n型NiZrSn熱電材料選區(qū)激光熔化成形工藝及性能的研究
【學(xué)位單位】:武漢理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:TB34;TG665
【部分圖文】:
工藝增加了 ZrNiSn 器件的制備周期和能耗,切割及打磨處理降低效率,這樣就限制了 ZrNiSn 器件的大規(guī)模的應(yīng)用化。因而尋找一、材料利用率高的新型熱電器件制備工藝對(duì)于 ZrNiSn 熱電器件的大的意義。工藝簡(jiǎn)單、低能耗、高的原材料利用率熱電器件的制速熱電材料及器件的商業(yè)應(yīng)用化。
圖 1-2 熱電器件的截面示意圖Figure 1-2 The cross-section of thermoelectric devices modules1.2.3.1 p/n 粒子的制備材料的制備流程如下:先按照化學(xué)計(jì)量比稱量 Te、Bi 粉體 4 kg,將其真空密封在 d = 4 cm 的管子放入搖擺爐中(600 ℃ - 1.5 h),將制備好的錠體用區(qū)熔爐制備單晶(12 h),取單晶棒的中間區(qū)域,用線切割將其切成一定厚度的圓柱片,將其清洗并在表面鍍 Ni(防擴(kuò)散),再將其用精細(xì)多線切割儀器將其切割成較小的 p/n 粒子,對(duì) p/n 粒子進(jìn)行清洗自然干燥處理,便得到了用于組裝器件的粒子。整個(gè) p/n 粒子的制備周期約 2 天。我們實(shí)驗(yàn)常用的 p/n 粒子制備過程中,僅僅是熱電材料的合成方法,對(duì)于優(yōu)化 p/n 粒子的制備工藝而言,制備時(shí)間較短且性能較好的材料合成技術(shù)是非常關(guān)鍵的,如果我們可以通過 SHS 工藝來制備熱電材料,就可以較大縮短 p/n 粒子的制備周期。
圖 1-2 熱電器件的截面示意圖Figure 1-2 The cross-section of thermoelectric devices modules.2.3.1 p/n 粒子的制備材料的制備流程如下:先按照化學(xué)計(jì)量比稱量 Te、Bi 粉體 4 kg,將其真封在 d = 4 cm 的管子放入搖擺爐中(600 ℃ - 1.5 h),將制備好的錠體用區(qū)制備單晶(12 h),取單晶棒的中間區(qū)域,用線切割將其切成一定厚度的圓柱片其清洗并在表面鍍 Ni(防擴(kuò)散),再將其用精細(xì)多線切割儀器將其切割成的 p/n 粒子,對(duì) p/n 粒子進(jìn)行清洗自然干燥處理,便得到了用于組裝器件的。整個(gè) p/n 粒子的制備周期約 2 天。我們實(shí)驗(yàn)常用的 p/n 粒子制備過程中,是熱電材料的合成方法,對(duì)于優(yōu)化 p/n 粒子的制備工藝而言,制備時(shí)間較短能較好的材料合成技術(shù)是非常關(guān)鍵的,如果我們可以通過 SHS 工藝來制備材料,就可以較大縮短 p/n 粒子的制備周期。
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