陰極離子鍍制備TiN薄膜及其光電性能的研究
[Abstract]:Titanium nitride (TiN) has become a research hotspot in recent years because of its unique physical, chemical, optical, electrical and mechanical properties. Uniform and dense TiN films were prepared on 304 stainless steel substrates by cathodic ion plating. X-ray diffraction, scanning electron microscope, transmission electron microscope, scanning probe microscope, UV-Vis spectrophotometer and infrared spectrometer were used to study the phase, structure and photoelectric properties of the films. The results show that the main phase of the film is TiN, orientation in the (111) crystal mask, and a small amount of O impurity is found in the film. The surface of the film is flat, the particles are tightly bound, and there are some holes and small protrusions. The average thickness of the Rq is about 0.896 渭 m, and the reflectivity of the film is over 80% in the infrared band, and the average thickness of the thin film is about 0.896 渭 m, and the surface roughness of the film is about 21.21 渭 m. The infrared emissivity is about 0.19. The results of ellipsometry show that the extinction coefficient k and refractive index n of TiN film are similar to those of Ag.
【作者單位】: 浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:“十三五”國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃資助項(xiàng)目(2016YFB0303900)
【分類(lèi)號(hào)】:TB383.2
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,本文編號(hào):2373638
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