玻璃基微納通道的制造及應(yīng)用研究
【圖文】:
圖 1.1 SiN 薄膜芯片制造流程 圖 1.2 SiN 納米孔制作流程一種是利用刻蝕的方法得到納米孔[27],其原理如圖 1.3 所示。在 5 英寸的 n 型硅晶0.3μm 厚的 Si3N4刻蝕層。通過(guò)光電化學(xué)腐蝕的方法在晶圓上形成孔陣列。不同的蝕出不同的孔形。其中,KOH 溶液能腐蝕出倒金字塔型的納米孔,如題 1.4(a)所
圖 1.1 SiN 薄膜芯片制造流程 圖 1.2 SiN 納米孔制作流程一種是利用刻蝕的方法得到納米孔[27],其原理如圖 1.3 所示。在 5 英寸的 n 型硅晶0.3μm 厚的 Si3N4刻蝕層。通過(guò)光電化學(xué)腐蝕的方法在晶圓上形成孔陣列。不同的蝕出不同的孔形。其中,,KOH 溶液能腐蝕出倒金字塔型的納米孔,如題 1.4(a)所
【學(xué)位授予單位】:南京航空航天大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:TB383.1
【參考文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):2691878
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