硅基介質(zhì)超表面及其發(fā)光器件研究
【學(xué)位單位】:華中科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:TB34
【部分圖文】:
[4],那么這四個(gè)象限就將所有理論上存在的各向同性材料分為四大類,如圖1-1所示。圖 1-1 根據(jù)介電常數(shù)和磁導(dǎo)率對(duì)材料實(shí)現(xiàn)分類的示意圖[4]從圖1-1中可以看出,位于第一象限的材料的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率均大于零,由麥克斯韋方程可知,在其中傳輸?shù)碾姶挪ǖ碾妶?chǎng)、磁場(chǎng)和波矢滿足右手螺旋法則,因此這類材料也稱為右手材料(Right-handedmaterials,RHM)。自然界中的大多數(shù)材料都屬于右手材料。第二象限代表電等離子體材料(Electric plasma),根據(jù)亥姆霍茲方程可知,當(dāng)材料的介電常數(shù)小于零時(shí)波矢量為虛數(shù),電磁波在這類材料中傳播時(shí)能量以指數(shù)形式迅速衰減,表現(xiàn)出倏逝波(Evanescent wave)特性。位于第三象限的材料介電常數(shù)和磁導(dǎo)率均小于零,由麥克斯韋方程可知,在里面?zhèn)鬏數(shù)碾姶挪ǖ碾妶?chǎng)、磁場(chǎng)和波矢構(gòu)成左手系統(tǒng)
首次制備了一種在微波頻段介電常數(shù)和磁導(dǎo)率同時(shí)為負(fù)值的左手材料[42],如圖1-2所示。這一實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)了Veselago當(dāng)初的預(yù)測(cè),極大地鼓舞了當(dāng)時(shí)的超材料方向的研究工作者,在隨后幾十年里,關(guān)于負(fù)折射超材料的研究取得了大量的成果[10,14,15,19,43]。然而,由于左手材料存在損耗過大和工作帶寬過窄的缺點(diǎn),而這些缺點(diǎn)也限制了左手材料在器件設(shè)計(jì)方面的實(shí)際應(yīng)用,研究人員也開始將注意力從負(fù)折射特性方面轉(zhuǎn)移,努力尋求超材料的其他特性,進(jìn)一步拓寬了超材料的應(yīng)用領(lǐng)域。隨后在2005年,Smith研究小組首次提出了梯度折射率超材料的設(shè)計(jì)[44],實(shí)現(xiàn)了對(duì)電磁波傳播方向的調(diào)控,緊接著在2006年
超材料領(lǐng)域未來可能的發(fā)展方向[57]
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本文編號(hào):2857604
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