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陰極離子鍍制備TiN薄膜及其光電性能的研究

發(fā)布時(shí)間:2018-12-12 01:39
【摘要】:氮化鈦(TiN)由于其獨(dú)特的物理、化學(xué)、光、電和機(jī)械等性能,近年來(lái)已成為材料研究熱點(diǎn)。本文采用陰極離子鍍膜法在304不銹鋼基片上制備均勻致密的TiN薄膜。采用X射線(xiàn)衍射、掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡、掃描探針顯微鏡、紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)、紅外光譜儀等方法研究了薄膜的物相、結(jié)構(gòu)以及光電特性。結(jié)果表明,薄膜主要物相為T(mén)iN,在(111)晶面具有取向性,同時(shí)薄膜中含有少量的O雜質(zhì)。薄膜表面較平整,顆粒結(jié)合緊密,有部分孔洞和小尺寸突起,表面粗糙度Rq約為21.21 nm,薄膜平均厚度約為0.896μm,在紅外波段的反射率可達(dá)到80%以上,紅外輻射率約為0.19,橢偏結(jié)果顯示TiN薄膜的消光系數(shù)k和折射率n與Ag有相似的光學(xué)特性,是一種性能優(yōu)異的低輻射鍍膜材料。
[Abstract]:Titanium nitride (TiN) has become a research hotspot in recent years because of its unique physical, chemical, optical, electrical and mechanical properties. Uniform and dense TiN films were prepared on 304 stainless steel substrates by cathodic ion plating. X-ray diffraction, scanning electron microscope, transmission electron microscope, scanning probe microscope, UV-Vis spectrophotometer and infrared spectrometer were used to study the phase, structure and photoelectric properties of the films. The results show that the main phase of the film is TiN, orientation in the (111) crystal mask, and a small amount of O impurity is found in the film. The surface of the film is flat, the particles are tightly bound, and there are some holes and small protrusions. The average thickness of the Rq is about 0.896 渭 m, and the reflectivity of the film is over 80% in the infrared band, and the average thickness of the thin film is about 0.896 渭 m, and the surface roughness of the film is about 21.21 渭 m. The infrared emissivity is about 0.19. The results of ellipsometry show that the extinction coefficient k and refractive index n of TiN film are similar to those of Ag.
【作者單位】: 浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:“十三五”國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃資助項(xiàng)目(2016YFB0303900)
【分類(lèi)號(hào)】:TB383.2

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