【摘要】：采用負(fù)壓抽濾法,在氧化鋁膜模板中制備了 Ce_xM_(1-x)O_y(M=La、Co、Eu)、Ce_xLa_(1-x)O_y:Eu~(3+)和 Ce_xCo_(1-x)O_y:Eu~(3+)稀土氧化物納米線陣列。以 SEM、TEM、XRD和EDS對納米線陣列形貌、結(jié)構(gòu)和元素組成進(jìn)行了表征,研究了反應(yīng)條件對上述納米線結(jié)構(gòu)、形貌的影響,討論了其生長機(jī)理,并對熒光強(qiáng)度進(jìn)行了檢測。研究結(jié)果如下:1、稀土氧化物納米線陣列均為非晶態(tài)結(jié)構(gòu);納米線尺寸均一(直徑與模板孔徑一致,約為80-100nm)、排列有序。通過對抽濾負(fù)壓、鹽溶液濃度、共沉積時(shí)間、溫度等因素的控制,實(shí)現(xiàn)了納米線的可控制備。其次,熒光發(fā)光強(qiáng)度測試結(jié)果說明,在394nm波長光激發(fā)下,Ce~(3+)、Co~(3+)、La~(3+)本身無發(fā)光性能,但分別可作為發(fā)光中心Eu~(3+)的敏化劑、猝滅劑和基質(zhì)材料。2、Ce_xM_(1-X)O_y納米線熒光發(fā)射光譜顯示,在394nm波長光激發(fā)下,Ce_xLa_(1-x)O_y和Ce_xCo_(1-x)O_y納米線熒光強(qiáng)度為零;而Ce_xEu_(1-x)O_y納米線在593nm和710nm處卻有很強(qiáng)的熒光發(fā)射強(qiáng)度,隨著Eu~(3+)摩爾百分比增大,熒光發(fā)射強(qiáng)度先增強(qiáng),隨后減弱,當(dāng)Eu~(3+)摩爾百分比為5%時(shí),熒光強(qiáng)度最強(qiáng)。3、在394nm波長光激發(fā)下,Co~(3+)摻雜進(jìn)Ce_xEu_(1-x)O_y納米線陣列,制備了Ce_xCo_(1-x)O_y:Eu~(3+)納米線陣列。隨著摻雜Co~(3+)濃度增大,Ce_xCo_(1-x)O_y:Eu~(3+)納米線熒光發(fā)射強(qiáng)度逐漸減弱,當(dāng)Co~(3+)摻雜濃度達(dá)到15%時(shí),發(fā)生Ce_xCo_(1-x)O_y:Eu~(3+)納米線熒光猝滅現(xiàn)象。4、La~(3+)摻雜進(jìn)Ce_xEu_(1-x)O_y納米線陣列,制備了 Ce_xLa_(1-x)O_y:Eu~(3+)納米線陣列。與Ce_xEu_(1-x)O_y相比較,Ce_xLa_(1-x)O_y:Eu~(3+)納米線熒光性能顯著增強(qiáng)。熒光發(fā)射圖譜顯示,隨著Eu~(3+)摩爾百分比增大,熒光發(fā)射強(qiáng)度先增強(qiáng),隨后減弱,當(dāng)Eu~(3+)摩爾百分比為5%時(shí),熒光強(qiáng)度最強(qiáng)。
[Abstract]:Ce_xM_ (1) O _ y (M 鈮，

本文編號(hào)：2494251