納米線中點(diǎn)缺陷擴(kuò)散與聲子調(diào)控
本文選題:納米線 + 點(diǎn)缺陷擴(kuò)散; 參考:《南京航空航天大學(xué)》2015年博士論文
【摘要】:納米線是構(gòu)建微納機(jī)電系統(tǒng)(MEMS/NEMS)、新型能量收集、轉(zhuǎn)換和存儲(chǔ)系統(tǒng),以及納尺度超敏傳感器件的重要材料。納米線的力學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)等性能直接決定了它們所在器件的性能能否達(dá)到實(shí)際應(yīng)用要求。人們已經(jīng)進(jìn)行了大量納米線的制備和性能表征研究但其理論還主要基于完美單晶結(jié)構(gòu)。實(shí)際應(yīng)用的納米線結(jié)構(gòu)是處在一個(gè)非常復(fù)雜的多場(chǎng)環(huán)境中,它們之間可能相互耦合;同時(shí),實(shí)際中制備的一維納米結(jié)構(gòu)通常也并非完美,普遍存在各種各樣的缺陷(比如點(diǎn)缺陷、位錯(cuò)等等)。對(duì)于納米結(jié)構(gòu)的多場(chǎng)耦合效應(yīng)以及含缺陷結(jié)構(gòu)的一些非常規(guī)動(dòng)力學(xué)響應(yīng),相關(guān)研究則略顯落后,而這些問(wèn)題都是實(shí)際研究中非常重要且無(wú)法回避的問(wèn)題。本論文通過(guò)分子動(dòng)力學(xué)、有限元和理論建模方法研究了納米線點(diǎn)缺陷擴(kuò)散導(dǎo)致的特殊力學(xué)響應(yīng),聲子擴(kuò)散過(guò)程調(diào)制帶來(lái)的熱電增強(qiáng)等問(wèn)題。論文的主要貢獻(xiàn)有以下三點(diǎn):1)發(fā)現(xiàn)了含點(diǎn)缺陷的Zn O納米線的超強(qiáng)滯彈性力學(xué)響應(yīng)特性。我們基于理論推導(dǎo)和有限元分析,提出了對(duì)應(yīng)的擴(kuò)散連續(xù)介質(zhì)模型,揭示出這種超強(qiáng)滯彈性力學(xué)行為是由應(yīng)力梯度導(dǎo)致納米線內(nèi)點(diǎn)缺陷長(zhǎng)程擴(kuò)散引起的。納米線的力學(xué)性能隨點(diǎn)缺陷的擴(kuò)散而發(fā)生變化,進(jìn)而呈現(xiàn)出較強(qiáng)的滯彈性現(xiàn)象。相關(guān)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了該理論模型的預(yù)測(cè)結(jié)果。同時(shí),我們根據(jù)該模型將傳統(tǒng)的Gorsky遲豫理論擴(kuò)展到包含多種點(diǎn)缺陷的非線性滯彈性理論。2)揭示了納米線力學(xué)響應(yīng)行為與材料性能參數(shù)的關(guān)系。通過(guò)建立和求解耦合點(diǎn)缺陷擴(kuò)散方程和納米線的振動(dòng)方程,論文系統(tǒng)地研究了納米線尺寸與楊氏模量、密度、點(diǎn)缺陷的擴(kuò)散系數(shù)等性能參數(shù)的關(guān)系及其對(duì)納米線力學(xué)響應(yīng)行為的影響。解釋了納米線彎曲釋放后發(fā)生振動(dòng)或緩慢恢復(fù)到伸直平衡位置的不同機(jī)理和控制因素,進(jìn)而定量的研究了納米線振動(dòng)受其中點(diǎn)缺陷擴(kuò)散耦合后的阻尼效應(yīng)。我們的分子動(dòng)力學(xué)模擬計(jì)算驗(yàn)證了該理論模型結(jié)果。3)闡明了表面周期結(jié)構(gòu)對(duì)納米線聲子擴(kuò)散的限制及對(duì)熱電性能的增益。受實(shí)驗(yàn)合成的念珠狀納米線啟示,通過(guò)系統(tǒng)的非平衡分子動(dòng)力學(xué)計(jì)算模擬發(fā)現(xiàn)了念珠狀的納米線具有較強(qiáng)的聲子局域化效應(yīng),使其具有比光滑納米線更低的熱導(dǎo)率。進(jìn)而提出了一個(gè)簡(jiǎn)化的聲子散射模型,對(duì)該現(xiàn)象進(jìn)行解釋,為設(shè)計(jì)納米線表面形貌優(yōu)化熱電性能提供了理論基礎(chǔ)。本論文的研究結(jié)果為更好地控制一維納米線結(jié)構(gòu)的力學(xué)和熱電行為提供了新的途徑和思路,并可用于指導(dǎo)實(shí)驗(yàn)和中納米器件的設(shè)計(jì)。
[Abstract]:Nanowires are important materials for building MEMS / NEMS, new energy collection, conversion and storage systems, and nanoscale hypersensitive sensing devices.The mechanical, electrical and thermal properties of nanowires directly determine whether the performance of their devices can meet the practical application requirements.Many researches have been done on the preparation and characterization of nanowires, but the theory is mainly based on the perfect single crystal structure.The nanowire structures used in practice are in a very complex multi-field environment, and they may be coupled with each other; at the same time, the one-dimensional nanostructures prepared in practice are usually not perfect.There are various defects (such as point defects, dislocations, etc.).For the multi-field coupling effect of nanostructures and some unconventional dynamic