【摘要】：可見光光敏電阻在光電計(jì)數(shù)器、煙霧報(bào)警器、太陽能跟蹤系統(tǒng)等領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用前景,尤其是太陽能跟蹤系統(tǒng),與非跟蹤方式相比,光伏發(fā)電效率提高35%。可見光光敏電阻是整個(gè)太陽能光電自動(dòng)跟蹤系統(tǒng)的核心器件,由此研究和設(shè)計(jì)一款高靈敏度、高精度、高可控性、高光電轉(zhuǎn)化效率且小體積光敏數(shù)字變阻器尤為重要。CdSe是一種寬禁帶的II-VI族化合物半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度E_g=1.74 eV,與太陽光譜可見光波段相匹配。由于CdSe具有優(yōu)異的光電性能,已被廣泛應(yīng)用于激光器件、晶體二極管激光器件和太陽能電池等光電器件領(lǐng)域上。本文主要是針對(duì)CdSe納米晶薄膜光敏電阻器做了系統(tǒng)性的研究,內(nèi)容分如下幾個(gè)部分:1.采用真空蒸發(fā)技術(shù)在Si(100)襯底上制備了CdSe納米晶薄膜,利用X射線衍射儀(XRD)、膜厚測(cè)試儀、原子力顯微鏡(AFM)方法對(duì)不同蒸發(fā)電流下制備的薄膜的結(jié)晶情況、表面形貌進(jìn)行分析表征。結(jié)果表明:蒸發(fā)電流對(duì)薄膜的結(jié)晶性能和表面形貌有顯著影響。當(dāng)蒸發(fā)電流為75 A時(shí),薄膜沿(002)方向的衍射峰相對(duì)較強(qiáng),沿c軸取向擇優(yōu)生長(zhǎng)優(yōu)勢(shì)明顯,薄膜厚度約為160 nm,晶粒尺寸約為40 nm,顆粒均勻;薄膜表面平整光滑,表面粗糙表面粗糙度(5.63 nm)相對(duì)較低,薄膜結(jié)晶質(zhì)量較好。2.在真空下,對(duì)75 A蒸發(fā)電流下沉積的CdSe薄膜進(jìn)行了退火,保溫時(shí)間3h,退火溫度分別為523 K、673 K、723 K、773 K。XRD、SEM測(cè)試結(jié)果表明,723 K溫度下退火后的薄膜結(jié)晶性能最優(yōu)。3.對(duì)75 A蒸發(fā)電流下沉積,723 K溫度下退火后的薄膜進(jìn)行高溫XRD測(cè)試。結(jié)果表明,薄膜具有較高的熱穩(wěn)定性。隨著溫度的升高,薄膜的晶格常數(shù)c、沿c軸的熱膨脹系數(shù)逐漸增大,而薄膜的位錯(cuò)密度和應(yīng)變減小。與塊體CdSe相比,由于特殊的表面效應(yīng)和尺寸效應(yīng),CdSe納米晶薄膜的高溫特性發(fā)生了較大的變化。4.研制了CdSe納米晶薄膜可見光光敏電阻器,并對(duì)其電壓—電阻特性、照度—電阻特性以及退火溫度與電阻值間的關(guān)系進(jìn)行了研究。
【圖文】：

圖 1.1 纖鋅礦 CdSe 結(jié)構(gòu)示意圖Fig. 1.1 Structure diagram of wurtzite CdSe應(yīng)用及國(guó)內(nèi)外研究進(jìn)展用規(guī)模的快速擴(kuò)張，技術(shù)的進(jìn)步，產(chǎn)業(yè)升級(jí)的加快和

圖 1.2 光敏電阻陣列Fig. 1.2 The array of photosensitive resistance高精度、高可控性的薄膜光敏變阻器已經(jīng)引起國(guó)內(nèi)bert 等人在 Si 基底上外延生長(zhǎng)了 ReSi2多晶窄帶隙(
【學(xué)位授予單位】：西華師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2018
【分類號(hào)】：TB383.2;O614.242

【參考文獻(xiàn)】

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1 時(shí)t熇，

本文編號(hào)：2687360