶劑 1-十八烯（ODE）作溶劑銦前體，在高溫下注入 P(SiMe3)3或 tris(trimeth次合成了高質(zhì)量、具有單一發(fā)射、尺寸分布均勻 nm 范圍內(nèi)可調(diào)的 InP QDs 或發(fā)射在 600-900 nm InP QDs 的吸收、熒光光譜如圖 1.4 所示。該方

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]新型低毒AgInS2量子點(diǎn)的制備和表征以及對(duì)腫瘤細(xì)胞的成像[J]. 張濤,李智,孫權(quán)洪,馬楠.  分析化學(xué). 2016(12)

碩士論文
[1]銅錫硫和銅鋅錫硫半導(dǎo)體光伏材料的制備及表征[D]. 謝夢(mèng).電子科技大學(xué) 2014



本文編號(hào)：2902786