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SnSe塊體熱電材料的制備及性能調(diào)控

發(fā)布時(shí)間:2020-07-27 14:48
【摘要】:熱電材料是一種能夠直接實(shí)現(xiàn)電能與熱能之間相互轉(zhuǎn)換的功能材料,在能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。單晶硒化錫(SnSe)是近年來一種新興的熱電材料,具有低的熱導(dǎo)率和高的ZT值,成為熱電材料研究的熱點(diǎn)之一。而目前在SnSe多晶材料中,較低的電導(dǎo)率限制了其熱電性能提高,成為人們亟待解決的問題。本文采用快速感應(yīng)熔煉結(jié)合快速感應(yīng)熱壓(RIM+RHP)法制備了多晶SnSe基材料,研究用低維層狀MoS2/graphene納米材料調(diào)節(jié)SnSe的層狀結(jié)構(gòu)及用NaCl、KBr等堿金屬鹵化物實(shí)現(xiàn)對(duì)SnSe的有效摻雜,提高了 SnSe多晶材料的熱電性能。主要內(nèi)容及結(jié)論如下:1、研究了層狀MoS2/G納米材料復(fù)合對(duì)SnSe材料熱電性能的影響。通過RIM+RHP 法制備了 SnSe-x wt%MoS2/G(x=0,0.2,0.4,0.8,1.6,3.2)系列復(fù)合樣品,發(fā)現(xiàn)MoS2/G復(fù)合后在樣品中形成非晶相界面、亞穩(wěn)相條紋及層狀MoS2納米顆粒等微結(jié)構(gòu)。SnSe-3.2 wt%MoS2/G樣品在423 K時(shí)電導(dǎo)率達(dá)到70.9 Scm-1,ZT值在810 K時(shí)提高到0.98,表明層狀MoS2二維材料可以有效調(diào)節(jié)SnSe的電學(xué)和熱學(xué)輸運(yùn),提高SnSe材料的熱電性能。2、研究了 NaCl摻雜對(duì)SnSe材料熱電性能的影響。用RIM+RHP法制備了NaxSn1-xSeClx(x=0,0.005,0.01,0.02,0.03,0.04)系列樣品,結(jié)果顯示,Na+和Cl-共摻不僅提高了多晶SnSe的電導(dǎo)率,同時(shí)共摻引入的缺陷進(jìn)一步降低了 SnSe材料的熱導(dǎo)率,使得Na0.005Sn0.995SeCl0.005樣品的ZT值在810K時(shí)達(dá)到0.84。3、研究了 KBr摻雜對(duì)SnSe材料熱電性能的影響。用RIM+RHP法制備了KxSn1-xSeBrx(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.05,0.06)系列樣品,發(fā)現(xiàn) KBr 能提高多晶SnSe材料的載流子濃度,樣品K0.05Sn0.95SeBr0.05在373 K時(shí)電導(dǎo)率達(dá)到39.1 Scm-1,在810 K時(shí)晶格熱導(dǎo)率僅為0.26 W/(m ·K),使得ZT值達(dá)到0.85。4、比較了 NaM(M=Cl,Br,I)和KM(M=Cl,Br,I)不同鹵化物摻雜對(duì)多晶SnSe熱電性能的影響。發(fā)現(xiàn)在2mol%NaM(M=Cl,Br,I)樣品中,Br的摻入更有效的提高SnSe熱電性能,Na0.02Sn0.98SeBr0.02樣品ZT值在810K時(shí)提高到1.15;而在5mol%KM(M=Cl,Br,I)樣品中,Cl摻雜時(shí)SnSe材料的熱電性能最優(yōu)異,樣品K0.05Sn0.95SeCl0.05 在 810K 時(shí) ZT 值到達(dá) 1.32。
【學(xué)位授予單位】:浙江師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:TB34
【圖文】:

示意圖,溫差發(fā)電,效應(yīng),導(dǎo)體


中將會(huì)產(chǎn)生溫差電動(dòng)勢(shì),這樣就實(shí)現(xiàn)了溫差發(fā)電。逡逑1.2.2邋Peltier邋效應(yīng)逡逑Peltier效應(yīng)是把電能轉(zhuǎn)化為熱能,是Seebeck效應(yīng)的逆效應(yīng)。如圖1.2邋a在逡逑由A、B兩導(dǎo)體材料構(gòu)成的回路中通以電流時(shí),接觸點(diǎn)的溫度會(huì)發(fā)生變化,出現(xiàn)逡逑吸熱或放熱現(xiàn)象,這種現(xiàn)象叫做Peltier效應(yīng)。研究表明,接觸點(diǎn)處吸收或放出的逡逑熱量只與材料的性質(zhì)和接頭處的溫度有關(guān),吸熱或放熱的速率Q與回路中的電逡逑流I成正比,即Q=ttI,其中7:是Peltier系數(shù),單位是V,可表示為:逡逑1邋(1.2)逡逑2逡逑

載流子濃度,熱電性能,變化關(guān)系,參數(shù)


由1.17式可知,ZT值與半導(dǎo)體的載流子濃度,遷移率,載流子散射機(jī)制,逡逑參數(shù)0等密切相關(guān)。只有使載流子濃度達(dá)到一個(gè)最佳值,才能得到較好的ZT值。逡逑如圖1.3分別給出的是電導(dǎo)率、Seebeck系數(shù)、熱導(dǎo)率、功率因子以及ZT值隨溫逡逑度的變化。由圖可知最大ZT值對(duì)應(yīng)的最佳載流子濃度在1019 ̄102QCm-3,在該載逡逑流子濃度范圍下進(jìn)一步協(xié)同優(yōu)化其他熱電性能參數(shù)是提高材料ZT值的重要手逡逑段。逡逑7逡逑

能級(jí)圖,能級(jí),雜質(zhì),晶體


Position邋in邋space逡逑圖1.4晶體基體內(nèi)引入共振雜質(zhì)后的能級(jí)變化逡逑如圖1.4所示,在晶體中摻入雜質(zhì)原子后,材料原有周期性結(jié)構(gòu)被改變,其逡逑能帶中將會(huì)形成多余的附加能級(jí)(即共振態(tài))。如在PbTe材料中,通過摻雜2%的逡逑T1,觀察到了態(tài)密度的增加,使得材料的Seebeck系數(shù)明顯的增加,從而使材料逡逑的ZT值達(dá)到了邋1.5【131。逡逑(2)、能帶收斂(Band邋convergence)逡逑理論研究表明,材料態(tài)密度的有效質(zhì)量m*越大,材料的Seebeck系數(shù)就越逡逑大。通過提高能帶簡(jiǎn)并度可以增加材料的態(tài)密度的有效質(zhì)量m*。如在PbTe材料逡逑中,由于PbTe的價(jià)帶是雙價(jià)帶(如圖1.5所示),一個(gè)輕空穴帶,一個(gè)重空穴帶,逡逑當(dāng)溫度升高時(shí)輕空穴帶頂會(huì)向重空穴帶移動(dòng),在一定的條件下,可以使輕重空穴逡逑帶間距離縮小,提高能帶的簡(jiǎn)并數(shù)量,這樣可以提高其Seebeck系數(shù),使用這樣逡逑方法己將PbTe的ZT值提高到1.6 ̄1.8[14】。逡逑3邐b邐\0J邋Wr(K>逡逑--0-2逡逑圖1.5(a)、(b)分別是PbTe第一布里淵區(qū)及雙價(jià)帶模型示意圖%逡逑9逡逑

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