Zn摻雜CdO薄膜的濺射法制備和光電性能研究
本文選題:CdO + ZnO ; 參考:《表面技術(shù)》2017年10期
【摘要】:目的通過(guò)向CdO薄膜中摻雜ZnO,在盡量不影響其電學(xué)性質(zhì)的前提下,拓寬禁帶寬度并改善性能。方法通過(guò)磁控射頻濺射分別在玻璃基底和硅111基底上沉積了一系列Cd_(1-x)Zn_xO透明導(dǎo)電薄膜。利用XRD、紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)和霍爾效應(yīng)測(cè)量?jī)x,測(cè)試了薄膜的結(jié)構(gòu)、光學(xué)和電學(xué)性能。結(jié)果隨著Zn摻雜含量的增加,薄膜結(jié)構(gòu)會(huì)發(fā)生變化:x0.25時(shí),薄膜結(jié)果為巖鹽相;0.25x0.5時(shí),薄膜結(jié)構(gòu)為混合相;x0.5時(shí),薄膜結(jié)構(gòu)變成了纖鋅礦相。摻雜Zn后,薄膜吸收邊可以提升到3eV左右,同時(shí)其電阻率為6.69×10~(-4)?·cm,載流子濃度為7.92×10~(20) cm~(-3),與純CdO薄膜電學(xué)性質(zhì)相近。結(jié)論對(duì)CdO薄膜進(jìn)行一定量的ZnO摻雜,可以在不影響其電學(xué)性質(zhì)的前提下提高禁帶寬度,從而使薄膜具有良好的光電性能。
[Abstract]:Aim to broaden the band gap and improve the properties of CdO films by doping ZnO into the films without affecting their electrical properties as much as possible. Methods A series of Cd_(1-x)Zn_xO transparent conductive films were deposited on glass substrates and Si 111 substrates by magnetron RF sputtering. The structure, optical and electrical properties of the films were measured by XRD, UV-Vis spectrophotometer and Hall effect measuring instrument. Results with the increase of Zn doping content, the structure of the thin film will change when the content of Zn is increased, the structure of the film will change to wurtzite phase when the structure of the film is 0.25 x 0.5 in the rock salt phase, and the structure of the film is mixed phase x 0.5. After doping Zn, the absorption edge of the thin film can be raised to about 3eV, and its resistivity is 6.69 脳 10 ~ (-1) -4? cm, and the carrier concentration is 7.92 脳 10 ~ (-1) ~ (20) cm ~ (-3), which is similar to the electrical properties of pure CdO thin film. Conclusion the doping of ZnO into CdO thin films can increase the band gap without affecting the electrical properties of the films, thus making the films have good photoelectric properties.
【作者單位】: 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理學(xué)院物理實(shí)驗(yàn)教學(xué)中心;
【基金】:國(guó)家基礎(chǔ)科學(xué)人才培養(yǎng)基金項(xiàng)目(J1103207) 國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51602302)~~
【分類號(hào)】:TB383.2
【相似文獻(xiàn)】
相關(guān)期刊論文 前10條
1 李作為,楊慶山,劉瑞霞;薄膜結(jié)構(gòu)褶皺研究述評(píng)[J];中國(guó)安全科學(xué)學(xué)報(bào);2004年07期
2 李云良;田振輝;譚惠豐;;屈曲薄膜振動(dòng)分析[J];工程力學(xué);2008年11期
3 肖瀟;關(guān)富玲;程亮;;基于能量動(dòng)量方法的空間薄膜結(jié)構(gòu)的展開(kāi)分析[J];工程力學(xué);2011年04期
4 譚惠豐;余建新;衛(wèi)劍征;;空間薄膜結(jié)構(gòu)動(dòng)態(tài)測(cè)試研究最新進(jìn)展[J];實(shí)驗(yàn)力學(xué);2012年04期
5 王燦;門(mén)玉濤;李林安;;含有界面裂紋薄膜的有限元分析[J];科學(xué)技術(shù)與工程;2007年16期
6 徐彥;關(guān)富玲;;可展開(kāi)薄膜結(jié)構(gòu)折疊方式和展開(kāi)過(guò)程研究[J];工程力學(xué);2008年05期
7 譚惠豐;李云良;;薄膜后屈曲振動(dòng)行為分析[J];哈爾濱工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào);2011年S1期
8 立早;硬質(zhì)炭薄膜的制造技術(shù)[J];新型碳材料;1991年02期
9 姜訓(xùn)勇,徐惠彬,蔣成保,宮聲凱;形狀記憶薄膜的研究進(jìn)展[J];材料導(dǎo)報(bào);2000年07期
