本文選題：X射線光電子能譜法 + 深度剖析�。� 參考：《理化檢驗(化學(xué)分冊)》2017年01期

【摘要】：用X射線光電子能譜法(XPS)對化學(xué)水浴沉積法制得的硫化鎘薄膜的成分進行表征和深度剖析。用能量為2×103eV的Ar+刻蝕3 800s,90層。對Cd3d、S2p和O1s的90個譜峰的高分辨圖譜的分析和對譜峰的曲線擬合,得出以下結(jié)論:1除最外層和玻璃基底層以外的其他層中氧元素的質(zhì)量分數(shù)都在6%左右,即CdS占94%左右;2欲獲得均勻的CdS薄膜,需一次制備成型;3在形成CdS薄膜的誘發(fā)期主要是Cd2+和S2-的結(jié)合形成CdS,此時并無CdO和Cd(OH)2的形成;4由于玻璃襯底的親水性以及氨水的分解產(chǎn)生的OH-形成了生成Cd(OH)2的條件,而CdO的存在主要是因為Cd(OH)2在蒸發(fā)時分解產(chǎn)生的;5根據(jù)半定量測定,相對于94%的CdS而言,Cd(OH)2的含量為2.7%,CdO的含量為2.2%,吸附氧的含量為1.1%。
[Abstract]:The composition of CD _ 2S film prepared by chemical water bath deposition was characterized and analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The 3 800s ~ (90) layer was etched with an energy of 2 脳 103eV. By analyzing the high resolution spectra of 90 peaks of CD3dS2P and O1s and fitting the curves of the peaks, it is concluded that the mass fraction of oxygen in the other layers except the outermost layer and the glass base layer is about 6%. That is, CdS accounts for about 94% of CdS thin films. In the induction period of forming CdS films, the formation of Cd2 and S2- is mainly due to the combination of Cd2 and S2-. At this time, there is no formation of CdO and Cd(OH)2 due to the hydrophilicity of glass substrates and the formation of OH- by the decomposition of ammonia, which forms the conditions for the formation of Cd(OH)2. However, the existence of CdO is mainly due to the fact that Cd(OH)2 decomposes during evaporation. According to the semi-quantitative measurement, the content of CD ~ (2 +) O ~ (2) is 2.7% compared with 94% of CdS, and the content of adsorbed oxygen is 1.1%, compared with 2.7% of CdS, the content of CD _ (2) O _ (2) is 2.2 and the content of adsorbed oxygen is 1.1%.
【作者單位】： 北京低碳清潔能源研究所分析測試中心;北京低碳清潔能源研究所太陽能研究中心;
【分類號】：TB383.2;O657.62

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本文編號：1958392