利用表面修飾方法調(diào)控碳化硅納米條帶電學(xué)和磁學(xué)性質(zhì)的理論研究
【學(xué)位單位】:吉林大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類(lèi)】:TB383.1
【部分圖文】:
人們帶來(lái)了無(wú)盡驚喜的同時(shí)也開(kāi)辟了材料發(fā)展的又一個(gè)黃金時(shí)代。下面我們將認(rèn)識(shí)一下這一“神奇”的石墨烯!圖1.1 石墨烯演變?yōu)楦焕障、碳納米管和石墨的過(guò)程示意圖。圖片摘自文獻(xiàn)[4]簡(jiǎn)而言之,石墨烯就是一個(gè)原子層厚的碳原子,具體的說(shuō),碳原子以sp2雜化形式與周?chē)齻(gè)碳原子成鍵,構(gòu)成蜂窩狀六元環(huán)的二維周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)。因碳原子之間具有烯烴類(lèi)物質(zhì)的基本要素-雙鍵[5],所以被命名為石墨烯。如圖1.1 所示,單層的石墨烯通過(guò)翹曲、卷曲和堆砌等方法可分別得到零維的富勒烯、一維
圖 1.2 微機(jī)械剝離方法制備石墨烯的示意圖。A: 3 nm 厚的石墨烯置于 SiO2晶片上;B-D:有限層石墨烯和石墨烯的圖片;E是 D的器件示意圖。圖片摘自文獻(xiàn)[1]1.2.2 石墨烯的制備方法目前,實(shí)驗(yàn)上制備石墨烯的方法主要分為機(jī)械剝離法[14]、加熱 SiC 法[15]、金屬表面生長(zhǎng)法為代表的物理法和石墨氧化還原法[16]、化學(xué)裂解法[17]為主的化學(xué)法兩大類(lèi)。Geim 等人制備石墨烯的方法就是微機(jī)械剝離法(圖 1.2 所示),但此種方法制備的石墨烯尺寸不規(guī)整,并且過(guò)程繁瑣產(chǎn)率低。金屬表面生長(zhǎng)法是在高溫環(huán)境下使碳原子滲入金屬中然后冷卻,這樣碳原子析出并沉積于金屬表面形成石墨烯薄片,得到的石墨烯片層厚度均勻且易于分離。常用的金屬襯底有釕[18]、銥[19, 20]、鎳[21]和銅[22]等。Berger 等人[15]提出加熱 SiC 晶體制備石墨烯,將
等人[10]對(duì)石墨烯的電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究。在二維石墨烯的能帶結(jié)構(gòu)中(圖1.4 所示),在第一布里淵區(qū)的六個(gè)頂點(diǎn)(K 點(diǎn))處,導(dǎo)帶和價(jià)帶相交,電子和空穴的能量和動(dòng)量呈線(xiàn)性色散關(guān)系[41]:2 2 h ... ... ... ...1.1F x yE v k k式中 E 表示能量,h 是約化普朗克常數(shù),6=1 10 /Fv m s 是費(fèi)米速度,xk 表示波矢x軸分量,yk 表示波矢的y軸分量。圖1.4 石墨烯的能帶結(jié)構(gòu)示意圖。圖片摘自文獻(xiàn)[42]這種特殊的線(xiàn)性色散關(guān)系使電子和空穴在K點(diǎn)的有效質(zhì)量為零,運(yùn)動(dòng)方程與狄拉克方程中所描述的相對(duì)論自旋1/2粒子非常相似
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