10 張昊;吳贊敏;劉淑梅;;改善防水透濕薄膜彈性的研究[J];產(chǎn)業(yè)用紡織品;2009年02期
相關(guān)會(huì)議論文 前10條
1 辛煜;方亮;陸新華;甘肇強(qiáng);康健;葉超;程珊華;寧兆元;;微波ECR-CVD的宏觀參數(shù)對(duì)a-C:F膜結(jié)構(gòu)的影響[A];第四屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2001年
2 王友善;王長(zhǎng)國(guó);杜星文;;薄膜充氣梁的皺曲行為分析[A];第十五屆全國(guó)復(fù)合材料學(xué)術(shù)會(huì)議論文集(下冊(cè))[C];2008年
3 馬平;胡建平;唐明;邱服民;王震;于杰;;高功率激光薄膜及相關(guān)檢測(cè)技術(shù)[A];中國(guó)工程物理研究院科技年報(bào)(2005)[C];2005年
4 藺增;巴德純;;種植體表面碳基薄膜的制備及生物摩擦學(xué)性能研究[A];第十一屆全國(guó)摩擦學(xué)大會(huì)論文集[C];2013年
5 徐東;呂霞;戚震中;蔡柄初;;鐵基巨磁阻抗薄膜的研究[A];華東三省一市第三屆真空學(xué)術(shù)交流會(huì)論文集[C];2000年
6 許小紅;段靜芳;王芳;李小麗;武海順;;TbCo薄膜結(jié)構(gòu)和磁性能的退火研究[A];2004’全國(guó)真空冶金與表面工程學(xué)術(shù)研討會(huì)會(huì)議論文集[C];2004年
7 徐爽;郭雅芳;;單晶銅薄膜單向拉伸變形的原子模擬[A];北京力學(xué)會(huì)第十六屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2010年
8 李曉雷;徐廷獻(xiàn);;La_2NiO_4薄膜的制備及其氧敏特性的研究[A];第四屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2001年
9 陳友明;楊生榮;張俊彥;;碳含量對(duì)BC_xN薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響[A];中國(guó)真空學(xué)會(huì)2008年學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集[C];2008年
10 樊珊;陳俊英;孫鴻;黃楠;;用等離子體方法以及化學(xué)處理對(duì)Ti-O薄膜進(jìn)行活化改性的研究[A];第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集(5)[C];2007年
相關(guān)博士學(xué)位論文 前10條
1 羅勝耘;磁控濺射制備多層TiO_2薄膜的光電化學(xué)特性研究[D];復(fù)旦大學(xué);2014年
2 秦國(guó)平;銦(銅)-氮共摻p型氧化鋅薄膜的制備和性能研究[D];重慶大學(xué);2015年
3 楊蒙蒙;VO_2外延薄膜的制備和相變機(jī)理研究[D];中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué);2015年
4 張化福;納米氧化釩薄膜的低溫制備及結(jié)構(gòu)與相變性能研究[D];電子科技大學(xué);2014年
5 趙昊巖;溶液法制備有機(jī)晶態(tài)薄膜及其晶體管特性研究[D];清華大學(xué);2015年
6 呂品;Bi_2S_3/CdS/TiO_2納米結(jié)構(gòu)薄膜的制備及其光電化學(xué)特性研究[D];吉林大學(xué);2016年
7 石亞平;聚酰亞胺表面TiO_2薄膜的室溫SILAR法生長(zhǎng)行為與光催化性能[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2016年
8 秦玉梅;熒光分子/LDHs復(fù)合發(fā)光薄膜的組裝與VOCs傳感性能研究[D];北京化工大學(xué);2016年
9 M.Babar Shahzad;ZnO薄膜的液相化學(xué)法制備、摻雜及可控?fù)駜?yōu)生長(zhǎng)取向機(jī)制研究[D];東北大學(xué);2013年
10 張騰飛;類金剛石薄膜在水環(huán)境中的磨損行為研究[D];西南交通大學(xué);2016年
相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條
1 張創(chuàng)立;納米α-Fe_20_3/Ti0_2薄膜的制備及其光解水制氫研究[D];天津理工大學(xué);2015年
2 王翠娟;B位異價(jià)元素?fù)诫sBiFeO_3薄膜的制備與性能研究[D];山東建筑大學(xué);2015年
3 阿立瑪;摻鈰與摻鉻對(duì)于鐵酸鉍薄膜鐵電性影響的研究[D];內(nèi)蒙古大學(xué);2015年
4 石璐丹;電沉積制備硫族電池薄膜及其性能研究[D];山東建筑大學(xué);2015年
5 王艷艷;液相法制備Ti0_2和Cu_2S薄膜的摩擦學(xué)性能的研究[D];青島理工大學(xué);2015年
6 臺(tái)運(yùn)東;高功率脈沖磁控濺射技術(shù)制備Ti-Cu薄膜及血小板粘附件為[D];西南交通大學(xué);2015年
7 王秀娟;射頻磁控濺射低溫制備ITO薄膜及HIT電池的退火研究[D];鄭州大學(xué);2015年
8 晁云峰;磁控濺射沉積系統(tǒng)設(shè)計(jì)及SiC-A1薄膜的摩擦特性研究[D];鄭州大學(xué);2015年
9 何舸;薄膜聲固耦合特征有限元分析及實(shí)驗(yàn)研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2015年
10 張錦萊;薄膜結(jié)構(gòu)的屈曲與振動(dòng)特性研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2015年
,本文編號(hào):1809199
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/1809199.html