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熒光納米復(fù)合材料的合成與生物應(yīng)用

發(fā)布時間:2020-06-24 22:50
【摘要】:當(dāng)某一物質(zhì)在尺寸上不斷減小,直到低于特定臨界尺寸。該物質(zhì)將獲得一系列原本不具備的物理和化學(xué)性質(zhì),如表面效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)、體積效應(yīng)、量子隧道效應(yīng)等。對于大多數(shù)物質(zhì)來說,這個臨界尺寸為100 nm,因此,在臨界尺寸之下的材料統(tǒng)稱為納米材料。納米材料存在不同的分類方法,根據(jù)三個空間維度上處于1-100 nm范圍內(nèi)的維度數(shù)的不同,納米材料分為三個維度都在100 nm以下的零維材料,以及相應(yīng)的一維材料和二維材料。由于具備一系列可調(diào)的性能,使用者可以根據(jù)自己的需求對納米材料進(jìn)行修飾,促進(jìn)了納米材料在光電、催化、生物醫(yī)學(xué)、分析檢測等各領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。在所有納米材料中,零維納米材料以其合成更為簡單的特點(diǎn),在歷史上最早被發(fā)現(xiàn)。相比其他納米材料,零維納米材料具有最大的比表面積,因此這類材料最適合原位同時進(jìn)行多種功能修飾。因此,越來越多的研究著眼于如何利用零維納米材料將多種功能整合。在這個目的下,本文選擇了零維納米材料中的銅銦硫(CIS)量子點(diǎn)與銀納米粒子(AgNPs)作為研究對象。CIS作為一類新型發(fā)光量子點(diǎn),帶隙為1.5 eV,玻爾半徑為4.1 nm,在可見光區(qū)域具有較大的消光系數(shù)(α=5×10~5 cm~(-1))。除了具備基本的量子尺寸效應(yīng)外,其發(fā)光波長還能通過改變多元組分的比例來調(diào)節(jié),這使CIS的熒光能在可見光到近紅外這一大范圍內(nèi)變動。這些特性使CIS成為光電應(yīng)用的合適材料。與含高毒性元素的傳統(tǒng)量子點(diǎn)相比,CIS生物毒性更低,使用原料更廉價,在傳統(tǒng)量子點(diǎn)研究成熟,但被毒性限制其發(fā)展的情況下,CIS成為了最理想的替代材料。在第2章中,我們在已有報(bào)道的基礎(chǔ)上,通過一鍋法合成了CIS量子點(diǎn),探討了合成時間,配體比例等因素對產(chǎn)物光學(xué)性質(zhì)的影響。通過包覆ZnS殼增強(qiáng)了CIS的發(fā)光效率,并用MUA和MTAB兩種不同的配體將CIS進(jìn)行表面功能化,制備得到了兩種表面電荷性質(zhì)不同的水溶性熒光量子點(diǎn),并用MTAB修飾的CIS成功進(jìn)入細(xì)胞,不損傷細(xì)胞的同時實(shí)現(xiàn)熒光成像,具有良好的應(yīng)用前景。癌細(xì)胞獨(dú)特的微環(huán)境常常被作為生物標(biāo)志物用于潛在腫瘤診斷和靶向腫瘤治療。例如,癌細(xì)胞偏酸性(pH 5.5-6.5)的性質(zhì)被廣泛應(yīng)用與開發(fā)pH響應(yīng)的藥物系統(tǒng),使抗癌藥物裝載在被低pH環(huán)境啟動釋放的傳輸系統(tǒng)中。另一方面,癌細(xì)胞具有高H_2O_2水平(100μM-1 mM)的特點(diǎn),源自于線粒體中超氧化物歧化酶(SOD)催化產(chǎn)生的超氧陰離子。通過外源性藥物產(chǎn)生的高毒活性氧(ROS,如·OH)會破壞腫瘤細(xì)胞中的ROS穩(wěn)態(tài),導(dǎo)致嚴(yán)重的氧化應(yīng)激,進(jìn)而導(dǎo)致癌細(xì)胞凋亡或死亡。在第3章中,我們構(gòu)建了一個多功能熒光探針AgNPs-DNA@GO。該探針通過催化H_2O_2分解,能夠同時實(shí)現(xiàn)細(xì)胞熒光成像與活性抑制;谀[瘤細(xì)胞的上述特性實(shí)現(xiàn)對腫瘤細(xì)胞的特異性識別。探針由雙鏈DNA吸附在GO表面,并以DNA作為模板生長AgNPs得到,具有良好的水溶性,細(xì)胞膜透過率和生物相容性等小分子探針的共同優(yōu)點(diǎn),具有成為聯(lián)合癌癥監(jiān)測與治療的潛力。
【學(xué)位授予單位】:湖南大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:O657.3;TB33
【圖文】:

電子能級結(jié)構(gòu),量子點(diǎn),體相,材料


熒光納米復(fù)合材料的合成與生物應(yīng)用發(fā)射光譜發(fā)生藍(lán)移;量子點(diǎn)因此形成,這種物理現(xiàn)象被稱為量子)。Brus[12]將激子最低激發(fā)態(tài)的能量 E1描述為: 1≈ 2 22 2[1 1 ]1.8 2 相材料的帶寬,R 是量子點(diǎn)半徑,me,mh分別是電子與空穴的質(zhì)量無關(guān),通常比實(shí)際質(zhì)量小。ε 是量子點(diǎn)的介電常數(shù)。算式中的量子定域能,第三項(xiàng)代表激子對的庫倫作用。從式中也可得出徑 R,可以得到 R 越小,E1越大的趨勢。a

能級分布,電子能級,納米晶體,點(diǎn)缺陷


碩士學(xué)位論文.2)[12]。其中表面缺陷態(tài)捕獲激子對中的電子或空合通道,與發(fā)射熒光的復(fù)合通道處于競爭關(guān)系,低。除有機(jī)配體之外,鈍化表面的方法是在量子結(jié),或者核殼結(jié)構(gòu)。根據(jù)核殼兩種材料能級分布夠分為三種類型:I 型,II 型和反 I 型(圖 1.3)[

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