responses of structures with defects, the related studies are slightly backward, and these problems are very important and unavoidable in practical research.In this paper, the special mechanical response of nanowires due to defect diffusion and thermoelectric enhancement caused by phonon diffusion are studied by molecular dynamics, finite element method and theoretical modeling.The main contributions of this paper are as follows: 1) the super anelastic response of ZnO nanowires with point defects is found.Based on the theoretical derivation and finite element analysis, a corresponding diffusion continuum model is proposed. It is revealed that the super-strong anelastic mechanical behavior is caused by the long-range diffusion of defects in nanowires due to the stress gradient.The mechanical properties of nanowires change with the diffusion of point defects, and then show a strong anelastic phenomenon.The prediction results of the theoretical model are verified by relevant experiments.At the same time, according to the model, we extend the traditional Gorsky theory to nonlinear anelastic theory. 2) We reveal the relationship between the mechanical response behavior of nanowires and the properties of materials.By establishing and solving the coupling point defect diffusion equation and the vibration equation of nanowires, the dimensions and Young's modulus and density of nanowires are systematically studied in this paper.The relationship between the diffusion coefficient and other properties of point defects and its influence on the mechanical response behavior of nanowires.The different mechanisms and controlling factors of the vibration or slowly restoring to the equilibrium position of the nanowires after bending release are explained, and the damping effect of the vibration of nanowires subjected to the diffusion coupling of the point defects in the nanowires is studied quantitatively.Our molecular dynamics simulations verify the theoretical model. 3) the limitation of surface periodic structure on nanowire phonon diffusion and its gain on thermoelectric properties are illustrated.Inspired by the experimental synthesis of monilide nanowires, it is found that the rosary nanowires have a strong phonon localization effect and have lower thermal conductivity than smooth nanowires through systematic non-equilibrium molecular dynamics simulation.Furthermore, a simplified phonon scattering model is proposed to explain the phenomenon, which provides a theoretical basis for the design of nanowires surface morphology optimization thermoelectric properties.The results of this paper provide a new approach and train of thought for better controlling the mechanical and thermoelectric behavior of one-dimensional nanowire structures, and can be used to guide the design of experimental and mid-nanometer devices.
【學(xué)位授予單位】:南京航空航天大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號(hào)】:TB383.1
