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Zn摻雜CdO薄膜的濺射法制備和光電性能研究

發(fā)布時(shí)間:2018-04-27 04:29

  本文選題:CdO + ZnO ; 參考:《表面技術(shù)》2017年10期


【摘要】:目的通過(guò)向CdO薄膜中摻雜ZnO,在盡量不影響其電學(xué)性質(zhì)的前提下,拓寬禁帶寬度并改善性能。方法通過(guò)磁控射頻濺射分別在玻璃基底和硅111基底上沉積了一系列Cd_(1-x)Zn_xO透明導(dǎo)電薄膜。利用XRD、紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)和霍爾效應(yīng)測(cè)量?jī)x,測(cè)試了薄膜的結(jié)構(gòu)、光學(xué)和電學(xué)性能。結(jié)果隨著Zn摻雜含量的增加,薄膜結(jié)構(gòu)會(huì)發(fā)生變化:x0.25時(shí),薄膜結(jié)果為巖鹽相;0.25x0.5時(shí),薄膜結(jié)構(gòu)為混合相;x0.5時(shí),薄膜結(jié)構(gòu)變成了纖鋅礦相。摻雜Zn后,薄膜吸收邊可以提升到3eV左右,同時(shí)其電阻率為6.69×10~(-4)?·cm,載流子濃度為7.92×10~(20) cm~(-3),與純CdO薄膜電學(xué)性質(zhì)相近。結(jié)論對(duì)CdO薄膜進(jìn)行一定量的ZnO摻雜,可以在不影響其電學(xué)性質(zhì)的前提下提高禁帶寬度,從而使薄膜具有良好的光電性能。
[Abstract]:Aim to broaden the band gap and improve the properties of CdO films by doping ZnO into the films without affecting their electrical properties as much as possible. Methods A series of Cd_(1-x)Zn_xO transparent conductive films were deposited on glass substrates and Si 111 substrates by magnetron RF sputtering. The structure, optical and electrical properties of the films were measured by XRD, UV-Vis spectrophotometer and Hall effect measuring instrument. Results with the increase of Zn doping content, the structure of the thin film will change when the content of Zn is increased, the structure of the film will change to wurtzite phase when the structure of the film is 0.25 x 0.5 in the rock salt phase, and the structure of the film is mixed phase x 0.5. After doping Zn, the absorption edge of the thin film can be raised to about 3eV, and its resistivity is 6.69 脳 10 ~ (-1) -4? cm, and the carrier concentration is 7.92 脳 10 ~ (-1) ~ (20) cm ~ (-3), which is similar to the electrical properties of pure CdO thin film. Conclusion the doping of ZnO into CdO thin films can increase the band gap without affecting the electrical properties of the films, thus making the films have good photoelectric properties.
【作者單位】: 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理學(xué)院物理實(shí)驗(yàn)教學(xué)中心;
【基金】:國(guó)家基礎(chǔ)科學(xué)人才培養(yǎng)基金項(xiàng)目(J1103207) 國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51602302)~~
【分類號(hào)】:TB383.2

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本文編號(hào):1809199

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