發(fā)布時(shí)間：2018-07-02 07:34

  本文選題：外延生長機(jī)理 + 鋁插入層　； 參考：《物理學(xué)報(bào)》2016年03期

【摘要】：文章研究了在700℃退火下,鋁插入層調(diào)制鎳和硅鍺合金反應(yīng)形成單相鎳硅鍺化物的生長機(jī)理.透射電鏡測試結(jié)果表明,鎳硅鍺薄膜和硅鍺襯底基本達(dá)到贗晶生長;二次質(zhì)譜儀和盧瑟福溝道背散射測試結(jié)果表明,在鎳硅鍺薄膜形成的過程中,鋁原子大部分移動到鎳硅鍺薄膜的表面.研究結(jié)果表明,鋁原子的存在延遲了鎳和硅鍺合金的反應(yīng),鎳硅鍺薄膜的熱穩(wěn)定性和均勻性都得到了提高.最后,基于上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果給出了鋁原子調(diào)制形成外延鎳硅鍺薄膜的生長機(jī)理.
[Abstract]:In this paper, the growth mechanism of single phase Ni-Si-germanide formed by Al intercalation layer modulation reaction with SiGe alloy at 700 鈩，

本文編號：2089388