天堂国产午夜亚洲专区-少妇人妻综合久久蜜臀-国产成人户外露出视频在线-国产91传媒一区二区三区

當(dāng)前位置:主頁 > 科技論文 > 材料論文 >

微納結(jié)構(gòu)制備及其在光電器件中的應(yīng)用研究

發(fā)布時(shí)間:2020-08-09 21:27
【摘要】:納米科學(xué)蓬勃發(fā)展至今已有近70年的歷史,制備納米尺度的材料并探索其性能一直是科研領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。各種微納加工技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生并不斷發(fā)展蓬勃發(fā)展,如聚焦離子束刻蝕(Ion beam lithography)、全息光刻、膠體光刻、嵌段聚合物自組裝等。然而,這些技術(shù)高昂的成本以及有限的制備面積嚴(yán)重限制了其大規(guī)模應(yīng)用。在當(dāng)前的微納加工技術(shù)中,納米壓印技術(shù)因其具有高效率、大面積、低成本等優(yōu)點(diǎn)而備受關(guān)注。微納結(jié)構(gòu)材料作為太陽能電池或其它的光電器件的基礎(chǔ)組成部分,賦予了這些器件獨(dú)特的光學(xué)、電學(xué)和機(jī)械性能,為實(shí)現(xiàn)新型柔性光子、電子功能器件提供新途徑。通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),在光電器件的窗口層實(shí)現(xiàn)等效折射率梯度變化,能有效抑制反射,并在金屬結(jié)構(gòu)附近產(chǎn)生表面等離激元共振,從而增強(qiáng)光的吸收,最終提高光電器件的性能?傊,微納結(jié)構(gòu)及其器件的研究具有重要的科學(xué)意義和應(yīng)用價(jià)值。本文主要通過優(yōu)化微納結(jié)構(gòu)制備技術(shù),調(diào)控微納結(jié)構(gòu)的自身形貌,研究微納結(jié)構(gòu)的成型機(jī)理及其在光管理、電學(xué)、機(jī)械性能等方面的新特性,并進(jìn)一步探索了微納結(jié)構(gòu)在柔性集成以及光子、電子器件等方面的應(yīng)用。具體工作如下:(1)將軟納米壓印與濕法刻蝕相結(jié)合,在Al片上制備出高度有序的納米結(jié)構(gòu),并通過調(diào)控陽極氧化過程和選擇性濕法刻蝕工藝得到大面積的有序納米孔模板和倒納米錐形模板。此外,通過電場模擬揭示了陽極氧化鋁的生長機(jī)制,發(fā)現(xiàn)二次陽極氧化可以更好的引導(dǎo)陽極氧化鋁(Porous anodic aluminum oxide,AAO)自組裝生長,得到更為規(guī)整的AAO模板。本章節(jié)提出的方法與卷對(duì)卷工藝相兼容,適合大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn),并可將其推廣至高度有序氧化鈦(TiO2)納米管的制備。采用上述技術(shù)制備的大面積高度有序的納米圖形化AAO模板,可以被廣泛應(yīng)用于多種高性能光電子器件中。本文利用電磁場仿真手段,研究了基于高度有序的陽極氧化鋁(High ordered anodic aluminum oxide,HOAAO)襯底的鈣鈦礦(CH3NH3PbI3)薄膜光電傳感器的性能。相對(duì)于平面襯底,高度有序倒納米錐結(jié)構(gòu)模板襯底可以極大地增加光電傳感器的寬光譜的吸收。大面積、可調(diào)控形貌的HOAAO薄膜的成功制備,為利用光管理技術(shù)增強(qiáng)性能的光電器件提供了一個(gè)新的平臺(tái)。