【相似文獻(xiàn)】
相關(guān)期刊論文 前10條
1 沈鶴年;;晶體結(jié)構(gòu)缺陷中的點(diǎn)缺陷[J];山東輕工業(yè)學(xué)院學(xué)報(bào);1987年01期
2 唐明君;何林;房勇;;高壓下點(diǎn)缺陷銅的彈性性質(zhì)的研究[J];四川師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2007年06期
3 G.Gremaud;賀履平;;在簡(jiǎn)諧應(yīng)力作用下位錯(cuò)與點(diǎn)缺陷的彈性交互作用機(jī)制[J];金屬學(xué)報(bào);1984年02期
4 章煒巍;朱大中;沈相國(guó);;氧化鋅中的本征點(diǎn)缺陷對(duì)材料光電性能的影響[J];材料導(dǎo)報(bào);2004年09期
5 呂巋,童國(guó)平,王霞;一維高分子鏈中點(diǎn)缺陷引起的局域模[J];原子與分子物理學(xué)報(bào);2003年04期
6 白雪;晶體點(diǎn)缺陷反應(yīng)方程式及有效電荷[J];內(nèi)蒙古科技與經(jīng)濟(jì);1999年S2期
7 孫堅(jiān);林棟梁;;金屬間化合物Ni_3Al點(diǎn)缺陷的理論計(jì)算[J];金屬學(xué)報(bào);1993年04期
8 呂巋,王霞;雙原子鏈中點(diǎn)缺陷引起的局域振動(dòng)[J];江西師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2002年04期
9 孫宜華;李晨輝;熊惟皓;;ZnO基半導(dǎo)體的研究進(jìn)展——點(diǎn)缺陷、摻雜及接觸[J];材料導(dǎo)報(bào);2008年10期
10 朱崇強(qiáng);楊春暉;孫亮;;非線性光學(xué)晶體CdGeAs_2點(diǎn)缺陷的研究[J];化學(xué)進(jìn)展;2010年Z1期
相關(guān)會(huì)議論文 前4條
1 朱震剛;費(fèi)廣濤;;小應(yīng)變拉壓循環(huán)載荷下位錯(cuò)與點(diǎn)缺陷交互作用的機(jī)制[A];內(nèi)耗與超聲衰減——第三次全國(guó)固體內(nèi)耗與超聲衰減學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];1991年
2 楊春暉;朱崇強(qiáng);雷作濤;宋梁成;徐超;;黃銅礦類晶體點(diǎn)缺陷的研究進(jìn)展[A];第十六屆全國(guó)晶體生長(zhǎng)與材料學(xué)術(shù)會(huì)議論文集-03激光和非線性光學(xué)晶體[C];2012年
3 楊春暉;朱崇強(qiáng);雷作濤;徐超;;ZnGeP_2晶體點(diǎn)缺陷的研究[A];中國(guó)晶體學(xué)會(huì)第五屆全國(guó)會(huì)員代表大會(huì)暨學(xué)術(shù)大會(huì)(晶體生長(zhǎng)分會(huì)場(chǎng))論文摘要集[C];2012年
4 程江;朱世富;趙北君;趙欣;陳寶軍;何知宇;楊慧光;孫永強(qiáng);張羽;;通過(guò)退火研究ZnGeP_2晶體中點(diǎn)缺陷與紅外透過(guò)率的關(guān)系[A];第十五屆全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料,,微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2008年
相關(guān)重要報(bào)紙文章 前3條
1 實(shí)習(xí)記者 宋爽;“點(diǎn)缺陷”大麻煩?[N];消費(fèi)日?qǐng)?bào);2009年
2 本報(bào)記者 黃維政;液晶電視 點(diǎn)缺陷不可避免 購(gòu)買前仔細(xì)查看[N];中國(guó)消費(fèi)者報(bào);2006年
3 黃天一;液晶電視:缺陷不可避免 購(gòu)買仔細(xì)查看[N];西部時(shí)報(bào);2006年
相關(guān)博士學(xué)位論文 前3條
1 楊曉勇;核材料中點(diǎn)缺陷擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)系數(shù)的第一性原理研究[D];中國(guó)工程物理研究院;2016年
2 繆春洋;納米線中點(diǎn)缺陷擴(kuò)散與聲子調(diào)控[D];南京航空航天大學(xué);2015年
3 張立學(xué);點(diǎn)缺陷在鐵電晶體時(shí)效中的作用及其相關(guān)現(xiàn)象的研究[D];西安交通大學(xué);2008年
相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條
1 潘曉曉;GaN(0001)缺陷表面誘導(dǎo)生長(zhǎng)STO薄膜的理論研究[D];四川師范大學(xué);2015年
2 邵琳;Mg_2Ca和MgZn_2 Laves相中點(diǎn)缺陷的第一性原理研究[D];廣西大學(xué);2016年
3 周波波;基于小型TFT-LCD點(diǎn)缺陷檢測(cè)系統(tǒng)的研究[D];中南林業(yè)科技大學(xué);2016年
4 宋祥磊;面心立方金屬點(diǎn)缺陷的計(jì)算機(jī)模擬[D];陜西師范大學(xué);2006年
5 馬竹;對(duì)序參量守恒的界面生長(zhǎng)系統(tǒng)中弛豫和點(diǎn)缺陷等因素的討論[D];北京師范大學(xué);2001年
6 馬寶平;TFT-LCD點(diǎn)缺陷的分析與研究[D];蘇州大學(xué);2009年
7 李志芳;過(guò)渡金屬點(diǎn)缺陷性能研究[D];遼寧大學(xué);2014年
8 陳建玉;鉬酸鉛晶體點(diǎn)缺陷及其色心電子態(tài)研究[D];上海理工大學(xué);2008年
9 魏哲;Graphene與h-BN異質(zhì)雙層納米結(jié)構(gòu)的點(diǎn)缺陷研究[D];湘潭大學(xué);2014年
10 解麗娟;體心立方過(guò)渡金屬點(diǎn)缺陷與刃位錯(cuò)的計(jì)算機(jī)模擬[D];陜西師范大學(xué);2007年
本文編號(hào):1761776
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/1761776.html