材料結(jié)構(gòu)對磁性的影響
[Abstract]:In recent years, with the development and utilization of nanomaterials, more and more attention has been paid to the relationship between material structure and physical properties. For example, in order to improve the magnetoelectric coupling of ferromagnetic materials, a large number of structural integration has been carried out, especially the study of multiphase composite multi-iron materials has become a research hotspot in this field. It is found that the magnetoelectric coupling of multiphase composite polyferric materials is obviously enhanced, but the physical mechanism is not clear. In addition, in order to find out the physical mechanism of ferromagnetism in non-magnetic metal oxides at room temperature, various attempts have been made. It is found that its structure has an important influence on the ferromagnetism of this kind of materials, but the physical mechanism is still controversial, and there is no uniform conclusion. In order to solve the above problems, the multiphase composite multiferric materials and ordered porous ZrO_2 thin films have been prepared, and the relationship between the structure and magnetic properties has been studied in detail. The results are as follows: by changing the content of ferromagnetic phase CoFe_2O_4 (CFO) with spinel structure, a series of multiphase composite materials Bi_ _ (0.85) La_ _ (0.15) FeO_3 (BLFO) and CFO were prepared by solid state reaction. The structure and composition of the materials were characterized by cold field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), X ray diffractometer (XRD) and X-ray energy scattering (EDS). It was found that there was no chemical reaction between BLFO and CFO during the preparation process. The grain size of BLFO hardly changes with the doping of ferromagnetic phase, and the physical properties of BLFO-CFO two-phase composites are tested by physical property tester (PPMS) and ferroelectric analyzer. The saturation magnetization and the remanent polarization strength of the samples are increased with the increase of the CFO doping content of the ferromagnetic phase, and the magnetization of the materials is calculated theoretically on the basis of the assumption that the magnetization comes entirely from the ferromagnetic phase CFO. Compared with the experimental results, it is found that the theoretical value is much smaller than the experimental value, which proves that there is a strong magnetoelectric coupling effect in the BLFO-CFO two-phase composite, because the leakage current of the composite is large, Therefore, the magnetoelectric coupling coefficient can not be measured experimentally, so the above results also provide a new proof method for the existence of magnetoelectric coupling effect in this kind of composite sample. The ordered porous ZrO_2 films were prepared by reactive DC magnetron sputtering on the substrate of ordered porous anodic alumina template (PAA). The structure and composition of the films were characterized by XRD,FE-SEM and EDS. It was found that with the increase of sputtering time, the pore size and thickness of ZrO_2 thin films became smaller and larger. The physical properties of Zr O 2 thin films were measured by means of PPMS and UV-Vis spectrophotometer (UV-Vis). It is found that ZrO_2 thin films exhibit obvious ferromagnetism at room temperature, and the magnetic properties of ZrO_2 thin films are larger when the applied magnetic field is perpendicular to the surface of the films than that of the films parallel to the surface of the films, which indicates that the ZrO_2 thin films have magnetic anisotropy. The maximum saturation magnetization of 119emu/cm3 is obtained on the thin films with the largest pore size, and the orientation of the pore is easy to be magnetized, and the maximum saturation magnetization is obtained on the thin films with the largest pore size. The annealing treatment and PL measurements show that the magnetic properties of ZrO_2 films are mainly dependent on the single electron oxygen vacancies in the films, and the magnetic changes can be realized by controlling the oxygen vacancies. This also indicates that ZrO_2 thin films are expected to be applied to spin electronic devices.
【學(xué)位授予單位】:河北師范大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類號】:TB303
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,本文編號:2277433
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