(2)將溶膠凝膠法與納米壓印法相結(jié)合,在聚酰亞胺(PI)襯底上實(shí)現(xiàn)了金屬氧化物納米陣列的大面積可控制備,并獲得高效的柔性非晶硅太陽能電池。在此聚合物襯底上制備的非晶硅電池具有優(yōu)異的寬廣譜光吸收和較高的外量子效率,其光電轉(zhuǎn)換效率(PCE)可達(dá)7.71%。引入的納米錐結(jié)構(gòu)聚合物減反射膜,可以進(jìn)一步拓寬減反射作用的光譜、入射角度,增強(qiáng)薄膜電池的太陽光捕獲吸收能力。相對(duì)于平面電池,雙界面圖形化柔性非晶硅薄膜太陽電池的效率相對(duì)提高了48.5%,達(dá)到8.17%。氧化物結(jié)構(gòu)介于聚合物襯底與非晶硅薄膜之間,可以改善聚合物襯底與非晶硅薄膜的熱膨脹系數(shù)的不匹配效應(yīng),減小各功能層之間的應(yīng)力,提高電池各功能層的薄膜質(zhì)量。經(jīng)過10萬次,180°的彎曲測試,非晶硅薄膜電池的PCE幾乎沒有下降。此外,通過電磁場模擬了周期性納米結(jié)構(gòu)陣列的光學(xué)特性,揭示了該膜層表面減反射和等離激元增強(qiáng)的效應(yīng)。雖然在此工作中以非晶硅電池為例,但這種方法具有普適性,可以被推廣到其它光電器件中。此外,可將紫外固化型無機(jī)氧化物-有機(jī)復(fù)合材料與卷對(duì)卷工藝相結(jié)合,實(shí)現(xiàn)圖形化襯底的高效、大面積制備。(3)使用熱納米壓印法制備出圖形化氧化鋅/銀納米線新型復(fù)合透明導(dǎo)電薄膜。這種獨(dú)特的氧化鋅/銀納米線復(fù)合透明導(dǎo)電薄膜展現(xiàn)出優(yōu)異的機(jī)械結(jié)合力、導(dǎo)電性(~12 Q/sq)、耐溫性(~400℃)、透過率和柔韌性。圖形化ZnO層可以有效的降低界面反射,提高薄膜透過率的同時(shí)保證較高的導(dǎo)電性。通過在銀納米線表面引入納米坑結(jié)構(gòu)的ZnO層,透明電極的透過率明顯提高而導(dǎo)電性并沒有發(fā)生明顯降低。圖形化的ZnO層緊緊的覆蓋在銀納米線膜表面,填充空白區(qū)域和連接銀納米線兩端。ZnO膜將銀納米線封裝,可以防止銀納米線氧化,提高銀納米線的機(jī)械和熱穩(wěn)定性。此圖形化氧化鋅/銀納米線復(fù)合電極作為頂電極,可以有效的用于太陽能電池。相對(duì)于以銀納米線為頂電極的電池,采用圖形化復(fù)合電極的太陽能電池的短路電流相對(duì)提高了10.8%,效率相對(duì)增加了5.0%,達(dá)到7.51%。(4)單層石墨烯作為非晶硅薄膜層和氧化硅片襯底的中間層,電池剝離過程中的機(jī)械結(jié)合力降低了44.1%,獲得無襯底的非晶硅薄膜太陽能電池。通過引入三棱柱結(jié)構(gòu)的聚合物減反射膜,可以有效管理光學(xué)路徑并誘導(dǎo)光向電池內(nèi)部傳播,實(shí)現(xiàn)寬光譜、全方向地增強(qiáng)薄膜電池的性能。電池的效率達(dá)5.98%,比功率達(dá)140.04W/Kg,相比氧化硅片襯底的電池分別提高了 16.0%和246.3%。值得注意的是,光入射角度為α=60°時(shí),能量轉(zhuǎn)化效率增加了44.1%,比功率增加了330.2%。通過上述方法制造高效率、輕質(zhì)、柔性的無襯底薄膜電池,簡單可行。此剝離轉(zhuǎn)移方法還可以應(yīng)用于其他太陽能電池和光電子器件如光電探測器,光發(fā)射器等,實(shí)現(xiàn)大規(guī)模、輕質(zhì)、高比功率器件的制備。
【學(xué)位授予單位】:南京理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:TN15;TB383.1
【圖文】:

流程圖,單層,流程圖,陽極氧化法


Figure邋1.1邋Procedure邋of邋preparation邋of邋close-packed邋PS邋monolayer邋on邋a邋substrate.逡逑(2)陽極氧化法逡逑一些金屬在不同電解液中電化學(xué)氧化后會(huì)形成兩種形貌,一種是致密型,另一種是逡逑多孔型t^i7]。陽極氧化物具有許多優(yōu)異工程特性,如較高的硬度、耐腐蝕幸福和耐磨性。逡逑其中,多孔陽極氧化錯(cuò)(Porous邋anodic邋aluminum邋oxide,邋AAO)模板孔隙率高、金屬表逡逑面氧化膜結(jié)合力高,可以很容易的應(yīng)用于電子器件,光電子器件,磁性材料,能量轉(zhuǎn)換逡逑和存儲(chǔ)器件等領(lǐng)域[18,19]。此外,AAO的制備工藝簡單、形貌多樣、結(jié)構(gòu)周期可控,一逡逑直受到科學(xué)家的關(guān)注。1995年,Masuda和其合作者制備出有序的AAO[2()],并于1996逡逑年進(jìn)一步開發(fā)出兩步陽極氧化工藝。在此之后,AAO的結(jié)構(gòu)更為可控,應(yīng)用領(lǐng)域更為逡逑廣泛。但陽極氧化法速度慢,產(chǎn)率低,限制其商業(yè)化應(yīng)用[21]。逡逑JHHk邐'邋di邋rr邋;邋J逡逑..邐anodic邋aluminum邋oxide逡逑Anodization邐(AA0)逡逑’逡逑

示意圖,示意圖,單層,流程圖


娭』-悐邐媝逡逑CT1TY1逡逑圖1.1制備密排的單層PS流程圖逡逑Figure邋1.1邋Procedure邋of邋preparation邋of邋close-packed邋PS邋monolayer邋on邋a邋substrate.逡逑(2)

過程圖,過程圖,納米壓印


學(xué)位論文邐微納結(jié)構(gòu)制備及其在光電器件中的應(yīng)用研樣的發(fā)展趨勢下,傳統(tǒng)的制備手段已經(jīng)越來越難以滿足。上世紀(jì)90年代中期,頓大學(xué)的Chou教授[9’22]受我國古代四大發(fā)明印刷術(shù)的啟發(fā),提出了納米壓印技念。納米壓印是一種利用納米壓印模板將納米結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到基底襯底表面的方法,個(gè)圖形化結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移過程中,模具不會(huì)受到損傷,可重復(fù)使用。此外,轉(zhuǎn)移后的納米貌完全由原始模板尺寸決定,不受光學(xué)波長衍射極限的限制,表現(xiàn)出工藝簡單、高、產(chǎn)率高、成本低等優(yōu)點(diǎn),適宜工業(yè)化生產(chǎn)。隨后的幾十年,科研界與產(chǎn)業(yè)界壓印技術(shù)進(jìn)行廣泛的研究,納米壓印技術(shù)得到了迅猛的發(fā)展。逡逑

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 蘭紅波;;2008納米壓印光刻國際學(xué)術(shù)會(huì)議[J];國際學(xué)術(shù)動(dòng)態(tài);2009年06期

