芯片檢測用熱界面材料的制備及性能研究
發(fā)布時間:2019-10-11 10:35
【摘要】:Intel芯片測試用熱界面材料(TIMs-Thermal interface materials)由鋁箔和高分子熱界面材料組成,是芯片與PPV(Process Platform Validation)測試系統(tǒng)之間的導熱材料。在實際芯片測試過程中,存在熱界面材料測試周期短及污染芯片的問題,受Intel委托,本文開發(fā)一款滿足芯片測試要求的熱界面材料,并對材料的導熱性、污損性以及成本進行評估。本文建立了芯片PPV測試系統(tǒng)的有限元模型,探究了芯片測試時,附著在平臺上的原熱界面材料的應力應變分布情況,得到芯片表面產(chǎn)生污染的原因;對原熱界面材料組織和結(jié)構(gòu)進行分析和表征,發(fā)現(xiàn)材料中存在納米尺寸厚度的石墨片。基于對金屬箔和高分子熱界面材料的分析,設計和制造了以銅為金屬箔,以銅粉和銀粉為導熱填料的高分子熱界面材料的新型熱界面材料,并對其性能進行研究。為提高熱界面材料的導熱性能,對金屬填料運用偶聯(lián)劑KH550、KH570進行表面改性,確定了偶聯(lián)劑的種類及最佳用量,發(fā)現(xiàn)KH550的改性效果要高于KH570,合適的用量為填料質(zhì)量的2.0%。系統(tǒng)地研究了填料的種類、粒徑、粒度分布以及混合摻雜對熱界面材料導熱性能的影響,發(fā)現(xiàn)隨著填料質(zhì)量分數(shù)的提高,熱界面材料的導熱系數(shù)均呈先上升后下降的趨勢;200目銅粉和300目銅粉混合作為熱界面材料的填料時其熱導率比單一粒徑的銅粉填料都要高。當金屬填料為銅粉和銀粉,且質(zhì)量分數(shù)為80%時,隨著銀粉比例的增加,熱界面材料的導熱系數(shù)增加;通過成本-熱導率分析,確定56%的銅和44%的銀作為填充材料制備的TIMs,熱導率最高為5.06W/(m·K),價格合適,滿足芯片的PPV測試要求。
【學位授予單位】:華中科技大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2015
【分類號】:TB34
本文編號:2547439
【學位授予單位】:華中科技大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2015
【分類號】:TB34
【參考文獻】
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2 崔巍;祝淵;袁軒一;周和平;;高導熱高絕緣導熱硅脂的制備及性能表征[J];稀有金屬材料與工程;2011年S1期
3 劉運春;殷陶;陳元武;劉述梅;趙建青;傅軼;;PPS/Al_2O_3導熱復合材料的性能及其應用[J];工程塑料應用;2009年02期
4 杜茂平;魏伯榮;宮大軍;;混合填料對導熱硅橡膠性能的影響[J];有機硅材料;2007年06期
5 葉昌明,陳永林;熱傳導高分子復合材料的導熱機理、類型及應用[J];中國塑料;2002年12期
6 廖俊,陳圣云,康宇峰,張先亮;硅烷偶聯(lián)劑及其在復合材料中的應用[J];化工新型材料;2001年09期
7 儲九榮,張曉輝,徐傳驤;導熱高分子材料的研究與應用[J];高分子材料科學與工程;2000年04期
8 石彤非,,李樹忠,張萬喜,何忠達;填充型導熱塑料[J];高分子材料科學與工程;1994年03期
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1 任克剛;多形態(tài)AlN、Si_3N_4粉體制備及其導熱硅脂復合材料研究[D];清華大學;2009年
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1 梅雪霞;導熱硅橡膠熱界面材料的制備與實驗研究[D];南京理工大學;2013年
2 褚路軒;高導熱高分子功能材料研究及應用[D];江南大學;2012年
本文編號:2547439
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