鐵硒-胺雜化納米材料的合成、表征及磁性研究
【學位授予單位】:中國科學技術(shù)大學
【學位級別】:博士
【學位授予年份】:2019
【分類號】:TB383.1
【圖文】:
第一章緒論邐逡逑二維單原子層的ZnTe構(gòu)建而成二維晶體結(jié)構(gòu)[ZnTe(ma)]邋(ma=甲胺);以及含有逡逑Se單原子層的三維晶體結(jié)構(gòu)[CdSe(en)a5]邋(en=乙二胺)和[CdSe(pda)a5]。在他們逡逑后關(guān)于II-V1族雜化納米材料的研究中,通過略微改變反應(yīng)條件,僅以有機一元逡逑為反應(yīng)劑和結(jié)構(gòu)導向劑,就可將雜化納米結(jié)構(gòu)中II-VI族無機結(jié)構(gòu)單層(MQ)擴逡逑到雙層(M2Q2)以及多層(MnQn)[29](如圖1.2.1邋)。Yu[3()]等用高溫有機液相法代替合逡逑丨1-V丨族雜化半導體最常用的溶劑熱法,在220邋°C反應(yīng),采用二乙烯三胺輔助回逡逑的辦法,能一步大量地合成ZnS(DETA)a5雜化納米片和雜化納米帶。逡逑
之后關(guān)于II-V1族雜化納米材料的研究中,通過略微改變反應(yīng)條件,僅以有機一元逡逑胺為反應(yīng)劑和結(jié)構(gòu)導向劑,就可將雜化納米結(jié)構(gòu)中II-VI族無機結(jié)構(gòu)單層(MQ)擴逡逑展到雙層(M2Q2)以及多層(MnQn)[29](如圖1.2.1邋)。Yu[3()]等用高溫有機液相法代替合逡逑成丨1-V丨族雜化半導體最常用的溶劑熱法,在220邋°C反應(yīng),采用二乙烯三胺輔助回逡逑流的辦法,能一步大量地合成ZnS(DETA)a5雜化納米片和雜化納米帶。逡逑/!邋=邋00邐?=邋4邐/1邋=邋2邐/f邋=邋1逡逑M邋4+邋__邋二邋一.逡逑L邋-邋Mil逡逑m0*L邐mdhm邐MO(L)tr4邐MGKU邋抑逡逑Tunabie邋Band邋Gap邋(EJ逡逑圖1.1邋(MQ)LX雜化材料的結(jié)構(gòu)示意圖[23]。逡逑Figure邋1.1邋The邋schematic邋structures邋of邋(MQ)LX邋hybrid邋materials123].逡逑一元/二元有機胺分子作為結(jié)構(gòu)導向劑,引導II-VI族無機層的生長,并將它逡逑們連接起來形成無機-有機雜化材料。有機一元/二元胺的多樣性導致了邋(MQ)LX逡逑雜化材料的結(jié)構(gòu)多樣性。在以一元/二元胺為溶劑的溶劑熱反應(yīng)中,只要適合地逡逑選用過渡金屬鹽類和硫族元素作為反應(yīng)前驅(qū)體,就可以得到各種各樣由有機胺分逡逑子連接的雜化納米結(jié)構(gòu)[31 ̄]。無論無機組分的尺寸和層數(shù)如何,雜化材料都顯示逡逑出相似的均勻性和周期性排列晶體結(jié)構(gòu)。逡逑Yu[32]等用去離子水和小分子胺的混合溶劑體系
W)類鈣鈦礦的層狀晶體格中引入有機胺分子作為連接劑。設(shè)計合成了一系列周逡逑期有序的由一維和二維類鈣鈦無機成分組成的雜化半導體M03(L)邋(M=Mo、W,逡逑L=amine),如圖1.3所示。這些新的雜化結(jié)構(gòu)不僅有可調(diào)的帶隙,而且同時顯著逡逑改善了無機金屬氧化物的物理性能。逡逑黿■~|榦逡逑~|壋逡逑ID邐2D邐3D逡逑圖1.3基于類鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的Mo03或W03而設(shè)計的一維、二維或三維M03(L)雜化半導體材逡逑料[37]。逡逑Figure邋1.3邋Design邋and邋construction邋of邋ID,邋2D,邋and邋3D邋M03(L)邋hybrid邋semiconductors邋based邋on逡逑perovskite-like邋layers邋of邋M0O3邋or邋W03[37l逡逑1.2.邋3金屬鹵化物-胺類無機-有機雜化材料逡逑層狀鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的金屬鹵化物-胺類有機無機雜化材料148],無機層由共用4逡逑個頂點鹵族原子的MX6過渡金屬鹵化物八面體構(gòu)成,一元胺或二元胺組成的二逡逑價有機銨離子填充于無機層之間,其通式為(H3N-R-NH3)MX4或(R-NH3)2MX4邋(R逡逑=邋CnH2n+1,M=Cr,邋Mn,Fe,Cu,X邋=邋Cl,Br,邋I),其結(jié)構(gòu)如圖1.4所示。鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的逡逑無機-有機雜化材料在多個領(lǐng)域的潛在應(yīng)用以及其獨特磁性、光學和導電性而備逡逑受關(guān)注[49_51]。如今,由于在此類雜化物中發(fā)現(xiàn)鐵電和鐵磁兩種物理性質(zhì)共存的現(xiàn)逡逑象
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本文編號:2756825
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