二硫化鉬（MoS₂）是典型二維材料,在電池、傳感器、催化制氫、藥物運(yùn)輸、診療等領(lǐng)域的應(yīng)用研究已有較多報(bào)道。近年發(fā)現(xiàn)MoS₂亦有作為抗菌材料應(yīng)用的潛力,然而其與細(xì)菌的作用機(jī)制尚不明確。鑒于此,本文探查幾種二硫化鉬復(fù)合材料的水熱制備工藝,以及它們與細(xì)菌相互作用的規(guī)律和機(jī)制。主要結(jié)果有:1.采用一步水熱法在醫(yī)用純鈦表面構(gòu)建MoS₂涂層。涂層中MoS₂納米片可垂直排列生長(zhǎng)在鈦表面,有助于大量暴露活性邊緣。MoS₂納米片通過在水熱過程中形成的TiO₂薄層與鈦基底緊密結(jié)合,并垂直排列自組裝形成納米結(jié)構(gòu)涂層。在反應(yīng)物中加入鐵源能夠制得鐵摻雜二硫化鉬涂層。在無光照條件下,MoS₂涂層抗菌性能較弱（6 h抗菌率可達(dá)82%）;鐵摻雜后,抗菌效果增強(qiáng),其6 h抗菌率可達(dá)100%。MoS₂涂層抗菌是其釋放離子和產(chǎn)生活性氧兩個(gè)過程協(xié)同作用的結(jié)果,鐵摻雜對(duì)這兩個(gè)過程均有促進(jìn)效果,能夠顯著提升涂層抗菌性能。2.采用兩步水熱法制得碳@二硫化鉬復(fù)... 

【文章來源】：中國(guó)科學(xué)院大學(xué)(中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所)上海市

【文章頁(yè)數(shù)】：104 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

二硫化鉬結(jié)構(gòu)示意圖

二硫化鉬基復(fù)合材料制備及其抗菌性能研究 MoS2的晶體結(jié)構(gòu)主要包括 1T 型、2H 型和 3R 型三結(jié)構(gòu)模型的俯視圖與側(cè)視圖。常溫存在 2H 型二硫化體，沒有鐵磁性，具有抗磁性。2H-MoS2的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定oS2和 3R-MoS2晶體結(jié)構(gòu)則屬于亞穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)，在自然界高。1T-MoS2晶體中，鉬原子是六配位，每個(gè)晶胞僅含2H 型中，鉬原子也是六配位，但每個(gè)晶胞由兩個(gè)位Mo-S 單位構(gòu)成，且兩個(gè)三棱柱結(jié)構(gòu)中各原子位置之間晶胞中鉬原子與硫原子的個(gè)數(shù)分別為 2 與 4；3R 型構(gòu)成每個(gè)晶胞的三個(gè) S-Mo-S 重復(fù)單位分別位于連續(xù)

圖 1.3 二硫化鉬液相剝離制備示意圖（A. 離子插層，B. 離子交換，C. 超聲輔助剝離）[15] 1.3 Schematic description of synthesis of MoS2via the main liquid exsms (A. Ion intercalation, 2. Ion exchange, 3. Sonication assisted exfo下而上法自上而下方法只適用于層狀材料的制備。而自下而上的方法，D)生長(zhǎng)與濕化學(xué)合成法，也廣泛用于二硫化鉬納米材料的制備高質(zhì)量大面積原子厚度的二硫化鉬納米片。如圖 1.4 所示，單O3和 S 粉末作為反應(yīng)物在 650℃下通過 CVD 過程沉積在非晶體上得到[16]。用苝四甲酸焦磷酸鹽與苝四甲酸二酐對(duì)基體進(jìn)行S2納米片生長(zhǎng)。大面積 MoS2原子層也可通過一種類似的 CVD基體上[17]。CVD 法適用于大規(guī)模生產(chǎn)，但是不適用于需要小尺域。

【參考文獻(xiàn)】：
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碩士論文
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[2]二硫化鉬—石墨烯異質(zhì)結(jié)的制備與研究[D]. 劉丹妮.陜西科技大學(xué) 2014
[3]聚吡咯納米球及聚吡咯復(fù)合導(dǎo)電聚合物的制備與性能研究[D]. 鄭若時(shí).清華大學(xué) 2012
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