2 廖瀟莎;;蘭紅波:潛心納米壓印[J];科學(xué)中國人;2014年13期

3 邢飛;廖進(jìn)昆;楊曉軍;唐雄貴;段毅;;納米壓印技術(shù)的研究進(jìn)展[J];激光雜志;2013年03期

4 魏玉平;丁玉成;李長河;;納米壓印光刻技術(shù)綜述[J];制造技術(shù)與機(jī)床;2012年08期

5 丁玉成;;納米壓印光刻工藝的研究進(jìn)展和技術(shù)挑戰(zhàn)[J];青島理工大學(xué)學(xué)報(bào);2010年01期

6 嚴(yán)樂;李寒松;劉紅忠;盧秉恒;;納米壓印光刻中抗蝕劑膜厚控制研究[J];機(jī)械設(shè)計(jì)與制造;2010年04期

7 屈新萍;;新型納米壓印光刻技術(shù)的研究和應(yīng)用[J];世界科學(xué);2009年06期

8 Aaron Hand;;納米壓印模板需要高質(zhì)量的檢測技術(shù)[J];集成電路應(yīng)用;2006年Z1期

9 胡克想;王陽培華;王慶康;;基于紫外納米壓印光刻的氟化混合物模板制備[J];飛控與探測;2019年02期

10 李陽;徐維;王憶;;紫外納米壓印OLED襯底微結(jié)構(gòu)的制備技術(shù)[J];微納電子技術(shù);2013年07期

相關(guān)會(huì)議論文 前10條

1 趙小力;董申;;納米壓印技術(shù)及其應(yīng)用[A];全球化、信息化、綠色化提升中國制造業(yè)——2003年中國機(jī)械工程學(xué)會(huì)年會(huì)論文集(微納制造技術(shù)應(yīng)用專題)[C];2003年

2 范細(xì)秋;張鴻海;胡曉峰;賈可;劉勝;;寬范圍高對(duì)準(zhǔn)精度納米壓印樣機(jī)的研制[A];中國微米、納米技術(shù)第七屆學(xué)術(shù)會(huì)年會(huì)論文集(一)[C];2005年

3 祁元春;王鑫;;低收縮高抗黏含氟紫外納米壓印光刻膠的制備[A];中國化學(xué)會(huì)第30屆學(xué)術(shù)年會(huì)摘要集-第十分會(huì):高分子[C];2016年

4 石剛;呂男;;納米壓印技術(shù)在導(dǎo)電聚合物中的應(yīng)用[A];中國化學(xué)會(huì)第28屆學(xué)術(shù)年會(huì)第4分會(huì)場摘要集[C];2012年

5 柴菁;王書杰;杜祖亮;;納米壓印技術(shù)構(gòu)筑圖案化量子點(diǎn)層[A];中國化學(xué)會(huì)第29屆學(xué)術(shù)年會(huì)摘要集——第32分會(huì):納米表征與檢測技術(shù)[C];2014年

6 石剛;呂男;;基于納米壓印技術(shù)構(gòu)筑導(dǎo)電聚合物納米線[A];中國化學(xué)會(huì)第28屆學(xué)術(shù)年會(huì)第15分會(huì)場摘要集[C];2012年

7 林宏;萬霞;姜學(xué)松;王慶康;印杰;;基于硫醇點(diǎn)擊化學(xué)的新型紫外納米壓印膠[A];2011年全國高分子學(xué)術(shù)論文報(bào)告會(huì)論文摘要集[C];2011年

8 劉夢瑩;Ian McCue;Michael J.Demkowicz;;整合納米壓印及數(shù)字圖像相關(guān)法量化平面形變(英文)[A];2018年全國固體力學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)議摘要集(上)[C];2018年

9 胡昕;周弟;左曉兵;張建耀;鄔立灝;;高強(qiáng)度透明三元乙丙橡膠及其在納米壓印軟模板中的應(yīng)用[A];2015年全國高分子學(xué)術(shù)論文報(bào)告會(huì)論文摘要集——主題J 高性能高分子[C];2015年

10 王懷喜;謝惠民;戴相錄;吳立夫;方鵬;;一種高溫柵的制作工藝[A];中國力學(xué)大會(huì)——2013論文摘要集[C];2013年

相關(guān)重要報(bào)紙文章 前10條

1 盧慶儒;納米壓印技術(shù)趨近實(shí)用化[N];電子資訊時(shí)報(bào);2007年

2 文月;三星用納米壓印技術(shù)制造閃存[N];電子資訊時(shí)報(bào);2008年

3 陳超;日開發(fā)低成本納米壓印刻蝕裝置[N];科技日?qǐng)?bào);2002年

4 第一創(chuàng)業(yè)證券 任文杰;立足自主創(chuàng)新 加快新產(chǎn)業(yè)培育[N];中國證券報(bào);2012年

5 國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利復(fù)審委員會(huì) 熊潔 楊倩;專利創(chuàng)造性評(píng)判中對(duì)區(qū)別技術(shù)特征的客觀認(rèn)定[N];中國知識(shí)產(chǎn)權(quán)報(bào);2015年

