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BiCuSeO熱電材料的制備及性能研究

發(fā)布時間:2021-03-07 21:29
  氧化物熱電材料具有熱導率低,制備工藝簡單,高溫條件下不存在氧化問題,價格低廉而且不含有毒化學元素等特點,因而受到了廣泛關注。其中,具有Zr CuSiAs型分層結構的BiCuSeO化合物,不僅熱導率低,而且電阻率可調(diào)控,其熱電性能在最近三年來穩(wěn)步提升,ZT值由0.5以及提高到1.0以上,具有重要的應用前景。本文采用兩步固相反應法制備了Na摻雜的BiCuSeO樣品,以及Na摻雜與Cu缺位同時存在的BiCuSeO樣品,經(jīng)高能球磨粉碎后、再熱壓燒結得到致密塊體樣品。采用X射線衍射分析(XRD)、場發(fā)射掃描電鏡(FESEM)、能譜分析(EDS)、熱分析(DTA)等手段表征了樣品的物相組成以及組織結構,利用實驗室自主研發(fā)的Namicro-II型熱電參數(shù)測試系統(tǒng)對測試研究了塊體材料在不同溫度下的電阻率和Seebeck系數(shù),材料的載流子濃度、遷移率通過霍爾系數(shù)測試系統(tǒng)進行測量,采用激光熱導儀測量材料的熱擴散系數(shù)。得出以下主要結果:以Na2CO3作為Na源對BiCuSeO材料進行了Na摻雜,發(fā)現(xiàn)Na含量對其相組成,微觀形貌以及熱電性能的影響具有以下特點:具體如下1)當Na摻雜量低于6%時,所有的Na都摻入到BiCuSeO化合物中的Bi位置,化合物晶格常數(shù)隨Na摻入量增大而減小,Na在BiCuSeO里面進入到Bi位置的固溶極限為6%左右。當Na摻雜量高于6%后,富余的Na2CO3會與有一部分與Se反應生成的Na2SeO3作為第二相存在于晶粒界面處。2)Na摻雜可以引入空穴載流子降低材料的電阻率,增大材料的功率因子;此外由于Na摻雜到Bi位引入質(zhì)量擾動和點缺陷對聲子的散射,使得樣品的熱導率降低,綜合熱電性能改善。當Na摻雜量超過Na在BiCuSeO里的固溶極限,可以在不明顯影響功率因子的情況下,引入第二相散射聲子進一步降低材料熱導率。3)研究表明,在Na摻雜量為8%時的樣品在873K的熱電優(yōu)值達到最大值0.97@873K,相比于沒有進行摻雜的BiCuSeO樣品的熱電優(yōu)值提高了大約兩倍。在Na摻雜同時進行Cu缺位處理,當Cu缺位超過一定量后,XRD圖譜中會出現(xiàn)明顯Bi2O3第二相,說明過量的Cu缺位會影響材料的結構穩(wěn)定性。對不同Na摻雜以及不同Cu缺位BiCuSeO材料電性能測試結果表明,8%的Na摻雜樣品中同時出現(xiàn)Cu缺位可以更加明顯降低電阻率而對Seebeck系數(shù)影響不大,從而進一步的提高其功率因子。相比于Bi0.92Na0.08CuSeO來說,Bi0.92Na0.08Cu0.99Se O的功率因子在高溫端873K時提高了26%。
【學位授予單位】:華中科技大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2015
【分類號】:TB34
文章目錄
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 熱電效應及其應用
    1.2 熱電材料性能參數(shù)
    1.3 熱電材料的研究進展
    1.4 BiCuSeO材料的研究進展
    1.5 改善BiCuSeO熱電性能的方法
    1.6 論文的選題目的及意義
第2章 實驗材料及方法
    2.1 材料制備
    2.2 組織結構表征
    2.3 熱電性能測量
第3章 Na摻雜的BiCuSeO材料組織結構及熱電性能影響
    3.1 Bi1- xNaxCuSeO材料的制備及組織結構
    3.2 Na摻雜的BiCuSeO的熱電性能
    3.3 本章小結
第4章Na摻雜及Cu缺位對BiCuSeO材料熱電性能影響
    4.1 Bi1- xNaxCu1-ySeO材料的制備以及電學性能
    4.2 Bi0.92Na0.08Cu1-ySeO的相組成
    4.3 本章小結
第5章 全文總結與展望
    5.1 全文總結
    5.2 展望
致謝
參考文獻
附錄:碩士期間發(fā)表論文

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本文編號:2200927

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