本論文以鈮基硫?qū)倩衔锍瑢?dǎo)體作為主要研究對象,重點研究了NbSe2單晶生長、Zr摻雜的NbSe2、Cu(或Li)摻雜的NbS2化合物的制備方法、晶體結(jié)構(gòu)和電磁學(xué)性質(zhì),主要研究結(jié)果如下:1)化學(xué)氣相輸運(yùn)(CVT)生長單晶通常采用雙溫區(qū)管式爐,我們利用普通單溫區(qū)管式爐中的溫度分布梯度實現(xiàn)化學(xué)氣相輸運(yùn),并成功生長出了NbSe2單晶。我們制備的NbSe2單晶的晶體尺寸約為2×2mm2,其超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度約為7.1K,超導(dǎo)轉(zhuǎn)變寬度為0.3K,超導(dǎo)體積分?jǐn)?shù)約為79%。單溫區(qū)管式爐生長晶體的方法同樣可以用于其它功能材料單晶的制備。2)在探索空穴引入對NbSe2超導(dǎo)電性的影響時,首次合成出Zr摻雜的ZrxNb1-xSe2(0≤x≤0.08)系列樣品,并研究了它們的晶體結(jié)構(gòu)和超導(dǎo)性質(zhì)隨摻雜量的變化。研究結(jié)果表明:隨著摻雜量的增加,晶胞參數(shù)和Tc分別呈現(xiàn)增長和降低的趨勢。當(dāng)x0.02時,超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度下降比較緩慢;當(dāng)x0.02時,可以觀察到伴隨著晶胞參數(shù)的突然增大Tc也有一個快速降低的轉(zhuǎn)變。Zr摻雜導(dǎo)致超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度下降可以歸因于費(fèi)密面態(tài)密度的降低。3)首次研究了Cu3Nb17S37和CuxNbS2(x=0.125,0.25)化合物的低溫電磁性質(zhì)以及詳細(xì)的晶體結(jié)構(gòu)參數(shù),研究結(jié)果表明:Cu摻雜后會形成2a0×2a0的六方超晶格結(jié)構(gòu),并且隨著摻雜量的逐漸增加,c軸方向的晶胞參數(shù)在不斷增大,電阻率和磁化率都在逐漸減小,樣品都表現(xiàn)為良好的金屬性和順磁性。4)通過固相反應(yīng)的方法制備了LixNbS2(0≤x≤0.5)系列樣品,并研究了它們的晶體結(jié)構(gòu)和超導(dǎo)性質(zhì)隨摻雜量的變化。研究結(jié)果表明:隨著Li含量的增加,體系的物相由3R相轉(zhuǎn)變?yōu)?H相,而且具有不同結(jié)構(gòu)的樣品在c軸方向的晶胞參數(shù)都會隨著摻雜量的增加而增大;電阻率和磁化率分別呈現(xiàn)減小和增大的趨勢,樣品都表現(xiàn)為良好的金屬性和順磁性。