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幾類單晶材料中磁電輸運(yùn)性質(zhì)研究

發(fā)布時間:2020-03-19 14:56
【摘要】:磁電輸運(yùn)性質(zhì)是材料的重要物理特性之一。1988年,人們在磁性多層膜材料中發(fā)現(xiàn)了巨磁阻效應(yīng)(Giant magnetoresistance,GMR),并在在磁存儲設(shè)備上獲得廣泛應(yīng)用。隨著對拓?fù)淞孔硬牧?包括拓?fù)浣^緣體、狄拉克/外爾半金屬、狄拉克節(jié)線半金屬等等)的研究不斷深入,在這些材料中顯示出的巨大磁阻效應(yīng)引起了人們極大興趣。澄清這些材料中巨大磁性效應(yīng)的物理根源不僅豐富了凝聚態(tài)物理的研究,在應(yīng)用上也將為尋找具有優(yōu)越磁阻效應(yīng)的材料提供物理指導(dǎo)。本文主要立足于單載流子/雙載流子模型,探討了在不同近似條件下,雙載流子模型可以預(yù)測出的磁電輸運(yùn)現(xiàn)象以及對應(yīng)的物理含義。并將該理論結(jié)合量子力學(xué)第一性原理能帶計算用于解釋Cu2TlTe2/Se2、ZrSiS、HfTe5和MoTe2單晶材料的磁電輸運(yùn)實(shí)驗數(shù)據(jù)。針對不同材料所表現(xiàn)出的磁電輸運(yùn)性質(zhì)給出了統(tǒng)一的解釋,得到如下結(jié)論:1)Cu2TlSe2是以空穴為載流子的金屬,Cu2TlTe2由于導(dǎo)帶和價帶有部分交疊,Cu2+離子引入的電子摻雜使得Cu2TlTe2在低溫下成為一個電子-空穴共存的半金屬。2)電子濃度與空穴濃度接近與高遷移率使得ZrSiS具有巨大的磁阻效應(yīng);費(fèi)米面存在的開軌道造成了巨大的各向異性磁阻。3)HfTe5是一種窄帶隙半導(dǎo)體,電子/空穴載流子濃度變化使得其溫度電阻曲線上出現(xiàn)一個電阻峰值。我們可以通過改變Te缺陷濃度,影響載流子性質(zhì)。從而使電阻的極大值在50-90 K的溫度范圍內(nèi)移動;同時也可以利用電子空穴共存來獲得超過30000%的巨大磁阻效應(yīng)。4)在MoTe2體系中利用載流子模型與量子震蕩分析結(jié)果一致。證明電子、空穴在該材料中共存。由于其遷移率約為103cm2/(V·s),其磁阻僅有1000%。這一結(jié)果顯示高遷移率(105 cm2/(V·s))對巨大的磁電阻效應(yīng)至關(guān)重要。以上結(jié)合單載流子/雙載流子輸運(yùn)模型和電子能帶結(jié)構(gòu)計算對一系列單晶材料的磁電輸運(yùn)性質(zhì)的研究,對于深入理解拓?fù)淞孔硬牧系奈镄杂幸欢ǖ囊饬x,對于應(yīng)用上提高材料的輸運(yùn)性質(zhì)也具有一定的借鑒意義。
【圖文】:

相圖,磁場,溫度電阻,導(dǎo)數(shù)


在運(yùn)動過程中受到洛倫茲力作用,從而發(fā)生變化產(chǎn)生了磁阻效應(yīng)。在非磁性材料中,磁逡逑阻通常情況下是一種相對弱的效應(yīng)[1],例如對普通金屬而言,磁阻一般只有百分之幾[2]。逡逑1988年,人們在磁性多層膜材料中發(fā)現(xiàn)了巨磁阻效應(yīng)(GMR),并在在磁存儲設(shè)備上獲逡逑得廣泛應(yīng)用[3]。隨著對石墨烯的研宄深入以及越來越多種的拓?fù)淞孔硬牧媳蝗藗儼l(fā)現(xiàn),逡逑新的巨大磁電阻現(xiàn)象不斷被報道,如在外爾以及狄拉克半金屬中發(fā)現(xiàn)的XMR[4,5]等等。逡逑1.1.2磁場和溫度誘導(dǎo)下的相變逡逑隨著人們對XMR現(xiàn)象的深入研究[6],發(fā)現(xiàn)XMR的出現(xiàn)與溫度和磁場均有關(guān),并逡逑提出存在兩條臨界線,將磁場-溫度平面劃分成三個區(qū)域,分別對應(yīng)金屬,半導(dǎo)體以及逡逑具有飽和電阻的金屬。以WP2為例[7],圖l-l(a)為WP2在不同磁場下的溫度電阻曲線。逡逑圖(c)是WP2磁場-溫度相圖,在紅線以上區(qū)域電阻隨溫度增加而增加,類似于常規(guī)金屬;逡逑紅線和黑線中間區(qū)域電阻隨溫度增加而減少,類似于半導(dǎo)體。逡逑■ ̄逡逑

硫?qū)倩衔?高對稱,費(fèi)米面,入射光子


銅的硫?qū)倩衔镅芯繗v史己超過30年,其中銅-硫的層狀結(jié)構(gòu)引起了人們的長期關(guān)逡逑注[8]。金屬-銅-硫這系列化合物是一種重要代表,其通式可表達(dá)為MCU2,Am丨(M=T1,逡逑K,Rb,,邋Cs;邋X=S,邋Se,邋Te;邋n=邋1,2,邋3),晶體結(jié)構(gòu)如圖1-2,表1中列舉了部分己知的層狀銅逡逑的硫?qū)倩衔铩e义希_姡妫翦义蟡_b\0逡逑MCu2X2邐MCuaX3逡逑_逡逑Cu2X逡逑圖l-2MCu2nX2n+1的單晶結(jié)構(gòu)。此圖從文獻(xiàn)[8]中拷貝出來。逡逑9逡逑
【學(xué)位授予單位】:南京大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:TB303

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1 本報記者 陸本

本文編號:2590377


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