二維材料外延生長的原子尺度機理:特性與共性
[Abstract]:Since the first exfoliation of graphene from graphite, only layered (or two-dimensional) materials with atomic thickness have occupied the central stage of condensed matter physics and material science due to their rich and peculiar physical properties. The ever-expanding family of two-dimensional materials, including graphene, silicene, phosphorene, boron, hexagonal boron nitride, transition metal disulfide compounds, and even strong topological insulators, not only each member has a distinct personality, For example, the unique physical properties and preparation methods, and the whole family has its common, for example, between monolayer materials and substrates, between layers are almost dependent on the weak van der Waals force coupling. A deep understanding of any two-dimensional family member may be of universal value for entering the family. In this paper, we first introduce the main atomic processes and the corresponding morphologies of Van der Waals layered materials in the process of non-equilibrium epitaxial growth. The importance of van der Waals interaction in the transverse or vertical stacking heterostructures of two-dimensional materials is further discussed. In addition to the growth mechanism at atomic scale, some recent advances in the optimization and functionalization of physical properties of two-dimensional materials are briefly introduced. Examples cover the fields of optics, electricity, spin electronics, catalysis and so on.
【作者單位】: 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國家實驗室國際功能材料量子設(shè)計中心量子信息與量子科技前沿協(xié)同創(chuàng)新中心;
【基金】:國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:61434002,11634011,11374273) 國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(批準(zhǔn)號:2014CB921103)資助項目
【分類號】:TB30
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