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無機(jī)半導(dǎo)體納米晶材料及其薄膜光伏器件研究

發(fā)布時(shí)間:2020-05-15 15:27
【摘要】:為了制備出價(jià)格低廉且高效的太陽能電池,全球的研究者們正致力于采用低成本技術(shù),多渠道地開發(fā)新型活性材料。近年來,研究重點(diǎn)主要集中在各種高效、低成本的半導(dǎo)體薄膜光伏材料及器件技術(shù)方面。其中,有機(jī)和鈣鈦礦為代表的薄膜電池技術(shù)近年來發(fā)展尤為迅速。目前單節(jié)有機(jī)太陽能電池效率已經(jīng)超過14%。有機(jī)-無機(jī)鈣鈦礦電池效率更是在短短幾年時(shí)間內(nèi)效率已經(jīng)突破了22%。然而,他們?nèi)匀幻媾R諸如活性層結(jié)晶和形貌控制困難、器件效率不夠高、穩(wěn)定性不足以及環(huán)境毒性等不同的問題。因此,開發(fā)制備價(jià)格低廉且高效、穩(wěn)定和環(huán)境友好的新型薄膜太陽電池材料和器件技術(shù)具有重要意義。在過去十年中,半導(dǎo)體量子點(diǎn)(QDs)或納米晶體(NCs)材料的光伏應(yīng)用已受到廣泛的關(guān)注和研究。利用這類無機(jī)半導(dǎo)體納米材料的優(yōu)點(diǎn)是,基于量子限域效應(yīng)帶來的尺寸可調(diào)、能帶可控等性質(zhì),量子點(diǎn)良好的自組裝成膜特性有利于獲得高質(zhì)量的薄膜,以及更好的化學(xué)穩(wěn)定性和更小的環(huán)境毒性等等。本論文的研究工作主要是研發(fā)制備不同的無機(jī)半導(dǎo)體納米材料并探索其在薄膜光伏中的應(yīng)用。主要內(nèi)容可概括如下:在本論文的第一部分內(nèi)容中,我們研究了純無機(jī)的銫鉛鹵化物(CsPbX_3)鈣鈦礦量子點(diǎn)材料并測試其在薄膜光伏中的應(yīng)用。通過高溫和低溫兩種方法合成了高結(jié)晶性的CsPbX_3。在室溫條件下,溶液法成功制備了基于CsPbX_3的無機(jī)-聚合物雜化太陽能電池。采用低溫法,含短鏈配體的銫鉛溴(CsPbBr_3)量子點(diǎn)的太陽能電池器件性能優(yōu)于長鏈配體的CsPbBr_3的器件性能。最優(yōu)器件獲得了高達(dá)1.16%的效率,開路電壓(V_(oc))為0.87 V,填充因子(FF)為56.2%,電流(J_(sc))為2.38 mA/cm~2。我們的結(jié)果表明基于純無機(jī)的鈣鈦礦量子點(diǎn)可以制備出在空氣環(huán)境中工作的電池器件;采用短鏈配體低溫合成,可避免量子點(diǎn)薄膜繁瑣的配體處理問題并提高量子點(diǎn)薄膜導(dǎo)電能力和器件效率。此外,我們研究了非鉛、低環(huán)境毒性的銀鉍硫(AgBiS_2)量子點(diǎn)(QDs)的合成及其在薄膜太陽能電池中的應(yīng)用。結(jié)合合適的配體處理,采用醋酸甲酯純化步驟可以得到穩(wěn)定的QDs溶液及其高質(zhì)量薄膜。AgBiS_2用作活性吸光層,基于ITO/ZnO/AgBiS_2/polymer/MoO_3/Ag結(jié)構(gòu)的雜化太陽能電池優(yōu)化后實(shí)現(xiàn)了~3%的器件效率。這表明AgBiS_2量子點(diǎn)材料作為活性層在光伏應(yīng)用中具有潛力。此外,AgBiS_2量子點(diǎn)作為陰極界面層,應(yīng)用于ITO/AZO/AgBiS_2/PCE10:PC_(71)BM/MoO_3/Al結(jié)構(gòu)電池中,獲得的最高效率為5.56%。氧化鋅納米晶(ZnO)是應(yīng)用廣泛的n型界面材料之一,具有諸如易合成、合適的能級(jí)和光電性能等優(yōu)點(diǎn)。但是,ZnO表面存在的缺陷會(huì)引起嚴(yán)重電荷復(fù)合,使得器件性能較差?梢酝ㄟ^對其進(jìn)行摻雜修飾提高器件性能。在室溫條件下,合成了以丙胺為穩(wěn)定劑的鎵摻雜氧化鋅納米晶(GZO)界面材料。以100°C對GZO界面層進(jìn)行熱退火,基于PBDB-T:IT-M活性層的反型電池獲得了高達(dá)10%的效率。這一結(jié)果和文獻(xiàn)報(bào)道值相當(dāng),表明對ZnO進(jìn)行界面修飾可以減少復(fù)合,改善電子傳輸和收集效率,最終改善器件性能。
【學(xué)位授予單位】:中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:TB383.2;TM914.4

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本文編號(hào):2665250

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