本文選題：鐵酸鉍 + 鐵電性能�。� 參考：《化工新型材料》2017年03期

【摘要】：利用溶膠-凝膠法在氧化銦錫(ITO)襯底上制備了多鐵性鐵酸鉍薄膜,發(fā)現(xiàn)這種方法制備的薄膜具有典型的鈣鈦礦晶體結(jié)構,并表現(xiàn)出較好的介電性能。薄膜的漏電和鐵電性能測試表明由于漏電流比較大,薄膜在室溫下表現(xiàn)出不飽和的電滯回線,難以精確獲得剩余極化強度值。而在外加掃描電壓或電流時,薄膜均呈現(xiàn)出明顯的阻變效應,可應用于阻變信息存儲。最后,分析討論了元素摻雜對薄膜鐵電性能和阻變效應的影響。
[Abstract]:Polyferric bismuth ferrite thin films were prepared on indium tin oxide (ITO) substrates by sol-gel method. It was found that the thin films prepared by this method had typical perovskite crystal structure and showed good dielectric properties. The leakage and ferroelectric properties of the films show that the films exhibit unsaturated hysteresis loops at room temperature due to the large leakage current ratio, which makes it difficult to obtain the remanent polarization intensity accurately. However, the films exhibit obvious resistive effect under applied scanning voltage or current, which can be used to store resistive information. Finally, the effect of element doping on ferroelectric properties and resistance effect is discussed.
【作者單位】： 嘉應學院物理與光信息科技學院;
【基金】：廣東省自然科學基金博士科研啟動項目(2014A030310410)
【分類號】：TB383.2

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本文編號：1910826