6 通訊員 矯超 本報(bào)記者 王建高;他們?nèi)绾伟l(fā)明世界級(jí)精密零件“印刷術(shù)”?[N];科技日?qǐng)?bào);2016年

7 本報(bào)記者 劉成 通訊員 矯超;“印刷術(shù)”促精密零件批量造[N];經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào);2016年

8 本報(bào)記者 呂揚(yáng) 通訊員 郝亞楠;中國最需要原始創(chuàng)新[N];陜西日?qǐng)?bào);2016年

9 青島日?qǐng)?bào)、青島觀、青報(bào)網(wǎng)記者 周偉 通訊員 李政;城陽:惠企優(yōu)企育“新苗”[N];青島日?qǐng)?bào);2016年

10 尹暉;市領(lǐng)導(dǎo)會(huì)見美國國家工程院院士[N];無錫日?qǐng)?bào);2009年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前10條

1 張馳;微納結(jié)構(gòu)制備及其在光電器件中的應(yīng)用研究[D];南京理工大學(xué);2018年

2 范細(xì)秋;納米壓印及MEMS仿生功能表面制備的研究[D];華中科技大學(xué);2006年

3 張滿;基于納米壓印技術(shù)的微納結(jié)構(gòu)制備與應(yīng)用研究[D];中國科學(xué)院研究生院(光電技術(shù)研究所);2016年

4 高立國;納米壓印在制備雙色發(fā)光圖案及負(fù)折射系數(shù)材料中的應(yīng)用[D];吉林大學(xué);2011年

5 黃春玉;基于納米壓印技術(shù)構(gòu)筑導(dǎo)電高分子圖案[D];吉林大學(xué);2010年

6 林宏;新型紫外納米壓印光刻膠的研究[D];上海交通大學(xué);2012年

7 曲麗;納米壓印用聚苯并VA嗪類抗粘材料的制備及其表面性能研究[D];華東理工大學(xué);2011年

8 洪曉東;嵌段共聚物薄膜二維自組裝及在納米壓印中的應(yīng)用[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2010年

9 陳鑫;納米壓印工藝及其在光電子芯片中的應(yīng)用研究[D];華中科技大學(xué);2015年

10 沈臻魁;納米壓印技術(shù)在鐵電薄膜材料上的應(yīng)用[D];復(fù)旦大學(xué);2013年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 張麗蓉;基于納米壓印和等離激元等效電路理論的亞波長光學(xué)結(jié)構(gòu)研究[D];廈門大學(xué);2018年

2 陳乾;快速熱納米壓印和固體表面雙疏性能研究[D];南京大學(xué);2019年

3 竇曉宇;利用納米壓印技術(shù)構(gòu)筑高效的QLED器件及其出光性能研究[D];河南大學(xué);2018年

4 彭偉;基于納米壓印技術(shù)的銀互連線導(dǎo)電特性增強(qiáng)研究[D];鄭州大學(xué);2018年

5 郭良樂;面向大尺寸非平整襯底圖形化的復(fù)合納米壓印研究[D];青島理工大學(xué);2018年

6 傅欣欣;納米壓印工藝及模板制備的研究[D];南京大學(xué);2014年

7 賀德建;納米壓印光刻技術(shù)原理與實(shí)驗(yàn)研究[D];華中科技大學(xué);2004年

8 章國明;納米壓印技術(shù)以及仿生結(jié)構(gòu)的制備[D];首都師范大學(xué);2006年

9 畢洪峰;整片晶圓納米壓印關(guān)鍵技術(shù)的研究[D];青島理工大學(xué);2015年

10 湯啟升;卷對(duì)卷納米壓印實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的研制及其關(guān)鍵技術(shù)研究[D];合肥工業(yè)大學(xué);2012年



本文編號(hào):2787580

資料下載
論文發(fā)表

本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/2787580.html


Copyright(c)文論論文網(wǎng)All Rights Reserved | 網(wǎng)站地圖 |

版權(quán)申明:資料由用戶c811c***提供,本站僅收錄摘要或目錄,作者需要?jiǎng)h除請(qǐng)E-mail郵箱bigeng88@qq.com