本文選題：CdO + ZnO�。� 參考：《表面技術》2017年10期

【摘要】：目的通過向CdO薄膜中摻雜ZnO,在盡量不影響其電學性質的前提下,拓寬禁帶寬度并改善性能。方法通過磁控射頻濺射分別在玻璃基底和硅111基底上沉積了一系列Cd_(1-x)Zn_xO透明導電薄膜。利用XRD、紫外可見分光光度計和霍爾效應測量儀,測試了薄膜的結構、光學和電學性能。結果隨著Zn摻雜含量的增加,薄膜結構會發(fā)生變化:x0.25時,薄膜結果為巖鹽相;0.25x0.5時,薄膜結構為混合相;x0.5時,薄膜結構變成了纖鋅礦相。摻雜Zn后,薄膜吸收邊可以提升到3eV左右,同時其電阻率為6.69×10~(-4)?·cm,載流子濃度為7.92×10~(20) cm~(-3),與純CdO薄膜電學性質相近。結論對CdO薄膜進行一定量的ZnO摻雜,可以在不影響其電學性質的前提下提高禁帶寬度,從而使薄膜具有良好的光電性能。
[Abstract]:Aim to broaden the band gap and improve the properties of CdO films by doping ZnO into the films without affecting their electrical properties as much as possible. Methods A series of Cd_(1-x)Zn_xO transparent conductive films were deposited on glass substrates and Si 111 substrates by magnetron RF sputtering. The structure, optical and electrical properties of the films were measured by XRD, UV-Vis spectrophotometer and Hall effect measuring instrument. Results with the increase of Zn doping content, the structure of the thin film will change when the content of Zn is increased, the structure of the film will change to wurtzite phase when the structure of the film is 0.25 x 0.5 in the rock salt phase, and the structure of the film is mixed phase x 0.5. After doping Zn, the absorption edge of the thin film can be raised to about 3eV, and its resistivity is 6.69 脳 10 ~ (-1) -4? cm, and the carrier concentration is 7.92 脳 10 ~ (-1) ~ (20) cm ~ (-3), which is similar to the electrical properties of pure CdO thin film. Conclusion the doping of ZnO into CdO thin films can increase the band gap without affecting the electrical properties of the films, thus making the films have good photoelectric properties.
【作者單位】： 中國科學技術大學物理學院物理實驗教學中心;
【基金】：國家基礎科學人才培養(yǎng)基金項目(J1103207) 國家自然科學基金項目(51602302)~~
【分類號】：TB383.2

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本文編號：1809199